MICROCHIP PIC16F785, PIC16HV785 Technical data

PIC16F785/HV785

数据手册

采用双相异步反馈 PWM

双高速比较器和
双运算放大器的

20 引脚 8 位

CMOS 闪存单片机

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：

•Microchip的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。

•Microchip确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。

• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的
操作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。

•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。

•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “牢不可破”的。

代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视
为违反了 《数字器件千年版权法案 （Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的
软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。

提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含
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限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用
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引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命
维持和 / 或生命安全应用，一切风险由买方自负。买方同意在
由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时，会维护和保障
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商标

Microchip 名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 Accuron、
dsPIC、 K

EELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、

PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC 和
SmartShunt 均为 Microchip Technology Incorporated 在美国

及其他国家或地区的注册商标。

AmpLab、 FilterLab、 MigratableMemory、 MXDEV、
MXLAB、SEEVAL、SmartSensor 和 The Embedded Control
Solutions Company 均为 Microchip Technology Incorporated

在美国的注册商标。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、
CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、 dsPICworks、
ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 FlexROM、
fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、
Linear Active Thermistor、Mindi、MiWi、MPASM、MPLIB、
MPLINK、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、
PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、
REAL ICE、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart
Serial、 SmartTel、Total Endurance、UNI/O、 WiperLock 和
ZENA 均为 Microchip Technology Incorporated 在美国及其他

国家或地区的商标。

SQTP 是 Microchip Technology Incorporated 在美国的服务标
记。

在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
© 2006， Microchip Technology Incorporated. 版权所有。

Microchip
Gresham

晶圆生产厂均于通过了
片机、
储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合
外，

ISO 9001:2000

位于美国亚利桑那州

及位于加利福尼亚州

®

KEELOQ

跳码器件、串行

Microchip

在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了

认证。

Chandler和Tem pe

Mountain View

ISO/TS-16949:2002

EEPROM

、位于俄勒冈州

的全球总部、设计中心和

认证。公司在

、单片机外设、非易失性存

ISO/TS-16949:2002

PIC

®

8

。此

位单

DS41249D_CN 第 ii 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

20 引脚 8 位 CMOS 闪存单片机

高性能 RISC CPU：

• 仅需学习 35 条指令：

- 除跳转指令外，其余均为单周期指令

• 工作速度：

- DC – 20 MHz 振荡器输入

- DC – 200 ns 指令周期

• 中断能力

•8级深硬件堆栈

• 直接、间接和相对寻址模式

特殊单片机特性：

• 高精度内部振荡器：

- 出厂校准至 ±1%

- 软件可选择 8 MHz 至 32 kHz 的频率范围

- 可用软件调整

- 双速启动模式

- 用于关键应用的晶体故障检测

- 工作时切换时钟模式以节电

• 省电的休眠模式

• 宽工作电压范围 （2.0V-5.5V）

• 工业和扩展级温度范围

• 上电复位 （Power-on Reset， POR）

• 上电延时定时器 （Power-up Timer， PWRT）和

振荡器启振定时器 （Oscillator Start-up Timer，
OST）

• 带软件控制选择的欠压复位 （Brown-out Reset，

BOR）

• 增强型低电流看门狗定时器 （Watchdog Timer，

WDT），带有片上振荡器 （预分频器最大时，软
件可选择的标称值为 268 秒），可用软件启动

• 带上拉 / 输入引脚的复用式主清零功能

• 可编程代码保护

• 高耐久性的闪存 /EEPROM 存储单元：

- 闪存耐写次数达 100,000 次

- EEPROM 耐写次数达 1,000,000 次

- 闪存 / 数据 EEPROM 数据保存时间 > 40 年

低功耗特性：

• 待机电流：

-2.0V时典型值为 30 nA

• 工作电流：

- 32 kHz、 2.0V 时典型值 为 8.5 µA

-1 MHz、 2.0V 时典型值为 100 µA

• 看门狗定时器电流：

-2.0V时典型值为 1 µA

•Timer1振荡器电流：

- 32 kHz、 2.0V 时典型值为 2 µA

外设特性：

• 高速比较器模块，具有：

-2个独立的模拟比较器

- 片上可编程比较器参考电压 （CV

DD 的 %）

（V

-1.2V带隙参考电压

- 可从外部访问比较器输入和输出

- < 40 ns 传播延时

-2 mV失调电压，典型值

• 带有 2 个独立运放的运算放大器模块：

-3 MHz GBWP，典型值

- 可从外部访问所有 I/O 引脚

• 双相异步反馈 PWM模块：

- 带有可编程死区延时的互补输出

- 无限分辨率模拟占空比

- 用于多相 PWM 的同步输出 / 输入

- 最高 PWM 频率为 F

•A/D转换器：

-10位精度和 14 路通道 （2 路内部）

•17个 I/O 引脚和 1 个只用作输入的引脚：

- 高灌 / 拉电流能力，可直接驱动 LED

- 引脚电平变化中断

- 独立可编程弱上拉

• Timer0 ：带 有 8 位可编程预分频器的 8位定时器 / 计

数器

• 增强型 Timer1：

- 带有预分频器的 16 位定时器 / 计数器

- 外部门控输入模式

- 如果选用 INTOSC 模式，在 LP 模式下可选择
OSC1 或 OSC2 作为 Timer1 的振荡器

•Timer2：带有 8 位周期寄存器、预分频器和后分频
器的 8 位定时器 / 计数器

• 捕捉、比较和 PWM 模块：

-16位捕捉，最大精度 12.5 ns

- 比较，最大精度 200 ns

- 带有 1 路输出通道的 10 位 PWM，最高频率

20 kHz

• 通过两个引脚进行在线串行编程 （In-Circuit
Serial Programming

• 并联稳压器 （仅限 PIC16HV785）

-5V稳压

-4 mA至 50 mA 并联电流范围

OSC/2

TM

， ICSPTM）

REF）模块

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 1 页

PIC16F785/HV785

程序

存储器

器件

闪存

（字）

数据存储器

SRAM

（字节）

EEPROM

（字节）

I/O

10 位

A/D

（通道）

运放 比较器

CCP

双相

PWM

8/16 位

定时器并联稳压器

PIC16F785 2048 128 256 17+1 12+2 2 2 1 1 2/1 0

PIC16HV785 2048 128 256 17+1 12+2 2 2 1 1 2/1 1

双列直插引脚图

20 引脚 PDIP、SOIC 和 SSOP

VDD

RA5/T1CKI/OSC1/CLKIN

RA4/AN3/T1G/OSC2/CLKOUT

RA3/MCLR

RC4/C2OUT/PH2

RC3/AN7/C12IN3-/OP1

RC6/AN8/OP1-

RC7/AN9/OP1+

/VPP

RC5/CCP1

RB7/SYNC

表 1： 双列直插引脚说明

I/O

引脚 模拟 比较器 运放

RA0 19 AN0 C1IN+ — — — — IOC Y ICSPDAT

RA1 18 AN1/VREF C12IN0- — — — — IOC Y ICSPCLK

RA2 17 AN2 C1OUT — — T0CKI — INT/IOC Y —

(1)

RA3

RA4 3 AN3 — — — T1G — IOC Y OSC2/CLKOUT

RA5 2 — — — — T1CKI — IOC Y OSC1/CLKIN

RB4 13 AN10 — OP2- — — — — — —

RB5 12 AN11 — OP2+ — — — — — —

RB6

RB7 10 — — — SYNC — — — — —

RC0 16 AN4 C2IN+ — — — — — — —

RC1 15 AN5 C12IN1- — PH1 — — — — —

RC2 14 AN6 C12IN2- OP2 — — — — — —

RC3 7 AN7 C12IN3- OP1 — — — — — —

RC4 6 — C2OUT — PH2 — — — — —

RC5 5 — — — — — CCP1 — — —

RC6 8 AN8 — OP1- — — — — — —

RC7 9 AN9 — OP1+ — — — — — —

— 1 — — — — — — — — VDD

—20 — — — — — — — — VSS

注 1： 仅为输入。

4— — — ———IOC Y MCLR/VPP

(2)

