Motorola 2N3716, 2N3715 Datasheet

3–12

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

   

. . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices
feature:

• Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs

• Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A

• Low V

CE(sat)

: typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A

• Excellent Safe Operating Areas

• Complement to 2N3791–92

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

2N3715

2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

Collector–Emitter Voltage

V

CEO

60

80

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Volts

Collector–Base Voltage

V

CB

80

100

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Volts

Emitter–Base Voltage

V

EB

7.0

7.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Volts

Collector Current

I

C

10

10

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Amps

Base Current

I

B

4.0

4.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Amps

Power Dissipation

P

D

150

150

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Watts

Thermal Resistance

θ

JC

1.17

1.17

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_

C/W

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ, T

stg

–65 to +200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_

C

Safe Area Limits are indicated by Figures 12, 13. Both limits are applicable and must be observed.

140
120
100

80
60

40

0

20

0 25 50 75 100 125 150 175 200

Figure 1. Power–Temperature Derating Curve

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

P

D

, POWER DISSIPATION (WATTS)

160



SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by 2N3715/D

 Motorola, Inc. 1995




10 AMPERE

POWER TRANSISTORS

SILICON NPN
60–80 VOLTS

150 WATTS



CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

REV 7

 

3–13

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

C

= 25_C unless otherwise noted)

Characteristic

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Symbol

Min

Max

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

Emitter–Base Cutoff Current

(VEB = 7.0 Vdc) All Types

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

EBO

—

5.0

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

Collector–Emitter Cutoff Current

(VCE = 80 Vdc, VBE = –1.5 Vdc) 2N3715
(VCE = 100 Vdc, VBE = –1.5 Vdc) 2N3716
(VCE = 60 Vdc, VBE = –1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3715
(VCE = 80 Vdc, VBE = –1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

CEX

—
—
—
—

1.0

1.0
10
10

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)

(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N3715

2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

CEO(sus)

*

60
80

—
—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

DC Current Gain (1)

(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N3715, 2N3716
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N3715, 2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

hFE*

50
30

150

—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

—

Collector–Emitter Saturation Voltage (1)

(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc) 2N3715, 2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

CE(sat)

*

—

0.8

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

Base–Emitter Saturation Voltage (1)

(IC = 5.0 Adc, IB = 0.5 Adc) 2N3715, 2N3716

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

BE(sat)

*

—

1.5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

Base–Emitter Voltage (1)

(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) All Types

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VBE*

—

1.5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

Small Signal Current Gain

(VCE = 10 Vdc, IC = 0.5 Adc, f = 1.0 MHz) All Types

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

h

fe

4.0

—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

—

Switching Times (Figure 2)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Typ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

µs

(IC = 5.0 A, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)

Rise Time
Storage Time
Fall Time

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

t

r

t

s

t

f

0.45

0.3

0.4

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.

1.5

0.1

Figure 2. Typical Switching Times

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0

SWITCHING TIMES ( s)

µ

t

s

t

f

t

r

IB1 = I

B2

+11.5 V

ton ~ 30 µs

–9 V

TEST CIRCUIT

~4.8 ms

WAVE SHAPE

AT POINT A

IC = 5 A, IB1 = IB2 = 0.5 A
f

≈

150 cps DUTY CYCLE ≈ 2%

+30 V

6

Ω

4 W

900

Ω

100

Ω

–4 V

900

Ω

100

Ω

1 W

20

Ω

1 W

A

Hg RELAYS

+62 V –9 V

100

Ω

t

off

~1.7 ms