MOTOROLA MC74HC74AFL2, MC74HC74AFR1, MC74HC74AFR2, MC74HC74ADTR2, MC74HC74AF Datasheet

...
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 8
1 Publication Order Number:
MC74HC74A/D
MC74HC74A
Dual D Flip-Flop with Set and Reset
High–Performance Silicon–Gate CMOS
This device consists of two D flip–flops with individual Set, Reset, and Clock inputs. Information at a D–input is transferred to the corresponding Q output on the next positive going edge of the clock input. Both Q and Q
outputs are available from each flip–flop. The Set
and Reset inputs are asynchronous.
Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
Low Input Current: 1.0 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 128 FETs or 32 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
RESET 1
DATA 1
CLOCK 1
SET 1
RESET 2
DATA 2
CLOCK 2
SET 2
1
2 3
4
13
12 11
10
5 6
9 8
Q1
Q1
Q2
Q2
PIN 14 = VCC PIN 7 = GND
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
Set Reset Clock Data Q Q
LH XX HL HL XX LH L L X X H* H* HH H HL HH L LH H H L X No Change H H H X No Change H H X No Change
*Both outputs will remain high as long as Set and Reset are low, but the output
states are unpredictable if Set and Reset go high simultaneously.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC74AN PDIP–14 2000 / Box MC74HC74AD SOIC–14
http://onsemi.com
55 / Rail
MC74HC74ADR2 SOIC–14 2500 / Reel
MARKING
DIAGRAMS
A = Assembly Location WL or L = Wafer Lot YY or Y = Year WW or W = Work Week
MC74HC74ADT TSSOP–14 96 / Rail MC74HC74ADTR2 TSSOP–14
2500 / Reel
TSSOP–14 DT SUFFIX
CASE 948G
HC
74A
ALYW
1
14
1
14
PDIP–14
N SUFFIX
CASE 646
MC74HC74AN
AWLYYWW
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A
1
14
HC74A
AWLYWW
PIN ASSIGNMENT
SET 1
CLOCK 1
DATA 1
RESET 1
11
12
13
14
8
9
105
4
3
2
1
7
6
SET 2
CLOCK 2
DATA 2
RESET 2
V
CC
Q2
Q2
GND
Q1
Q1
MC74HC74A
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 50
mA
ÎÎ
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎ
Î
750 500 450
Î
Î
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
ÎÎ
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
ÎÎÎ
Î
260 300
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
ÎÎ
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
ÎÎ
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
ÎÎ
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
ÎÎ
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООО
Î
ООООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figures 1, 2, 3) VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V
Î
Î
Î
Î
0 0 0 0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
1000
600 500 400
Î
Î
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎ
Î
Î
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.2
3.7
5.2
Î
Î
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
MC74HC74A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v
125_C
ÎÎÎ
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
0.4
0.4
0.4
Î
Î
ÎÎ
Î
I
in
ООООООО
Î
Maximum Input Leakage Current
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
± 0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
± 1.0
ÎÎ
Î
± 1.0
Î
Î
µA
I
CC
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
6.0
2.0
ÎÎÎ
20
80
µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
f
max
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
6.0 15 30 35
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
4.8 10 24 28
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
4.0
8.0 20 24
Î
Î
Î
Î
MHz
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock to Q or Q
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
100
75 20 17
ÎÎÎ
Î
Î
Î
125
90 25 21
ÎÎ
Î
150 120
30 26
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Set or Reset to Q or Q
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
105
80 21 18
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
130
95 26 22
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
160 130
32 27
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
75 30 15 13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95 40 19 16
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
55 22 19
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
ÎÎÎ
10
10
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Flip–Flop)*
32
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...
+ 5 hidden pages