HE387B/HEM387B/HES387B
集成宽带放大器
典型曲线
性能特点
l 频率范围:20~400MHz
l 采用有源偏置设计提供温度补偿
l 良好的50Ω阻抗匹配,易级联使用
l 微波薄膜电路结构, 电性能稳定可靠
l 采用标准全密封管壳封装
l 满足军温工作条件:-55℃~+85℃
电性能表 (50 测试系统,V =+15V,T = ℃)
性能参数 符号 单位 规范值 典型值
频率范围
小信号功率增益 Gp d B ≥25. 0 26.0
增益平坦度 △Gp d B
噪声系数 Fn d B
输入驻波比 VSWRi - -
输出驻波比 VSWRo - -
线性输出功率 P-1 dBm
工作电流 I CCm A - - 45
注:1)“*”f =200MHz ;规范值中带“Δ”的参数为常温参数。
2)Vcc=12V下Gp下降0.4dB,P-1下降2.8dB,电流为35mA(Typ)。
如产品使用于12V情况下,请订货时说明,以便测试提供。
极限参数
最高电源电压: +17VDC
最大输入功率: +7dBm
最高储存温度: +125℃
使用说明
1.电路按右图连接,内部集成有耦合电容,
C =3.3~22uF;C =3300~6800pF;
1 2
2.高可靠用途时,管壳封装采用TO-8A
或SMO-8C;
3.可代替W-J公司A54电路;
4.可提供盒体结构(SMA输出)SMA-1封装
类型的产品;
5.外形尺寸和安装使用方法见本册附后
的《封装外形 尺寸及安装使用说明》页。
Ω -55℃~+85
f ~f
L H
CC A
MHz
20~400
≤ ±0.5
≤
3
2.0:1 Δ
≤
2.0:1 Δ
≤
20.0*
≥
1
VCC
1
4
2
IN
OUT
3
TO-8C
SMO-8C
VCC
13
2
HEM387B
IN
批号
3
SM64C
IN
Δ
.2
Δ
Δ
4
OUT
IN
1
2
3
+15V
C1
VCC
外壳
--
- -
--
- -
- -
21.0
13
HES387B
批号
C2
OUT
6
VCC
5
4
OUT
增益与频率曲线
27
25
Gain(dB)
23
20
200
Frequency(MHz)
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
400
1
驻波比与频率曲线
2.5
2.0
VSWR
1.5
VSWRi
VSWRo
20
200
Frequency(MHz)
400
射频/微波集成放大器系列
400
400
35
33
31
OIP3(dBm)
噪声与频率曲线
4.0
3.0
Fn(dB)
2.0
20
200
Frequency(MHz)
Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃
输出功率和OIP3与频率曲线
P-1
21
20
P-1(dBm)
18
20
OIP3
200
Frequency(MHz)
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