11 — — — — — — — — —

2： 漏极开路。

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

PWM

20
19
18
17
16
15
14
13

PIC16F785/HV785

12
11

定时器

VSS
RA0/AN0/C1IN+/ICSPDAT
RA1/AN1/C12IN0-/V
RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT
RC0/AN4/C2IN+
RC1/AN5/C12IN1-/PH1
RC2/AN6/C12IN2-/OP2
RB4/AN10/OP2­RB5/AN11/OP2+
RB6

CCP

中断 上拉 基本

REF/ICSPCLK

DS41249D_CN 第 2 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

QFN （4x4x0.9）引脚图

20 引脚 QFN

RA4/AN3/T1G/OSC2/CLKOUT

PIC16F785/HV785

VDD

RA5/T1CKI/OSC1/CLKIN

VSSRA0/AN0/C1IN+/ICSPDAT

RA3/MCLR/VPP

RC5/CCP1

RC4/C2OUT/PH2

RC3/AN7/C12IN3-/OP1

RC6/AN8/OP1-

2019181716

1
2

3
4
5

678910

RB7/SYNC

RC7/AN9/OP1+

RB6

15
14
13
12
11

PIC16F785/HV785

RB4/AN10/OP2-

RB5/AN11/OP2+

RA1/AN1/C12IN0-/VREF/ICSPCLK
RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT
RC0/AN4/C2IN+
RC1/AN5/C12IN1-/PH1
RC2/AN6/C12IN2-/OP2

表 2： QFN 引脚说明

I/O

引脚 模拟 比较器 运放

RA0 16 AN0 C1IN+ — — — — IOC Y ICSPDAT

RA1 15 AN1/V

REF C12IN0- — — — — IOC Y ICSPCLK

RA2 14 AN2 C1OUT — — T0CKI — INT/IOC Y —

(1)

RA3

1— — — ———IOC Y MCLR/VPP

RA4 20 AN3 — — — T1G — IOC Y OSC2/CLKOUT

RA5 19 — — — — T1CKI — IOC Y OSC1/CLKIN

RB4 10 AN10 — OP2- — — — — — —

RB5 9 AN11 — OP2+ — — — — — —

(2)

RB6

8 — — — — — — — — —

RB7 7 — — — SYNC — — — — —

RC0 13 AN4 C2IN+ — — — — — — —

RC1 12 AN5 C12IN1- — PH1 — — — — —

RC2 11 AN6 C12IN2- OP2 — — — — — —

RC3 4 AN7 C12IN3- OP1 — — — — — —

RC4 3 — C2OUT — PH2 — — — — —

RC5 2 — — — — — CCP1 — — —

RC6 5 AN8 — OP1- — — — — — —

RC7 6 AN9 — OP1+ — — — — — —

— 18 — — — — — — — — VDD

—17 — — — — — — — — VSS

注 1： 仅为输入。

2： 漏极开路。

PWM

定时器

CCP

中断 上拉 基本

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 3 页

PIC16F785/HV785

目录

1.0 器件概述 ....................................................................................................................................................................................... 5

2.0 存储器构成 ................................................................................................................................................................................... 9

3.0 时钟源......................................................................................................................................................................................... 23

4.0 I/O 端口....................................................................................................................................................................................... 35

5.0 Timer0 模块 ................................................................................................................................................................................ 49

6.0 具备门控功能的 Timer1 模块 ...................................................................................................................................................... 51

7.0 Timer2 模块 ................................................................................................................................................................................ 55

8.0 捕捉 / 比较 /PWM （CCP）模块................................................................................................................................................. 57

9.0 比较器模块 ................................................................................................................................................................................. 63

10.0 参考电压 ..................................................................................................................................................................................... 70

11.0 运算放大器 （OPA）模块........................................................................................................................................................... 75

12.0 模数转换器 （A/D）模块 ............................................................................................................................................................ 79

13.0 双相 PWM................................................................................................................................................................................... 91

14.0 数据 EEPROM 存储器 .............................................................................................................................................................. 103

15.0 CPU 的特殊功能....................................................................................................................................................................... 107

16.0 稳压器....................................................................................................................................................................................... 126

17.0 指令集汇总 ............................................................................................................................................................................... 127

18.0 开发支持 ................................................................................................................................................................................... 137

19.0 电气规范 ................................................................................................................................................................................... 141

20.0 直流和交流特性图表 ................................................................................................................................................................. 163

21.0 封装信息 ................................................................................................................................................................................... 165

附录 A： 数据手册版本历史 .......................................................................................................................................................... 171

附录 B：从其他PIC® 器件移植 ................................................................................................................................................... 171

索引 .................................................................................................................................................................................................... 173

Microchip 网站.................................................................................................................................................................................... 178

变更通知客户服务 .............................................................................................................................................................................. 178

客户支持............................................................................................................................................................................................. 178

读者反馈表 ......................................................................................................................................................................................... 179

产品标识体系...................................................................................................................................................................................... 181

致客户

我们旨在提供最佳文档供客户正确使用 Microchip 产品。为此，我们将不断改进出版物的内容和质量，使之更好地满足您的要求。
出版物的质量将随新文档及更新版本的推出而得到提升。

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http://www.microchip.com

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的 A 版本。

勘误表

现有器件可能带有一份勘误表，描述了实际运行与数据手册中记载内容之间存在的细微差异以及建议的变通方法。一旦我们了解到
器件 / 文档存在某些差异时，就会发布勘误表。勘误表上将注明其所适用的硅片版本和文件版本。

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• 当地 Microchip 销售办事处 （见最后一页）

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DS41249D_CN 第 4 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

1.0 器件概述

本文档包含了 PIC16F785/HV785 的器件特定信息。其
他信息可参见 《PIC

（DS33023_CN），该参考手册可从当地 Microchip 销售

代表处获得，或者从 Microchip 网站下载。该参考手册
可视为本数据手册的补充文档，我们强烈建议阅读它，
以使读者更好地了解器件架构以及外设模块的操作。

图 1-1： PIC16F785/HV785 框图

OSC1/CLKIN

OSC2/CLKOUT

T1G

T1CKI

T0CKI

®

中档单片机系列参考手册》

程序
总线

指令寄存器

32 kHz 内部

振荡器

8 MHz 内部

振荡器

Timer0 Timer1

配置

闪存

2K X 14

程序

存储器

14

指令

译码和

控制

定时
发生

13

8

直接寻址

MCLR

INT

程序计数器

8 级深堆栈

（13 位）

上电延时

定时器

振荡器

起振定时器

上电
复位

看门狗
定时器

欠压
复位

VDD

Timer2

VSS

本数据手册涵盖 PIC16F785/HV785 器件。器件采用 20
引脚 PDIP、 SOIC、 SSOP 和 QFN 封装。图 1-1 所示
为 PIC16F785/HV785 器件的框图。表 1-1 为引脚说明。

