MOTOROLA MC74HC02AD, MC74HC02ADR2, MC74HC02ADT, MC74HC02ADTEL, MC74HC02AFR1 Datasheet

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2000

March, 2000 – Rev. 8

1 Publication Order Number:

MC74HC02A/D

MC74HC02A

Quad 2-Input NOR Gate

High–Performance Silicon–Gate CMOS

The MC74HC02A is identical in pinout to the LS02. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup
resistors, they are compatible with LSTTL outputs.

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL

• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V

• Low Input Current: 1.0 µA

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard

No. 7A

• Chip Complexity: 40 FETs or 10 Equivalent Gates

LOGIC DIAGRAM

1

Y1

2

A1

PIN 14 = V

CC

PIN 7 = GND

3

B1

Y4

Y = A + B

4

Y2

5

A2

6

B2

10

Y3

8

A3

9

B3

13

11

A4

12

B4

PIN ASSIGNMENT

11

12

13

14

8

9

105

4

3

2

1

7

6

Y3

A4

B4

Y4

V

CC

A3

B3

Y2

B1

A1

Y1

GND

B2

A2

Device Package Shipping

ORDERING INFORMATION

MC74HC02AN PDIP–14 2000 / Box
MC74HC02AD SOIC–14

http://onsemi.com

55 / Rail

MC74HC02ADR2 SOIC–14 2500 / Reel

MARKING

DIAGRAMS

A = Assembly Location
WL or L = Wafer Lot
YY or Y = Year
WW or W = Work Week

MC74HC02ADT TSSOP–14 96 / Rail
MC74HC02ADTR2 TSSOP–14

2500 / Reel

TSSOP–14
DT SUFFIX

CASE 948G

HC

02A

ALYW

1

14

1

14

PDIP–14

N SUFFIX

CASE 646

MC74HC02AN

AWLYYWW

SOIC–14

D SUFFIX

CASE 751A

1

14

HC02A

AWLYWW

FUNCTION TABLE

A

L
L
H
H

Inputs Output

B

L
H
L
H

Y

H
L
L
L

MC74HC02A

http://onsemi.com

2

MAXIMUM RATINGS*

Symbol

Parameter

Value

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to + 7.0

V

V

in

DC Input Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

V

out

DC Output Voltage (Referenced to GND)

– 0.5 to VCC + 0.5

V

I

in

DC Input Current, per Pin

± 20

mA

I

out

DC Output Current, per Pin

± 25

mA

I

CC

DC Supply Current, VCC and GND Pins

± 50

mA

ÎÎ

Î

P

D

ОООООООООООО

Î

Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†

SOIC Package†

TSSOP Package†

ÎÎÎ

Î

750
500
450

Î

Î

mW

T

stg

Storage Temperature

– 65 to + 150

_

C

ÎÎ

Î

T

L

ОООООООООООО

Î

Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds

Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package

ÎÎÎ

Î

260

Î

Î

_

C

*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.

Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.

†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C

SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C

For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

Symbol

Parameter

Min

ÎÎ

Max

Unit

V

CC

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

2.0

ÎÎ

6.0

V

Vin, V

out

DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)

0

ÎÎ

V

CC

V

T

A

Operating Temperature, All Package Types

– 55

ÎÎ

+ 125

_

C

ÎÎ

Î

tr, t

f

ООООООООООООО

Î

Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V

(Figure 1) VCC = 4.5 V

VCC = 6.0 V

Î

Î

0
0
0

ÎÎ

ÎÎ

1000

500
400

Î

Î

ns

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Guaranteed Limit

Symbol

Parameter

Test Conditions

V

CC
V

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

v85_

C

v

125°C

Unit

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

IH

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Minimum High–Level Input
Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

V

out

= 0.1 V or VCC – 0.1 V

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

1.5

2.1

3.15

4.2

Î

Î

Î

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

V

IL

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Input
Voltage

ООООООО

Î

ООООООО

Î

V

out

= 0.1 V or VCC – 0.1 V

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

0.5

0.9

1.35

1.8

Î

Î

Î

Î

V

ÎÎ

Î

V

OH

ООООООО

Î

Minimum High–Level Output
Voltage

ООООООО

Î

Vin = VIH or V

IL

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

1.9

4.4

5.9

ÎÎÎ

Î

Î

Î

1.9

4.4

5.9

ÎÎ

Î

1.9

4.4

5.9

Î

Î

V

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

ООООООО

Î

Vin = VIH or VIL|I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.48

3.98

5.48

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

2.34

3.84

5.34

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.20

3.7

5.2

Î

Î

Î

Î

This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and
V

out

should be constrained to the

range GND v (Vin or V

out

) v VCC.

Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.

MC74HC02A

http://onsemi.com

3

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)

Guaranteed Limit

Unit

v

125°C

ÎÎÎ

ÎÎÎ

v85_

C

– 55 to

25_C

V

CC

V

Test Conditions

Parameter

Symbol

ÎÎ

Î

V

OL

ООООООО

Î

Maximum Low–Level Output
Voltage

ООООООО

Î

Vin = VIH or V

IL

|I

out

| v 20 µA

ÎÎ

Î

2.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

0.1

0.1

0.1

ÎÎÎ

Î

Î

Î

0.1

0.1

0.1

ÎÎ

Î

0.1

0.1

0.1

Î

Î

V

ÎÎÎОООООООÎООООООО

Î

Vin = VIH or VIL|I

out

| v 2.4 mA

|I

out

| v 4.0 mA

|I

out

| v 5.2 mA

ÎÎ

Î

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

0.26

0.26

0.26

ÎÎÎ

Î

Î

Î

0.33

0.33

0.33

ÎÎ

Î

0.4

0.4

0.4

Î

Î

ÎÎ

Î

I

in

ООООООО

Î

Maximum Input Leakage
Current

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

± 0.1

ÎÎÎ

Î

Î

Î

± 1.0

ÎÎ

Î

± 1.0

Î

Î

µA

ÎÎ

Î

I

CC

ООООООО

Î

Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)

ООООООО

Î

Vin = VCC or GND
|I

out

| = 0 µA

ÎÎ

Î

6.0

ÎÎ

Î

1.0

ÎÎÎ

Î

Î

Î

10

ÎÎ

Î

40

Î

Î

µA

NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book

(DL129/D).

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C

L

= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)

Guaranteed Limit

Symbol

Parameter

V

CC
V

– 55 to

25_C

ÎÎÎ

v85_Cv

125_C

Unit

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

t

PLH

,

t

PHL

ООООООООООООООО

Î

ООООООООООООООО

Î

Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

75
30
15
13

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

95
40
19
16

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

110

55
22
19

Î

Î

Î

Î

ns

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

t

TLH

,

t

THL

ООООООООООООООО

Î

ООООООООООООООО

Î

Maximum Output Transition Time, Any Output

(Figures 1 and 2)

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

2.0

3.0

4.5

6.0

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

75
30
15
13

ÎÎÎ

Î

Î

Î

Î

Î

Î

95
40
19
16

ÎÎ

Î

ÎÎ

Î

110

55
22
19

Î

Î

Î

Î

ns

C

in

Maximum Input Capacitance

—

10

ÎÎÎ

10

10

pF

NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON

Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V

C

PD

Power Dissipation Capacitance (Per Gate)*

22

pF

*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V

CC

2

f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the

ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).