Motorola MMDJ3P03BJT Datasheet

Î

Î

Î

Î

Î

Î



SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MMDJ3P03BJT/D

  

  



Motorola Preferred Device

SO–8 for Surface Mount Applications

• Collector –Emitter Sustaining Voltage — V

CEO(sus)

= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

• High DC Current Gain — h

FE

= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc
= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc

• Low Collector –Emitter Saturation Voltage — V

CE(sat)

= 0.24 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.60 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

• Miniature SO–8 Surface Mount Package – Saves Board Space

E

B
E

B

Schematic

C

C

MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous

ООООООООООООООООО

Collector Current — Peak

Base Current — Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range

Symbol

V

CB

V

CEO

V

EB

I

I

TJ, T

C

B

stg

ООООО

ООООО

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance – Junction to Ambient

ООООООООООООООООО

Total Power Dissipation @ TA = 25_C

ООООООООООООООООО

Derate above 25_C

(1)

(1)

Maximum T emperature for Soldering

(1) Mounted on 2” sq. FR–4 board (1” sq. 2 oz. Cu 0.06” thick single sided) with one die operating, 10 seconds max.

This document contains information on a new product. Specifications and information are subject to change without notice.

Symbol

R

ООООО

ООООО

θJC

P

T

D

L

ООООО

ООООО

DUAL BIPOLAR

POWER TRANSISTOR

PNP SILICON

30 VOLTS

3 AMPERES

CASE 751–05, Style 16

Emitter–1

Base–1

Emitter–2

Base–2

Value

45
30

± 8.0

3.0

5.0

1.0

–55 to +150

Max

62.5

2.0
16

260

(SO–8)

1
2
3
4

Top View

Pinout

8
7
6
5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Collector–1
Collector–1
Collector–2
Collector–2

Unit

Vdc
Vdc
Vdc
Adc

Adc

_

C

Unit

_

C/W

Watts

mW/_C

_

C

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 2

 Motorola, Inc. 1997

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

1

MMDJ3P03BJT

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

ÎÎÎ

Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

ОООООООООООООООООООООООООООООООО

Collector–Emitter Sustaining Voltage

ОООООООООООООООООО

(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)

Collector Cutoff Current

ОООООООООООООООООО

(VCE = 25 Vdc, RBE = 200 W)

Emitter Cutoff Current

(VBE = 5.0 Vdc)

ОООООООООООООООООО

ON CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Saturation Voltage

(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)

ОООООООООООООООООО

(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)

ОООООООООООООООООО

Base–Emitter Saturation Voltage

(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)

ОООООООООООООООООО

Base–Emitter On Voltage

(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)

DC Current Gain

ОООООООООООООООООО

(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)

ОООООООООООООООООО

(1)

= 25_C unless otherwise noted)

C

Symbol

V

CEO(sus)

ÎÎ

I

CER

ÎÎ

I

EBO

ÎÎ

V

CE(sat)

ÎÎ

ÎÎ

V

BE(sat)

ÎÎ

V

BE(on)

h

FE

ÎÎ

ÎÎ

Min

ÎÎ

30

ÎÎ

—

—

ÎÎ

—

ÎÎ

—
—

ÎÎ

—

ÎÎ

—

ÎÎ

140
125

ÎÎ

Typ

ÎÎ

—

ÎÎ

—

—

ÎÎ

0.14

ÎÎ

—
—

ÎÎ

—

ÎÎ

—

ÎÎ

—

180

ÎÎ

Max

ÎÎ

—

ÎÎ

20

10

ÎÎ

0.20

ÎÎ

0.24

0.60

ÎÎ

1.40

ÎÎ

1.10

ÎÎ

—
—

ÎÎ

Unit

Vdc

ÎÎ

µAdc

ÎÎ

µAdc

ÎÎ

Vdc

ÎÎ

ÎÎ

Vdc

ÎÎ

Vdc

—

ÎÎ

ÎÎ

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)

ОООООООООООООООООО

Input Capacitance

ОООООООООООООООООО

(VEB = 8.0 Vdc)

Current–Gain — Bandwidth Product

ОООООООООООООООООО

(IC = 500 mA, VCE = 10 V, F

(2)

= 1.0 MHz)

test

C

ob

ÎÎ

C

ib

ÎÎ

f

T

ÎÎ

—

ÎÎ

ÎÎ

—

ÎÎ

—

100

ÎÎ

ÎÎ

135

ÎÎ

105

—

ÎÎ

ÎÎ

—

ÎÎ

—

pF

ÎÎ

pF

ÎÎ

MHz

ÎÎ

(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.
(2) fT = |hFE| S f

test

2

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data