7

RAM 地址

3

8

CCP1

数据总线

RAM

128 字节

文件

寄存器

地址 MUX

ALU

W 寄存器

CCP

9

间接

8

寻址

FSR 寄存器

STATUS 寄存器

MUX

EEDATA

256 字工

数据

EEPROM

EEADDR

8

8

PORTA

PORTB

PORTC

双

放大器

双相

PWM

RA0

RA1

RA2

RA3

RA4

RA5

RB4

RB5

RB6

RB7

RC0

RC1

RC2

RC3

RC4

RC5

RC6

RC7

OP1

OP1+

OP1-

OP2

OP2+

OP2-

PH1

PH2

SYNC

模数转换器

AN0

AN1

AN2

AN3

AN4

AN5

AN6

AN7

AN3

AN8

AN9

AN10

参考
电压

AN11

VREF

C1IN-

2 个模拟比较器

C1IN+

C1OUT

C2IN-

C2IN+

C2OUT

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 5 页

PIC16F785/HV785

表 1-1： PIC16F785/HV785 引脚说明

名称 功能

RA0/AN0/C1IN+/ICSPDAT RA0 TTL CMOS

AN0 AN —

C1IN+ AN —

ICSPDAT ST CMOS

RA1/AN1/C12IN0-/V
ICSPCLK

RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT RA2 ST CMOS

RA3/MCLR

RA4/AN3/T1G/OSC2/
CLKOUT

RA5/T1CKI/OSC1/CLKIN RA5 TTL CMOS

RB4/AN10/OP2- RB4 TTL CMOS PORTB I/O

RB5/AN11/OP2+ RB5 TTL CMOS PORTB I/O

RB6 RB6 TTL OD

RB7/SYNC RB7 TTL CMOS PORTB I/O

RC0/AN4/C2IN+ RC0 TTL CMOS PORTC I/O

图注： TTL = TTL 输入缓冲器， ST = 施密特输入缓冲器， AN = 模拟， OD = 开漏输出，

/Vpp RA3 TTL —

HV = 高电压

REF/

RA1 TTL CMOS

AN1 AN —

C12IN0- AN —

V

REF AN AN

ICSPCLK ST —

AN2 AN —

T0CKI ST —

INT ST —

C1OUT — CMOS

MCLR

V

PP HV —

RA4 TTL CMOS

AN3 AN —

T1G ST —

OSC2 — XTAL

CLKOUT — CMOS

T1CKI ST —

OSC1 XTAL —

CLKIN ST —

AN10 AN —

OP2- — AN

AN11 AN —

OP2+ — AN

SYNC ST CMOS

AN4 AN —

C2IN+ AN —

输入类型输出

类型

ST —

说明

带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA I/O
A/D 通道 0 的输入
比较器 1 的同相输入
串行编程数据 I/O
带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA I/O
A/D 通道 1 的输入
比较器 1 和 2 的同相输入
A/D 的外部参考电压，经缓冲的参考输出
串行编程时钟
带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA I/O

A/D 通道 2 的输入
Timer0 时钟输入

外部中断
比较器 1 的输出
带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA 输入
带内部上拉的主清零
编程电压
带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA I/O

A/D 通道 3 的输入
Timer1 门控
晶体 / 谐振器

F

OSC/4 输出

带可编程上拉和电平变化中断的 PORTA I/O
Timer1 时钟

晶体 / 谐振器
外部时钟输入 /RC 振荡器连接

A/D 通道 10 的输入
运放 2 的反相输入

A/D 通道 11 的输入
运放 2 的同相输入
PORTB I/O。开漏输出

主控 PWM 同步输出或从动 PWM 同步输入

A/D 通道 4 的输入
比较器 2 的同相输入

DS41249D_CN 第 6 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

表 1-1： PIC16F785/HV785 引脚说明 （续）

名称 功能

RC1/AN5/C12IN1-/PH1 RC1 TTL CMOS PORTC I/O

AN5 AN —

C12IN1- AN —

PH1 — CMOS

RC2/AN6/C12IN2-/OP2 RC2 TTL CMOS PORTC I/O

AN6 AN —

C12IN2- AN —

OP2 — AN

RC3/AN7/C12IN3-/OP1 RC3 TTL CMOS PORTC I/O

AN7 AN —

C12IN3- AN —

OP1 — AN

RC4/C2OUT/PH2 RC4 TTL CMOS PORTC I/O

C2OUT — CMOS

PH2 — CMOS

RC5/CCP1 RC5 TTL CMOS PORTC I/O

CCP1 ST CMOS

RC6/AN8/OP1- RC6 TTL CMOS PORTC I/O

AN8 AN —

OP1- AN —

RC7/AN9/OP1+ RC7 CMOS PORTC I/O

AN9 AN —

OP1+ AN —

V

SS VSS

VDD VDD

图注： TTL = TTL 输入缓冲器， ST = 施密特输入缓冲器， AN = 模拟， OD = 开漏输出，

HV = 高电压

输入类型输出

类型

电源
电源

—

—

说明

A/D 通道 5 的输入
比较器 1 和 2 的反相输入

PWM 第 1 相的输入

A/D 通道 6 的输入

比较器 1 和 2 的反相输入
运放 2 的输出

A/D 通道 7 的输入
比较器 1 和 2 的反相输入
运放 1 的输出

比较器 2 的输出
PWM 第 2 相的输出

捕捉输入 / 比较输出

A/D 通道 8 的输出
运放 1 的反相输入

A/D 通道 9 的输入
运放 1 的同相输入
接地参考
正电源

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 7 页

PIC16F785/HV785

注：

DS41249D_CN 第 8 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

2.0 存储器构成

2.1 程序存储器构成

PIC16F785/HV785 器件具有一个 13 位程序计数器，能
够寻址 8K x 14 的程序存储空间。只有 PIC16F785/
HV785 的第一个 2K x 14 （0000h-07FFh）是物理实
现的。访问超出上述界限的存储单元，将回到原来的第
一个 2K x 14 空间内。复位向量位于 0000h，而中断向
量位于 0004h （见图 2-1）。

图 2-1： PIC16F785/HV785 的程序存储器映

射图和堆栈

CALL, RETURN
RETFIE, RETLW

片上程序存储器

PC<12:0>

1 级堆栈
2 级堆栈

8 级堆栈

复位向量

中断向量

13

000h

0004

0005

07FFh

0800h

1FFFh

2.2 数据存储器构成

数据存储器 （见图 2-2）分为四个存储区 （Bank）， 这
四个存储区中包含通用寄存器 （General Purpose

Register，GPR）和特殊功能寄存器（Special Function
Register，SFR）。特殊功能寄存器位于每个存储区的前
32 个单元中。Bank 0 的寄存器单元 20h-7Fh 和 Bank 1
的 A0h-BFh 是通用寄存器，以静态 RAM 的形式实现。
Bank 1（F0h-FFh）、Bank 2（170h-17Fh）和 Bank 3

（1F0h-1FFh）中的最后十六个寄存器单元指向 Bank 0

中的地址 70h-7Fh。所有其他 RAM 均未使用，读取时
返回 0。

访问数据存储器存储区的任何单元需要七个地址位。访
问四个存储区则还需要额外两个地址位。直接访问数据
存储器时，地址位的低 7 位包含在操作码中，高 2 位包
含在状态 （STATUS）寄存器中。RP0 和 RP1

（STATUS<5> 和 STATUS<6>）是数据存储器地址位的

高 2 位，也是存储区选择位。表 2-1 列出了如何访问寄
存器的 4 个存储区。

表 2-1： 存储区选择

RP1 RP0

Bank 0 00

Bank 1 01

Bank 2 10

Bank 3 11

2.2.1 通用寄存器文件

PIC16F785/HV785的寄存器文件存储区组织为128 x 8。

每个寄存器可以通过操作码包含的 7 位地址直接访问，
也可以通过文件选择寄存器 （File Select Register，
FSR）间接访问。使用 FSR 访问数据存储器时，数据存
储器地址位的低 8 位包含在 FSR 中，而第 9 个最高位包
含在状态寄存器的 IRP 位（STATUS<7>）中 （ 见 第 2.4
节）。

