Motorola MC74HC244AN, MC74HC244ADW Datasheet


SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
REV 7
Motorola, Inc. 1997
2/97
  !   !  !
High–Performance Silicon–Gate CMOS
The MC54/74HC244A is identical in pinout to the LS244. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
This octal noninverting buffer/line driver/line receiver is designed to be used with 3–state memory address drivers, clock drivers, and other bus–oriented systems. The device has noninverting outputs and two active–low output enables.
The HC244A is similar in function to the HC240A and HC241A.
Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2 to 6 V
Low Input Current: 1 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 136 FETs or 34 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
DATA
INPUTS
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
17
15
13
11
8
6
4
218
16
14
12
9
7
5
3
YB4
YB3
YB2
YB1
YA4
YA3
YA2
YA1
NONINVERTING OUTPUTS
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
OUTPUT
ENABLES
ENABLE A ENABLE B
1 19

PIN ASSIGNMENT
A3
A2
YB4
A1
ENABLE A
GND
YB1
A4
YB2
YB3 5
4
3
2
1
10
9
8
7
6
14
15
16
17
18
19
20
11
12
13
YA2
B4
YA1
ENABLE B
V
CC
B1
YA4
B2
YA3
B3
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
Enable A, Enable B A, B YA, YB
LLL LHH HXZ
Z = high impedance
DW SUFFIX
SOIC PACKAGE
CASE 751D–04
N SUFFIX
PLASTIC PACKAGE
CASE 738–03
ORDERING INFORMATION
MC54HCXXXAJ MC74HCXXXAN MC74HCXXXADW MC74HCXXXASD MC74HCXXXADT
Ceramic Plastic SOIC SSOP TSSOP
DT SUFFIX
TSSOP PACKAGE
CASE 948E–02
J SUFFIX
CERAMIC PACKAGE
CASE 732–03
1
20
1
20
SD SUFFIX
SSOP PACKAGE
CASE 940C–03
1
20
1
20
1
20
MC54/74HC244A
MOTOROLA High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 1.5 to VCC + 1.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 35
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
Î
Î
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
ОООООООООООО
Power Dissipation in Still Air, Plastic or Ceramic DIP†
SOIC Package†
SSOP or TSSOP Package†
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
750 500 450
Î
Î
Î
mW
Î
T
stg
ОООООООООООО
Storage Temperature
ÎÎÎÎ
– 65 to + 150
Î
_
C
Î
Î
Î
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package)
(Ceramic DIP)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
260 300
Î
Î
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur .
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
Ceramic DIP: – 10 mW/_C from 100_ to 125_C SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C SSOP or TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
ÎÎ
tr, t
f
ОООООООООООО
Î
ОООООООООООО
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
Î
0 0 0
Î
Î
Î
1000
500 400
Î
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC
V
ÎÎ
– 55 to
25_C
ÎÎ
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
2.48
3.98
5.48
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.2
3.7
5.2
Î
Î
Î
Î
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
MC54/74HC244A
High–Speed CMOS Logic Data DL129 — Rev 6
3 MOTOROLA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Unit
v
125_C
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
0.26
0.26
0.26
ÎÎ
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
0.4
0.4
0.4
Î
Î
I
in
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
± 1.0
µA
ÎÎ
Î
I
OZ
ООООООО
Î
Maximum Three–State Leakage Current
ООООООО
Î
Output in High–Impedance State
Vin = VIL or V
IH
V
out
= VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
± 0.5
ÎÎ
Î
± 5.0
ÎÎ
Î
± 10
Î
Î
µA
ÎÎ
Î
I
CC
ООООООО
Î
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
4.0
ÎÎ
Î
40
ÎÎ
Î
160
Î
Î
µA
NOTE: Information on typical parametric values and high frequency or heavy load considerations can be found in Chapter 2 of the Motorola High–
Speed CMOS Data Book (DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Guaranteed Limit
Symbol
Parameter
V
CC
V
– 55 to
25_C
v85_Cv
125_C
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, A to YA or B to YB
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
96 50 18 15
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
115
60 23 20
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
135
70 27 23
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
PLZ
,
t
PHZ
ООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
110
60 22 19
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
140
70 28 24
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
165
80 33 28
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
PZL
,
t
PZH
ООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
110
60 22 19
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
140
70 28 24
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
165
80 33 28
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ООООООООООООООО
Î
ООООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
60 23 12 10
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
75 27 15 13
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
90 32 18 15
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
10
10
pF
ÎÎ
Î
C
out
ООООООООООООООО
Î
Maximum Three–State Output Capacitance (Output in High–Impedance State)
ÎÎ
Î
ÎÎ15ÎÎ
Î
15
ÎÎ
Î
15
Î
Î
pF
NOTE:For propagation delays with loads other than 50 pF , and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the Motorola High–
Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
34
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...
+ 5 hidden pages