Motorola MJF47 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Isolated Package Applications
Designed for line operated audio output amplifiers, switching power supply drivers
and other switching applications, where the mounting surface of the device is required
to be electrically isolated from the heatsink or chassis.
• Electrically Similar to the Popular TIP47
• 250 V
CEO(sus)
• 1 A Rated Collector Current
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 V
RMS
Isolation
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
250
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CB
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EB
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
RMS Isolation Voltage (1) Test No. 1 Per Fig. 10
(for 1 sec, R.H. < 30%, Test No. 2 Per Fig. 11
TA = 25_C) Test No. 3 Per Fig. 12
V
ISOL
4500
3500
1500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
RMS
Collector Current — Continuous
Peak
I
C
1
2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Base Current
I
B
0.6
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation* @ TC = 25_C
Derate above 25_C
P
D
28
0.23
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/_C
Total Power Dissipation @ TA = 25_C
Derate above 25_C
P
D
2
0.016
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θJA
62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case*
R
θJC
4.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C/W
Lead Temperature for Soldering Purpose
T
L
260
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
*Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on
a heatsink with thermal grease and a mounting torque of ≥ 6 in. lbs.
(1) Proper strike and creepage distance must be provided.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJF47/D
Motorola, Inc. 1995
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
1 AMPERE
250 VOLTS
28 WATTS
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
MJF47
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
250
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 150 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
—
0.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CES
—
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
—
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
30
10
150
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
—
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(on)
—
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.2 Adc, VCE 10 Vdc, f = 2 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
f
T
10
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.02
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2
0.1 2
60
Figure 2. “On” Voltages
200
h
FE
, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
1
25°C
VCE = 10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
0.6
1.4
V, VOLTAGE (VOLTS)
100
10
40
20
4
6
0.04 0.06 0.2
0.4 0.6
–55°C
1.2
1
0.8
0.2
0.4
0.02 0.1 210.04 0.06 0.2
0.4 0.6
TJ = 25°C
V
BE(sat)
@ IC/IB = 5
V
BE(on)
@ VCE = 4 V
V
CE(sat)
@ IC/IB = 5 V
Loading...