2.2.2 特殊功能寄存器

特殊功能寄存器为 CPU 和外设模块用来控制器件进行
所需操作的寄存器 （见表 2-2）。这些寄存器皆为静态
RAM。

特殊功能寄存器可分为两类，即：内核和外设。本节将
介绍与 “内核”相关的特殊功能寄存器。与外设模块相
关的特殊功能寄存器将在相应的外设模块功能章节中介
绍。

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 9 页

PIC16F785/HV785

图 2-2： PIC16F785/HV785 的数据存储器映射图

文件 文件 文件 文件

(1)

间接寻址

TMR0 01h OPTION_REG 81h TMR0 101h OPTION_REG 181h

PCL 02h PCL 82h PCL 102h PCL 182h

STATUS 03h STATUS 83h STATUS 103h STATUS 183h

FSR 04h FSR 84h FSR 104h FSR 184h
PORTA 05h TRISA 85h PORTA 105h TRISA 185h
PORTB 06h TRISB 86h PORTB 106h TRISB 186h

PORTC 07h TRISC 87h PORTC 107h TRISC 187h

PCLATH 0Ah PCLATH 8Ah PCLATH 10Ah PCLATH 18Ah
INTCON 0Bh INTCON 8Bh INTCON 10Bh INTCON 18Bh

PIR1 0Ch PIE1 8Ch

TMR1L 0Eh PCON 8Eh
TMR1H 0Fh OSCCON 8Fh
T1CON 10h OSCTUNE 90h PWMCON1 110h

TMR2 11h ANSEL0 91h PWMCON0 111h 191h

T2CON 12h PR2 92h PWMCLK 112h

CCPR1L 13h ANSEL1 93h PWMPH1 113h

CCPR1H 14h 94h PWMPH2 114h 194h

CCP1CON 15h WPUA 95h

WDTCON 18h REFCON 98h

ADRESH 1Eh ADRESL 9Eh
ADCON0 1Fh ADCON1 9Fh

00h

08h 88h 108h 188h
09h 89h 109h 189h

0Dh 8Dh 10Dh 18Dh

16h IOCA 96h 116h 196h
17h 97h 117h 197h

19h VRCON 99h CM1CON0 119h 199h
1Ah EEDAT 9Ah CM2CON0 11Ah 19Ah
1Bh EEADR 9Bh CM2CON1 11Bh 19Bh
1Ch EECON1 9Ch OPA1CON 11Ch 19Ch

1Dh EECON2

20h

间接寻址

通用寄存器

地址地址 地址 地址

(1)

80h

(1)

9Dh OPA2CON 11Dh 19Dh

A0h

间接寻址

(1)

100h

10Ch PIE1 18Ch

10Eh 18Eh
10Fh 18Fh

115h 195h

118h 198h

11E h 19Eh
11F h 19Fh
120h 1A0h

间接寻址

(1)

180h

190h

192h
193h

通用寄存器

96 字节

6Fh
70h
7Fh FFh 17Fh 1FFh

Bank 0 Bank 1 Bank 2 Bank 3

未实现数据存储器单元，读为 0。

注 1：非物理寄存器。

DS41249D_CN 第 10 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

32 字节

访问

Bank 0

BFh
C0h

EFh 16Fh 1EFh
F0h

访问

Bank 0

170h

访问

Bank 0

1F0h

PIC16F785/HV785

表 2-2： PIC16F785/HV785 特殊功能寄存器汇总， BANK 0

地址 名称

Bank 0

00h INDF

01h TMR0

02h PCL

03h STATUS IRP RP1 RP0 TO

04h FSR

05h PORTA

06h PORTB

07h PORTC

08h —

09h —

0Ah PCLATH

0Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RAIE T0IF INTF RAIF 0000 0000 17,114

0Ch PIR1

0Dh —

0Eh TMR1L

0Fh TMR1H

10h T1CON T1GINV TMR1GE T1CKPS1 T1CKPS0 T1OSCEN T1SYNC

11h

TMR2 Timer2 模块寄存器 0000 0000 55,114

12h

T2CON — TOUTPS3 TOUTPS2 TOUTPS1 TOUTPS0 TMR2ON T2CKPS1 T2CKPS0 -000 0000 55,114

13h

CCPR1L

14h

CCPR1H

15h

CCP1CON

16h —

17h —

18h WDTCON

19h —

1Ah —

1Bh —

1Ch —

1Dh —

1Eh ADRESH

1Fh ADCON0 ADFM VCFG CHS3 CHS2 CHS1 CHS0 GO/DONE

图注： – = 未实现单元读为 0， u = 不变， x = 未知， q = 取值视具体情况而定，阴影 = 未实现
注 1： 复位后，即使数据锁存值未定义 （POR）或不变 （其他复位），由 ANSEL0 和 ANSEL1 寄存器控制的具有模拟功能的引脚也会立即读

为 0。

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

寻址此单元使用 FSR 的内容寻址数据存储器 （非物理寄存器）

Timer0 模块寄存器

程序计数器 （Program Counter， PC）的低位字节

PD ZDCC0001 1xxx 15,114

间接数据存储器地址指针

(1)

(1)

(1)

— — RA5 RA4 RA3 RA2 RA1 RA0 --x0 x000 35,114

RB7 RB6 RB5 RB4 — — — — xx00 ---- 42,114

RC7 RC6 RC5 RC4 RC3 RC2 RC1 RC0 00xx 0000 45,114

未实现

未实现

— — —

EEIF ADIF CCP1IF C2IF C1IF OSFIF TMR2IF TMR1IF 0000 0000 19,114

未实现

16 位 TMR1 低位字节的保持寄存器

16 位 TMR1 高位字节的保持寄存器

捕捉 / 比较 /PWM 寄存器 1 低位字节

捕捉 / 比较 /PWM 寄存器 1 高位字节

— —

未实现

未实现

— — —

未实现

未实现

未实现

未实现

未实现

左对齐 A/D 结果的高 8 位或右对齐 A/D 结果的高 2 位

DC1B1 DC1B0 CCP1M3 CCP1M2 CCP1M1 CCP1M0 --00 0000

程序计数器高 5 位的写缓冲器

TMR1CS TMR1ON 0000 0000

WDTPS3 WDTPS2 WDTPS1 WDTPS0 SWDTEN

ADON 0000 0000

POR/BOR

时的值

xxxx xxxx 22,114
xxxx xxxx 49,114
0000 0000 21,114

xxxx xxxx 22,114

— —

— —

---0 0000 21,114

— —

xxxx xxxx 52,114
xxxx xxxx 52,114

53,114

xxxx xxxx

xxxx xxxx

— —

— —

---0 1000

— —

— —

— —

— —

— —

xxxx xxxx 81,114

58,114

58,114

58,114

122,114

83,114

页

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 11 页

PIC16F785/HV785

表 2-3： PIC16F785/HV785 特殊功能寄存器汇总， BANK 1

地址 名称

Bank 1

80h INDF

81h OPTION_REG RAPU

82h PCL

83h STATUS IRP RP1 RP0 TO

84h FSR

85h TRISA

86h TRISB TRISB7 TRISB6 TRISB5 TRISB4

87h TRISC TRISC7 TRISC6 TRISC5 TRISC4 TRISC3 TRISC2 TRISC1 TRISC0 1111 1111 45,114

88h —

89h —

8Ah PCLATH

8Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RAIE T0IF INTF RAIF 0000 0000 17,114

