MOTOROLA MC74HC86AFEL, MC74HC86ADT, MC74HC86ADTEL, MC74HC86ADTR2, MC74HC86AF Datasheet

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2000

March, 2000 – Rev. 2

1 Publication Order Number:

MC74HC86A/D

MC74HC86A

Quad 2-Input Exclusive OR Gate

High–Performance Silicon–Gate CMOS

The MC74HC86A is identical in pinout to the LS86. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL

• Operating Voltage Range: 2 to 6 V

• Low Input Current: 1 µA

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard

No. 7A

• Chip Complexity: 56 FETs or 14 Equivalent Gates

LOGIC DIAGRAM

Y1

Y2

Y3

Y4

A1 B1

A2 B2

A3 B3

A4 B4

1 2

4 5

9 10

12 13

3

6

8

11

PIN 14 = V

CC

PIN 7 = GND

Y = A ⊕ B

= A

B + AB

PIN ASSIGNMENT

11

12

13

14

8

9

105

4

3

2

1

7

6

B3

Y4

A4

B4

V

CC

Y3

A3

A2

Y1

B1

A1

GND

Y2

B2

Device Package Shipping

ORDERING INFORMATION

MC74HC86AN PDIP–14 2000 / Box MC74HC86AD SOIC–14

http://onsemi.com

55 / Rail

MC74HC86ADR2 SOIC–14 2500 / Reel

MARKING

DIAGRAMS

A = Assembly Location WL or L = Wafer Lot YY or Y = Year WW or W = Work Week

MC74HC86ADT TSSOP–14 96 / Rail MC74HC86ADTR2 TSSOP–14

2500 / Reel

TSSOP–14 DT SUFFIX

CASE 948G

HC

86A

ALYW

1

14

1

14

PDIP–14

N SUFFIX

CASE 646

MC74HC86AN

AWLYYWW

SOIC–14

D SUFFIX

CASE 751A

1

14

HC86A

AWLYWW

FUNCTION TABLE

A

L L H H

Inputs Output

B

L H L H

Y

L H H L

MC74HC86A

http://onsemi.com

2

MAXIMUM RATINGS*

Symbol

Parameter

Value

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to + 7.0

V

in

DC Input Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

out

DC Output Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

I

in

DC Input Current, per Pin

± 20

mA

I

out

DC Output Current, per Pin

± 25

mA

I

CC

DC Supply Current, VCC and GND Pins

± 50

mA

ÎÎ

Î

P

D

ОООООООООООО

Î

Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†

SOIC Package†

TSSOP Package†

ÎÎÎ

Î

750 500 450

Î

mW

T

stg

Storage Temperature

– 65 to + 150

_

C

ÎÎ

Î

T

L

ОООООООООООО

Î

Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds

(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)

ÎÎÎ

Î

260

Î

_

C

*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.

Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.

†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C

SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C

For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

Symbol

Parameter

Min

ÎÎ

Max

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

2.0

ÎÎ

6.0

V

Vin, V

out

DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)

0

ÎÎ

V

CC

V

T

A

Operating Temperature, All Package Types

– 55

ÎÎ

+ 125

_

C

ÎÎ

Î

tr, t

f

ООООООООООООО

Î

Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V

(Figure 1) VCC = 4.5 V

VCC = 6.0 V

Î

0 0 0

ÎÎ

1000

500 400

Î

ns

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Guaranteed Limit

ÎÎ

Î

Symbol

ООООООО

Î

Parameter

ООООООО

Î

Test Conditions

ÎÎ

Î

V

CC V

ÎÎ

Î

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

Î

v

85_C

ÎÎ

Î

v

125_C

Î

Unit

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

IH

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Minimum High–Level Input Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

V

out

= 0.1 V or VCC – 0.1 V

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

ÎÎÎ

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

IL

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Input Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

V

out

= 0.1 V or VCC – 0.1 V

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

ÎÎÎ

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

Î

V

ÎÎ

Î

V

OH

ООООООО

Î

Minimum High–Level Output Voltage

ООООООО

Î

Vin = VIH or V

IL

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

1.9

4.4

5.9

ÎÎÎ

Î

1.9

4.4

5.9

ÎÎ

Î

1.9

4.4

5.9

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Vin = VIH or VIL|I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.48

3.98

5.48

ÎÎÎ

Î

2.34

3.84

5.34

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.20

3.70

5.20

Î

This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, Vin and V

out

should be constrained to the

range GND v (Vin or V

out

) v VCC.

Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.

MC74HC86A

http://onsemi.com

3

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Unit

Guaranteed Limit

V

CC

V

Test Conditions

Parameter

Symbol

Unit

v

125_C

ÎÎÎ

v

85_C

– 55 to

25_C

V

CC

V

Test Conditions

Parameter

Symbol

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

OL

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Output Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Vin = VIH or V

IL

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.1

ÎÎÎ

Î

0.1

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.1

Î

V

ÎÎÎОООООООÎООООООО

Î

Vin = VIH or VIL|I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

0.26

ÎÎÎ

Î

0.33

ÎÎ

Î

0.40

Î

ÎÎ

Î

I

in

ООООООО

Î

Maximum Input Leakage Current

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

± 0.1

ÎÎÎ

Î

± 1.0

ÎÎ

Î

± 1.0

Î

µA

ÎÎ

Î

I

CC

ООООООО

Î

Maximum Quiescent Supply Current (per Package)

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND I

out

= 0 µA

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

1.0

ÎÎÎ

Î

10

ÎÎ

Î

40

Î

µA

NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book

(DL129/D).

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C

L

= 50 pF, Input t, = tf = 6 ns)

Guaranteed Limit

Symbol

Parameter

V

CC V

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

v

85_Cv 125_C

Unit

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

t

PLH

,

t

PHL

ОООООООООООООО

Î

ОООООООООООООО

Î

Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

100

80 20 17

ÎÎÎ

Î

125

90 25 21

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

150

110

31 26

Î

ns

ÎÎÎ

Î

ÎÎÎ

Î

t

TLH

,

t

THL

ОООООООООООООО

Î

ОООООООООООООО

Î

Maximum Output Transition Time, Any Output

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

75 30 15 13

ÎÎÎ

Î

95 40 19 16

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

110

55 22 19

Î

ns

C

in

Maximum Input Capacitance

—

10

ÎÎÎ

10

pF

NOTES:

1. For propagation delays with loads other than 50 pF , see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V

C

PD

Power Dissipation Capacitance (Per Gate)*

33

pF

*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V

CC

2

f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the

ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).