NEC 2SA1069, 2SA1069A Technical data
データ・シート
2SA1069, 1069A
PNP
エピタキシアル形シリコン・トランジスタ
高速度スイッチング用
工業用
シリコン・パワー・トランジスタ
Silicon Power Transistor
2SA1069,1069A
は，高速度スイッチング用として開発された
モールド・パワー・トランジスタで，スイッチング・レギュレータ，
DC/DC
コンバータ，高周波電力増幅機器などのドライバとして
最適です。
特 徴
○コレクタ飽和電圧が小さい。
○スイッチング速度が速い。
T
= 25
C
A
絶対最大定格（
項 目 略号 条 件
コレクタ
コレクタ
エミッタ
コレクタ電流（直流）
コレクタ電流 (パルス
ベース電流（直流）
全損失
ジャンクション温度
保存温度
ベース間電圧
–
エミッタ間電圧
–
ベース間電圧
–
°°°°
）
2SA1069/2SA1069A
CBO
V
CEO
V
EBO
V
C(DC)
I
)
C(pulse)
I
B(DC)
I
T
PW ≦ 300 µs,
≦
Duty Cycle
T
TC = 25°C30W
P
TA = 25°C1.5W
j
T
stg
10 %
−
–55〜+150
★
オーダ情報
オーダ名称 パッケージ
2SA1069
2SA1069A
単位
−
80 V
60 / –80 V
−
12 V
−
5.0 A
−
10 A
−
2.5 A
150
TO-220AB
(TO-220AB)
°
C
°
C
本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。
資料番号 D14855JJ3V0DS00（第 3 版）
(旧資料番号 TC-5397A）
発行年月 May 2000 NS CP(K)
本文欄外の 印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。
1988, 2000
電気的特性（
T
= 25
A
2SA1069,1069A
C
°°°°
）
2SA1069 / 2SA1069A
項 目 略号 条 件
コレクタ
コレクタ
コレクタ
エミッタ間電圧
–
エミッタ間電圧
–
エミッタ間電圧
–
コレクタしゃ断電流
コレクタしゃ断電流
コレクタしゃ断電流
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
直流電流増幅率
コレクタ飽和電圧
ベース飽和電圧
ターンオン時間
蓄積時間
下降時間
注
パルス測定
PW ≦ 350
CEO(SUS)IC
V
CEX(SUS)1IC
V
CEX(SUS)2IC
V
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
I
FE1
h
FE2
h
CE(sat)
V
BE(sat)
V
on
t
stg
t
f
t
s, Duty Cycle ≦ 2 %
µ
= –3.0 A, IB1 = –0.3 A, L = 1 mH –60/–80 V
= –3.0 A, IB1 = –IB2 = – 0.3 A,
BE(OFF)
V
= –6.0 A, IB1 = –0.6 A, IB2 = 0.3 A,
BE(OFF)
V
VCB = –60 / –80 V, IE = 0 A –10
VCE = –60 / –80 V, RBE = 51
A
T
VCE = –60 / –80 V, V
VCE = –60 / –80 V, V
A
T
VEB = –5.0 V, IC = 0 A –10
VCE = –5.0 V, IC = –0.3 A
VCE = –5.0 V, IC = –3.0 A
IC = –3.0 A, IB = –0.3 A
IC = –3.0 A, IB = –0.3 A
IC = –3.0 A, RL = 17
IB1 = –IB2 = –0.3 A, V
測定回路図
= 5.0 V, L = 180 µH, Clamped
= 5.0 V, L = 180 µH, Clamped
℃
= 125
BE(OFF)
= 1.5V –10
BE(OFF)
= 1.5V,
℃
= 125
注
注
注
注
Ω,
≒
CC
参照
–
Ω,
50 V
MIN. TYP. MAX.
単位
–60/–80 V
–60/–80 V
–1.0 mA
–1.0 mA
40
40 200
–0.6 V
–1.5 V
0.5
2.5
0.5
µ
A
µ
A
µ
A
µ
s
µ
s
µ
s
h
FE
規格区分
捺印
FE2
h
MLK
40〜80 60〜120 100〜200
スイッチング時間（
V
IN
PW
≒
µ
50 s
PW
Duty Cycle ≦ 2 %
t
t
≒
stg
，
I
B1
I
B2
5.0 V
t
f
）測定回路
R
I
C
T.U.T.
L
ベース電流波形
V
CC
コレクタ電流波形
10 %
90 %
t
on
t
stgtf
I
B2
I
B1
I
C
on
，
V
BB
2
データ・シート D14855JJ3V0DS00
特性曲線（
T
A = 25
2SA1069,1069A
C
°°°°
）
TOTAL POWER DISSIPATION vs. CASE
TEMPERATURE
50
40
(W)
30
T
20
全損失 P
10
0
0−25 10050 150
ケース温度 T
C
(
˚C)
DERATING CURVE OF SAFE OPERATING AREA
100
80
60
s/b Limited
Dissipation Limited
−30
−10
(A)
C
コレクタ電流 I
−0.1
−0.03
(˚C/W)
th(j-c)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1
ms
S/b Limited
PW
=
30
100
300
µs
µs
µs
2SA1069
2SA1069A
−1
Single Pulse
−1
I
C(pulse)
I
C(DC)
10
100
Dissipation
ms
Limited
ms
−10 −100 −1000
コレクタ‑エミッタ間電圧 V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
10
1
CE
(V)
VCE = −20 V
⊿T
j
= 50 ˚C
40
ディレーティング dT (%)
20
0
0 50 100 150
ケース温度 T
C
(
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
−10
−8
(A)
C
−6
−4
コレクタ電流 I
−2
0
0 −40 −80 −120
2SA1069
2SA1069A
コレクタ‑エミッタ間電圧 VCE (V)
˚C)
0.1
過渡熱抵抗 r
0.01
10.01 0.1
10 100
パルス幅 PW (ms)
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
−5
−80 mA
−90 mA
−100 mA
−4
(A)
C
−3
−2
コレクタ電流 I
−1
0
0 −2−1 −3 −4 −5
コレクタ‑エミッタ間電圧 VCE (V)
−70 mA
−60 mA
−50 mA
−40 mA
−30 mA
−20 mA
IB = −10 mA
データ・シート D14855JJ3V0DS00
3
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