8Ch PIE1 EEIE ADIE CCP1IE C2IE C1IE OSFIE TMR2IE TMR1IE 0000 0000 18,114

8Dh —

8Eh PCON

8Fh OSCCON

90h OSCTUNE

91h ANSEL0 ANS7 ANS6 ANS5 ANS4 ANS3 ANS2 ANS1 ANS0 1111 1111 82,114

92h PR2

93h ANSEL1

94h —

95h WPUA

96h IOCA

97h —

98h REFCON

99h VRCON C1VREN C2VREN VRR

9Ah EEDAT EEDAT7 EEDAT6 EEDAT5 EEDAT4 EEDAT3 EEDAT2 EEDAT1 EEDAT0 0000 0000 103,114

9Bh EEADR EEADR7 EEADR6 EEADR5 EEADR4 EEADR3 EEADR2 EEADR1 EEADR0 0000 0000 103,114

9Ch EECON1

9Dh EECON2

9Eh ADRESL

9Fh ADCON1

图注： – = 未实现单元读为 0， u = 不变， x = 未知， q = 取值视具体情况而定，阴影 = 未实现
注 1： 双速启动且选取 LP、 XT 或 HS 为振荡器模式时，或者故障保护模式使能时，该位将复位为 0，否则将复位为 1。

2： 当 MCLRE 在配置字中设置为 1 时， RA3 上拉使能。

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

寻址此单元使用 FSR 的内容寻址数据存储器 （非物理寄存器）

INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0 1111 1111 16,114

程序计数器 （PC）的低位字节

PD ZDCC0001 1xxx 15,114

间接数据存储器地址指针

— — TRISA5 TRISA4 TRISA3 TRISA2 TRISA1 TRISA0 --11 1111 35,114

— — — — 1111 ---- 42,114

未实现

未实现

— — —

未实现

— — — SBOREN — —PORBOR ---1 --qq 20,114

— IRCF2 IRCF1 IRCF0 OSTS
— — — TUN4 TUN3 TUN2 TUN1 TUN0 ---0 0000 28,114

Timer2 模块周期寄存器

— — — — ANS11 ANS10 ANS9 ANS8 ---- 1111 82,114

未实现

— — WPUA5 WPUA4 WPUA3

— — IOCA5 IOCA4 IOCA3 IOCA2 IOCA1 IOCA0 --00 0000 37,114

未实现

— — BGST VRBB VREN VROE CVROE — --00 000- 72,114

— — — — WRERR WREN WR RD ---- x000 104,114

EEPROM 控制寄存器 2 （不是实际存在的寄存器）

左对齐 A/D 结果的低 2 位或右对齐 A/D 结果的低 8 位

— ADCS2 ADCS1 ADCS0 — — — — -000 ---- 84,114

程序计数器高 5 位的写缓冲器

(1)

HTS LTS SCS -110 q000 33,114

(2)

WPUA2 WPUA1 WPUA0 --11 1111 36,114

— VR3 VR2 VR1 VR0 000- 0000 71,114

POR/BOR

时的值

xxxx xxxx 22,114

0000 0000 21,114

xxxx xxxx 22,114

— —

— —

---0 0000 21,114

— —

1111 1111 55,114

— —

— —

---- ---- 104,114

xxxx xxxx 81,114

页

DS41249D_CN 第 12 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

表 2-4： PIC16F785/HV785 特殊功能寄存器汇总， BANK 2

地址 名称

Bank 2

100h INDF

101h TMR0

102h PCL

103h STATUS IRP RP1 RP0 TO

104h FSR

105h PORTA

106h PORTB

107h PORTC

108h —

109h —

10Ah PCLATH

10Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RAIE T0IF INTF RAIF 0000 0000 17,114

10Ch —

10Dh —

10Eh —

10Fh —

110h

PWMCON1 — COMOD1 COMOD0 CMDLY4 CMDLY3 CMDLY2 CMDLY1 CMDLY0 -000 0000 101,114

111h

PWMCON0 PRSEN PASEN BLANK2 BLANK1 SYNC1 SYNC0 PH2EN PH1EN 0000 0000 93,114

112h

PWMCLK PWMASE PWMP1 PWMP0 PER4 PER3 PER2 PER1 PER0 0000 0000 94,114

113h PWMPH1 POL C2EN C1EN PH4 PH3 PH2 PH1 PH0 0000 0000 95,114

114h PWMPH2 POL C2EN C1EN PH4 PH3 PH2 PH1 PH0 0000 0000 96,114

115 h —

116 h —

117 h —

118 h —

119h CM1CON0 C1ON C1OUT C1OE C1POL C1SP C1R C1CH1 C1CH0 0000 0000 65,114

11Ah CM2CON0 C2ON C2OUT C2OE C2POL C2SP C2R C2CH1 C2CH0 0000 0000 67,114

11Bh CM2CON1 MC1OUT MC2OUT

11Ch OPA1CON OPAON

11Dh OPA2CON OPAON

11E h —

11F h —

图注： – = 未实现单元读为 0， u = 不变， x = 未知， q = 取值视具体情况而定，阴影 = 未实现
注 1： 复位后，即使数据锁存值未定义 （POR）或不变 （其他复位），由 ANSEL0 和 ANSEL1 寄存器控制的具有模拟功能的引脚也会立即读为

0。

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

寻址此单元使用 FSR 的内容寻址数据存储器 （不是实际存在的寄存器）

Timer0 模块寄存器

程序计数器 （PC）的低位字节

PD ZDCC0001 1xxx 15,114

间接数据存储器地址指针

(1)

(1)

(1)

— — RA5 RA4 RA3 RA2 RA1 RA0 --x0 x000 35,114

RB7 RB6 RB5 RB4 — — — — xx00 ---- 42,114

RC7 RC6 RC5 RC4 RC3 RC2 RC1 RC0 00xx 0000 45,114

未实现

未实现

— — —

未实现

未实现

未实现

未实现

未实现

未实现

未实现

未实现

— — — — — — — 0--- ---- 76,114

— — — — — — — 0--- ---- 76,114

未实现

未实现

程序计数器高 5 位的写缓冲器

— — — — T1GSS C2SYNC 00-- --10 68,114

POR/BOR

时的值

xxxx xxxx 22,114
xxxx xxxx 49,114
0000 0000 21,114

xxxx xxxx 22,114

— —

— —

---0 0000 21,114

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

页

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 13 页

PIC16F785/HV785

表 2-5： PIC16F785/HV785 特殊功能寄存器汇总， BANK 3

地址 名称

Bank 3

180h INDF

181h OPTION_REG RAPU

182h PCL

183h STATUS IRP RP1 RP0 TO

184h FSR

185h TRISA

186h TRISB TRISB7 TRISB6 TRISB5 TRISB4

187h TRISC TRISC7 TRISC6 TRISC5 TRISC4 TRISC3 TRISC2 TRISC1 TRISC0 1111 1111 45,114

188h —

189h —

18Ah PCLATH

18Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RAIE T0IF INTF RAIF 0000 0000 17,114

