Motorola MMJT9435 Datasheet
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MMJT9435/D
PNP Silicon
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — V
CEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
• High DC Current Gain — hFE
= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc
= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc
• Low Collector –Emitter Saturation Voltage — V
= 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.68 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
• SOT–223 Surface Mount Packaging
CE(sat)
C 2,4
B 1 E 3
Schematic
Motorola Preferred Device
POWER BJT
IC = 3.0 AMPERES
B
V
CE(sat)
CASE 318E–04, Style 1
= 30 VOLTS
VCEO
= 0.275 VOLTS
C
CEB
Top View
Pinout
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Base Current — Continuous
Collector Current — Continuous
Collector Current — Peak
ОООООООООООООООООООООО
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
ОООООООООООООООООООООО
Total PD @ TA = 25_C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.92” sq. (590 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
ОООООООООООООООООООООО
Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
Operating and Storage Junction Temperature Range
ОООООООООООООООООООООО
THERMAL CHARACTERISTICS
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
Characteristic
Thermal Resistance – Junction to Case
ОООООООООООООООООООООО
ОООООООООООООООООООООО
– Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
– Junction to Ambient on 0.92” sq. (590 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
– Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
B
I
C
ÎÎ
P
D
ÎÎ
ÎÎ
TJ, T
stg
ÎÎ
Symbol
R
θJC
R
θJA
ÎÎ
R
θJA
R
ÎÎ
θJA
T
L
Value
30
45
± 8.0
1.0
3.0
5.0
ÎÎÎ
3.0
0.025
ÎÎÎ
2.0
1.5
ÎÎÎ
0.8
–55 to +150
ÎÎÎ
Max
40
60
ÎÎÎ
85
156
ÎÎÎ
260
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
ÎÎ
Watts
mW/_C
ÎÎ
Watts
ÎÎ
_
C
ÎÎ
Unit
_
C/W
ÎÎ
ÎÎ
_
C
This document contains information on a new product. Specifications and information are subject to change without notice.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 1
Motorola, Inc. 1997
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1
MMJT9435
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
Collector–Emitter Sustaining Voltage
ОООООООООООООООООО
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)
Collector Cutoff Current
ОООООООООООООООООО
(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 W)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc)
ОООООООООООООООООО
ON CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ОООООООООООООООООО
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ОООООООООООООООООО
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DC Current Gain
ОООООООООООООООООО
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ОООООООООООООООООО
(1)
= 25_C unless otherwise noted)
C
Symbol
V
CEO(sus)
ÎÎ
I
CER
ÎÎ
I
EBO
ÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎ
V
BE(on)
h
FE
ÎÎ
ÎÎ
Min
ÎÎ
30
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
ÎÎ
140
125
ÎÎ
Typ
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
0.140
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
170
ÎÎ
Max
ÎÎ
—
ÎÎ
20
10
ÎÎ
0.210
ÎÎ
0.275
0.680
ÎÎ
1.40
ÎÎ
1.10
ÎÎ
—
—
ÎÎ
Unit
Vdc
ÎÎ
µAdc
ÎÎ
m
Adc
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
Vdc
—
ÎÎ
ÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
ОООООООООООООООООО
Input Capacitance
ОООООООООООООООООО
(VEB = 8.0 Vdc)
Current–Gain — Bandwidth Product
ОООООООООООООООООО
(IC = 500 mA, VCE = 10 V, F
(2)
= 1.0 MHz)
test
C
ob
ÎÎ
C
ib
ÎÎ
f
T
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
—
ÎÎ
—
100
ÎÎ
ÎÎ
135
ÎÎ
105
—
ÎÎ
ÎÎ
—
ÎÎ
—
pF
ÎÎ
pF
ÎÎ
MHz
ÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.
(2) fT = |hFE| S f
test
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Loading...