18Ch PIE1 EEIE ADIE CCP1IE C2IE C1IE OSFIE TMR2IE TMR1IE 0000 0000 18,114

18Dh —

18Eh —

18Fh —

190h —

191h —

192h —

193h —

194h —

195h —

196h —

197h —

198h —

199h —

19Ah —

19Bh —

19Ch —

19Dh —

19Eh —

19Fh —
图注： – = 未实现单元读为 0， u = 不变， x = 未知， q = 取值视具体情况而定，阴影 = 未实现

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

寻址此单元使用 FSR 的内容寻址数据存储器 （不是实际存在的寄存器）

INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0 1111 1111 16,114

程序计数器 （PC）的低位字节

PD ZDCC0001 1xxx 15,114

间接数据存储器地址指针

— — TRISA5 TRISA4 TRISA3 TRISA2 TRISA1 TRISA0 --11 1111 36,114

— — — — 1111 ---- 42,114

未实现
未实现

— — —

未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现
未实现

程序计数器高 5 位的写缓冲器

POR/BOR

时的值

xxxx xxxx 22,114

0000 0000 21,114

xxxx xxxx 22,114

— —

— —

---0 0000 21,114

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

— —

页

DS41249D_CN 第 14 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

2.2.2.1 STATUS 寄存器

状态（STATUS）寄存器包含 ALU 的算术运算结果状态
位、复位状态位以及数据存储器 （SRAM）的存储区选
择位。

状态寄存器与其他寄存器一样，可作为任何指令的目标
寄存器。如果一条影响 Z、 DC 或 C 位的指令以状态寄
存器为目标寄存器，那么对这三个位的写操作将被禁
止。这些位根据器件逻辑来置 1 或清零。而且， TO

PD

标志位均为不可写位。因此，当执行一条将状态寄

存器作为目标寄存器的指令时，运行结果可能会与预想
的不同。

和

例如，指令 CLRF STATUS 将会清除状态寄存器中的高
三位，并将 Z 标志位置 1。这将使状态寄存器中的值成
为“000u u1uu”（其中 u = 不变）。

因此，若要改变状态寄存器的值，建议使用 BCF、BSF、
SWAPF和MOVWF指令，因为这些指令将不会影响任何状
态位。关于其他不会影响状态位的指令，请参见第 17.0
节 “指令集汇总”。

注： 在减法运算时，C 和 DC 位分别作为借位位

和半借位
令中的示例。

位。请参见 SUBLW 和 SUBWF 指

寄存器 2-1： STATUS：状态寄存器 （地址：03h、 83h、 103h 或 183h）

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R-1 R-1 R/W-x R/W-x R/W-x

IRP RP1 RP0 TO PD ZDC

bit 7 bit 0

bit 7

bit 6-5

bit 4

bit 3

bit 2

bit 1

bit 0

IRP：寄存器存储区选择位 （用于间接寻址）

1 = Bank 2,3 （100h － 1FFh）
0 = Bank 0,1 （00h － FFh）

RP<1:0>：寄存器存储区选择位 （用于直接寻址）

11 = Bank 3 （180h － 1FFh）
10 = Bank 2 （100h － 17Fh）
01 = Bank 1 （80h － FFh）
00 = Bank 0 （00h － 7Fh）

TO

：超时位

1 = 在上电复位、执行 CLRWDT 或 SLEEP 指令后
0 = 产生了 WDT 超时

PD：掉电位

1 = 上电或执行 CLRWDT 指令后
0 = 执行 SLEEP 指令

Z：零标志位

1 = 算术运算或者逻辑运算的结果是 0
0 = 算术运算或者逻辑运算的结果不是 0

DC：半进位 / 借位
对于借位

1 = 运算结果的低 4 位向高 4 位产生进位
0 = 运算结果的低 4 位向高 4 位没有产生进位

C：进位 / 借位

1 = 运算结果产生来自最高位的进位
0 = 运算结果没有产生来自最高位的进位

，极性相反。

位（ADDWF、 ADDLW、 SUBLW 和 SUBWF 指令）

位（ADDWF、 ADDLW、 SUBLW 和 SUBWF 指令）

(1)

(1)

(1)

(1)

C

注 1： 对于借位，极性相反。减法操作的执行是通过加上第二个操作数的二进制补码

（Two's Complement）来实现的。对于移位指令 （RRF 和 RLF），是把源寄存器的

最高位或最低位放入 C 中。

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

 2006 Microchip Technology Inc. 初稿 DS41249D_CN 第 15 页

PIC16F785/HV785

2.2.2.2 OPTION_REG 寄存器

选项 （Option）寄存器是可读写寄存器，包括各种用以
配置 TMR0/WDT 预分频比、外部 RA2/INT 中断、TMR0
和 PORTA 上的弱上拉的控制位。

寄存器 2-2： OPTION_REG：选项寄存器 （地址：81h 或 181h）

R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1

RAPU INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0

bit 7 bit 0

注： 要使 TMR0 获得 1:1 的预分频比，可将 PSA

位（OPTION_REG<3>）置为 1，以将预
分频器分配给 WDT。请参见第 5.4 节“预
分频器”。

bit 7

bit 6

bit 5

bit 4

bit 3

bit 2-0 PS<2:0>：预分频比选择位

RAPU

：PORTA 上拉使能位

1 = 禁止 PORTA 上拉
0 = 通过 WPUA 寄存器中单独的端口锁存值使能 PORTA 上拉

INTEDG：中断触发边沿选择位

1 = RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 引脚的上升沿触发中断
0 = RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 引脚的下降沿触发中断

T0CS：TMR0 时钟源选择位

1 = RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 引脚上的电平跳变
0 = 内部指令周期时钟 （CLKOUT）

T0SE：TMR0 信号源边沿选择位

1 = 在 RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 引脚信号从高至低跳变时，递增计数
0 = 在 RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 引脚信号从低至高跳变时，递增计数

PSA：预分频器分配控制位

1 = 预分频器分配给 WDT
0 = 预分频器分配给 Timer0 模块

位值 TMR0 比率 WDT 比率

000
001
010
011
100
101
110
111

1 : 2
1 : 4
1 : 8
1 : 16
1 : 32
1 : 64
1 : 128
1 : 256

(1)

1 : 1
1 : 2
1 : 4
1 : 8
1 : 16
1 : 32
1 : 64
1 : 128

注 1： PIC16F785/HV785 有一个专用的 16 位 WDT 后分频器。更多信息，请参见第 15.5

节 “看门狗定时器 （WDT）”。

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

DS41249D_CN 第 16 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

2.2.2.3 INTCON 寄存器

中断控制 （INTCON）寄存器是可读写的寄存器，包含
TMR0 寄存器溢出、PORTA 电平变化和外部 RA2/INT 引
脚中断等各种使能控制位和标志位。

注： 当中断条件满足时，无论相应中断允许位

或全局中断允许位 GIE（INTCON<7>）的
状态如何，中断标志位都将被置 1。用户程
序应确保在重新允许中断之前，相应的中
断标志位已被清零。

寄存器 2-3： INTCON：中断控制寄存器 （地址：0Bh、 8Bh、 10Bh 或 183h）

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

bit 7

bit 6

bit 5

bit 4

bit 3

bit 2

bit 1

bit 0

GIE PEIE T0IE INTE RAIE

bit 7 bit 0

GIE：全局中断允许位

1 = 允许所有非屏蔽中断
0 = 禁止所有中断

PEIE：外设中断允许位

1 = 允许所有非屏蔽外设中断
0 = 禁止所有外设中断

T0IE：TMR0 溢出中断允许位

1 = 允许 TMR0 中断
0 = 禁止 TMR0 中断

INTE：RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断允许位

1 = 允许 RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断
0 = 禁止 RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断

RAIE： PORTA 电平变化中断允许位

1 = 允许 PORTA 电平变化中断
0 = 禁止 PORTA 电平变化中断

T0IF：TMR0 溢出中断标志位

1 = TMR0 寄存器溢出 （必须用软件清零）
0 = TMR0 寄存器没有溢出

INTF： RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断标志位

1 = RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断已经发生 （必须用软件清零）
0 = RA2/AN2/T0CKI/INT/C1OUT 外部中断没有发生

RAIF： PORTA 电平变化中断标志位

1 = 至少有一个 PORTA<5:0> 引脚状态发生变化时 （必须用软件清零）
0 = PORTA <5:0> 引脚状态均未发生变化

注 1： IOCA 寄存器也必须被使能。

2： 当 Timer0 计数出现计满返回时， T0IF 位将被置 1。 Timer0 计数值在复位时不变，

而且应在清零 T0IF 位之前被初始化。

(1)

(2)

(1)

T0IF

(2)

INTF RAIF

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

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PIC16F785/HV785

2.2.2.4 PIE1 寄存器

外设中断允许寄存器 1 包含中断允许位，如寄存器 2-4
所示。

寄存器 2-4： PIE1：外设中断允许寄存器 1 （地址：8Ch）

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

EEIE ADIE CCP1IE C2IE C1IE OSFIE TMR2IE TMR1IE

bit 7 bit 0

注： 必须将 PEIE （INTCON<6>）位置 1，以

允许外设中断。

bit 7

bit 6

bit 5

bit 4

bit 3

bit 2

bit 1

bit 0

EEIE：EE 写完成中断允许位

1 = 允许 EE 写完成中断
0 = 禁止 EE 写完成中断

ADIE：A/D 转换器中断允许位

1 = 允许 A/D 转换器中断
0 = 禁止 A/D 转换器中断

CCP1IE： CCP1 中断允许位

1 = 允许 CCP1 中断
0 = 禁止 CCP1 中断

C2IE：比较器 2 中断允许位

1 = 允许比较器 2 中断
0 = 禁止比较器 2 中断

C1IE：比较器 1 中断允许位

1 = 允许比较器 1 中断
0 = 禁止比较器 1 中断

OSFIE：振荡器故障中断允许位

1 = 允许振荡器故障中断
0 = 禁止振荡器故障中断

TMR2IE： TMR2 到 PR2 匹配中断允许位

1 = 允许 Timer2 到 PR2 匹配中断
0 = 禁止 Timer2 到 PR2 匹配中断

TMR1IE： Timer1 溢出中断允许位

1 = 允许 Timer1 溢出中断
0 = 禁止 Timer1 溢出中断

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

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PIC16F785/HV785

2.2.2.5 PIR1 寄存器

外设中断 （PIR1）寄存器包含中断标志位，如寄存器 2-5
所示。

寄存器 2-5： PIR1：外设中断寄存器 1 （地址：0Ch）

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

EEIF ADIF CCP1IF C2IF C1IF OSFIF TMR2IF TMR1IF

bit 7 bit 0

注： 当中断条件满足时，无论相应中断允许位

或全局中断允许位 GIE（INTCON<7>）的
状态如何，中断标志位都将被置 1。用户程
序应确保在重新允许中断之前，相应的中
断标志位已被清零。

bit 7

bit 6

bit 5

bit 4

bit 3

bit 2

bit 1

bit 0

EEIF：EEPROM 写操作中断标志位

1 = 写操作完成 （必须用软件清零）
0 = 写操作未完成或尚未开始

ADIF： A/D 中断标志位

1 = A/D 转换完成
0 = A/D 转换未完成或尚未开始

CCP1IF： CCP1 中断标志位
捕捉模式

1 = TMR1 寄存器发生捕捉中断 （必须用软件清零）
0 = TMR1 寄存器未发生捕捉中断

比较模式：

1 = TMR1 寄存器发生比较匹配中断 （必须用软件清零）
0 = TMR1 寄存器未发生比较匹配中断

PWM

在此模式中未使用。
C2IF： 比较器 2 中断标志位

1 = 比较器 2 输出已经改变 （必须用软件清零）
0 = 比较器 2 输出没有变化

C1IF： 比较器 1 中断标志位

1 = 比较器 1 输出已经改变 （必须用软件清零）
0 = 比较器 1 输出没有变化

OSFIF： 振荡器故障中断标志位

1 = 系统振荡器发生故障，时钟输入切换至 INTOSC （必须用软件清零）
0 = 系统时钟工作正常

TMR2IF： TMR2 到 PR2 匹配中断标志位

1 = 发生 TMR2 和 PR2 匹配中断 （必须用软件清零）
0 = 未发生 Timer2 和 PR2 匹配中断

TMR1IF： Timer1 溢出中断标志位

1 = Timer1 寄存器溢出 （必须用软件清零）
0 = Timer1 未溢出

：

模式：

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

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PIC16F785/HV785

2.2.2.6 PCON 寄存器

电源控制（PCON）寄存器包含用以区分上电复位

（POR）、欠压复位 （BOR）、看门狗定时器 （WDT）

复位 （WDT）以及外部 MCLR 复位的标志位。

寄存器 2-6： PCON：电源控制寄存器 （地址：8Eh）

U-0 U-0 U-0 R/W-1 U-0 U-0 R/W-0 R/W-x

— — — SBOREN

bit 7 bit 0

(1)

— —PORBOR

bit 7-5

bit 4

bit 3-2

bit 1

bit 0

未实现：读为 0
SBOREN：软件 BOR 使能位

1 = 使能 BOR
0 = 禁止 BOR

未实现：读为 0

POR

：上电复位状态位

1 = 无上电复位发生
0 = 发生上电复位 （上电复位发生后，必须用软件置 1）

：欠压复位状态位

BOR

1 = 无欠压复位发生
0 = 发生欠压复位 （欠压复位发生后，必须用软件置 1）

注 1： 配置字中的 BOREN<1:0> = 01 时，该位控制 BOR

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

(1)

。

DS41249D_CN 第 20 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

2.3 PCL 和 PCLATH

程序计数器 （PC）指定取指令并执行的地址。程序计
数器（PC）为 13 位宽。其低位称为 PCL 寄存器。PCL
寄存器是可读写的寄存器。PC 的高位（PC<12:8>）称
为 PCH 寄存器。该寄存器包含的 PC<12:8> 位不能直
接读写。对 PCH 寄存器的所有更新必须通过 PCLATH
寄存器。

只要发生复位，PC 就将被清零。图 2-3 显示了装载 PC
值的两种情形。图 2-3 上方的例子说明在写 PCL

（PCLATH<4:0> → PCH）时是如何装载 PC 的。图 2-3

下方的例子说明了在执行 CALL 或 GOTO 指令期间

（PCLATH<4:3> → PCH），是如何装载 PC 的。

2.3.1 修改 PCL

以 PCL 寄存器作为目标寄存器执行任何指令，会同时使
程序计数器 PC<12:8> 位（PCH）被 PCLATH 寄存器
的内容所取代。这使得可通过先将所需的高 5 位数据写
入 PCLATH 寄存器，来改变程序计数器的整个内容。当
低 8 位随后被写入 PCL 寄存器时，程序计数器的所有
13 位将更改为 PCLATH 寄存器包含的值以及写入 PCL
寄存器中的值。

计算 GOTO 指令是通过向程序计数器加入偏移量

（ADDWF PCL）来实现的。当通过修改 PCL 寄存器跳

转到查找表或程序分支表 （计算 GOTO）时，应格外小
心。假设将 PCLATH 设置为表的起始地址，如果表的长
度大于 255 条指令，或存储器地址的低 8 位在表的中间
从 0xFF 返回 0x00，则在表中的表开始和目标单元之间
每次发生地址返回时， PCLATH 均必须递增。

更多信息，请参见应用笔记 AN556 “Implementing a

Table Read”（ DS00556）。

2.3.2 程序存储器页

CALL和GOTO指令提供了11 位地址，以允许在任何2K程
序存储器页内跳转。使用 CALL 或 GOTO 指令时，地址
的最高有效位由 PCLATH<4:3> （页选择位）提供。使
用 CALL 或 GOTO 指令时，用户必须确保已对页选择位
编程，以便寻址时访问到所需的目标程序存储器页。执
行 CALL 指令（或中断）时，PC 返回地址的全部 13 位

压入 （

都将被
栈中

弹出 （

要对 PCLATH<4:3> 位进行操作。

PUSH）堆栈。因此，对于 （将地址从堆

POP）的） RETURN 或 RETFIE 指令，不需

图 2-3： 不同情况下 PC 的装载

PCH PCL

12 8 7 0

PC

PCLATH<4:0>

5

PCLATH

PCH PCL

12 11 10 0

PC

2

87

PCLATH<4:3>

PCLATH

11

8

以 PCL 为目标
寄存器的指令

ALU 运算结果

GOTO, CALL

操作码 <10:0>

2.3.3 堆栈

PIC16F785/HV785 系列具有 8 级深 x 13 位宽的硬件

堆栈（见图 2-1）。堆栈空间既不占用程序存储区空间，
也不占用数据存储区空间，而且堆栈指针是不可读写
的。当执行 CALL 指令或当中断导致程序跳转时，PC 值
将被压入堆栈。而在执行 RETURN、 RETLW 或 RETFIE
指令时，堆栈中的断点地址将从堆栈中弹出到 PC 中。
PCLATH 不受 PUSH 或 POP 操作的影响。

堆栈的工作原理犹如循环缓冲区。这意味着当堆栈压栈
8 次后，第 9 次压栈的数值将会覆盖第一次压栈时所保
存的数值，而第十次压栈数值将覆盖第二次压栈时保存
的数值，以后依次类推。

注 1： 不存在指明堆栈是否上溢或下溢的状态标

志位。

2： 不存在被称为 PUSH 或 POP 的指令 / 助记

符。堆栈的压入或弹出是源于执行了
CALL、RETURN、RETLW 和 RETFIE 指令，
或源于指向中断向量地址。

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PIC16F785/HV785

2.4 间接寻址、 INDF 和 FSR 寄存器

INDF 寄存器不是实际存在的寄存器，对 INDF 寄存器进
行寻址将产生间接寻址。

使用 INDF 寄存器可进行间接寻址。任何使用 INDF 寄
存器的指令，实际上是对文件选择寄存器（FSR）所 指
向的数据进行存取。间接对 INDF 进行读操作将返回
00h。间接对 INDF 寄存器进行写操作将导致空操作（尽
管可能会影响状态标志位）。通过将 8 位的 FSR 寄存器
与 IRP 位（ STATUS<7>）进行组合可得到一个有效的 9
位地址，如图 2-4 所示。

图 2-4：直接/ 间接寻址 PIC16F785/HV785

RP1

RP0

存储区选择 存储单元选择

6

来自操作码

00H

0

00 01 10 11

例 2-1 给出了一个使用间接寻址将 RAM 地址单元 20h­2Fh 清零的简单程序。

例 2-1： 间接寻址

MOVLW 0x20 ;initialize pointer
MOVWF FSR ;to RAM

NEXT CLRF INDF ;clear INDF register

CONTINUE ;yes continue

INCF FSR ;increment pointer
BTFSS FSR,4 ;all done?
GOTO NEXT ;no clear next

间接寻址 直接寻址

IRP

存储区选择

180H

7

文件选择寄存器

存储单元选择

0

数据存储器

7FH

Bank 0 Bank 1 Bank 2 Bank 3

注： 关于存储器映射图的详细信息，请参见图 2-2。

1FFH

DS41249D_CN 第 22 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

3.0 时钟源

3.1 概述

PIC16F785/HV785 器件具有多种时钟源和选择特性，
广泛使用于各种应用中，同时最大限度地发挥应用性能
并降低功耗。图 3-1 为 PIC16F785/HV785 时钟源的框
图。

时钟源可配置为来自外部振荡器、石英晶体谐振器、陶
瓷谐振器以及阻容 （Resistor-Capacitor， RC）电路。
此外，系统时钟源可配置为两个内部振荡器之一，并通
过软件来选择速度。其他时钟特性包括：

• 可通过软件选择外部或内部系统时钟源。

• 双速时钟启动模式，最大限度地缩短外部振荡器起

振与代码执行之间的延时。

• 故障保护时钟监控器 （Fail-Safe Clock Monitor，
FSCM），用来检测外部时钟源 （LP、 XT、 HS、
EC 或 RC 模式）故障以及切换到内部振荡器。

图 3-1： PIC16F785/HV785 时钟源框图

外部振荡器

OSC2

PIC16F785/HV785 可配置为以下 8 种时钟模式之一。

1. EC——外部时钟， I/O 在 RA4 上。

2. LP——32.768 kHz 监视晶振或陶瓷谐振振荡器

模式。

3. XT——中等增益晶振或陶瓷谐振振荡器模式。

4. HS——高增益晶振或陶瓷谐振器模式。

5. RC——外部阻容（RC），F

OSC/4 输出到 RA4。

6. RCIO——外部阻容， I/O 在 RA4 上。

7. INTOSC——内部振荡器，F

OSC/4 输出到 RA4 且

I/O 在 RA5 上。

8. INTOSCIO——内部振荡器，I/O 在 RA4 和 RA5

上。

通过配置字寄存器的 FOSC<2:0> 位来配置时钟源模式

（见第15.0节“CPU的特殊功能”）。一旦对PIC16F785/

HV785 进行编程且配置了时钟源模式，则无法在软件中
进行更改。

FOSC<2:0>

（配置字）

SCS

（OSCCON<0>）

OSC1

内部振荡器

HFINTOSC

8 MHz

LFINTOSC

31 kHz

休眠

后分频器

IRCF<2:0>

（OSCCON<6:4>）

8 MHz

4 MHz

2 MHz

1 MHz

500 kHz

250 kHz

125 kHz

31 kHz

111
110
101
100

011
010
001
000

LP, XT, HS, RC, RCIO, EC

MUX

MUX

上电延时定时器（PWRT）
看门狗定时器（WDT）
故障保护时钟监控器（FSCM）

系统时钟

（CPU 和外设）

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PIC16F785/HV785

3.2 时钟源模式

时钟源模式可分为外部和内部模式。

• 外部时钟模式依靠外部电路提供时钟源。例如，振
荡器模块 （EC 模式）、石英晶体谐振器或陶瓷谐
振器 （LP、 XT 和 HS 模式）以及阻容 （RC 模
式）电路。

• 内部时钟源内置于 PIC16F785/HV785 中。
PIC16F785/HV785 有两个内部振荡器，一个是
8 MHz 高频内部振荡器 （HFINTOSC），另一个

是 31 kHz 低频内部振荡器 （LFINTOSC）。

可通过系统时钟选择（SCS）位，在外部或内部时钟源
之间选择系统时钟 （见第 3.5 节 “时钟切换”）。

3.3 外部时钟模式

3.3.1 振荡器起振定时器 （OST）

如果 PIC16F785/HV785 配置为任何一种晶体振荡器模
式（LP、 XT 或 HS），将使能振荡器起振定时器

（OST） ，该定时器可延长复位周期以使振荡器有更长

的稳定时间。在上电复位 （POR）或从休眠中唤醒后，
或上电延时定时器 （PWRT）到期 （如果 PWRT 被使
能）后，OST 对来自 OSC1 引脚的振荡计数 1024 次。
在此期间，程序计数器不递增，程序执行暂停。OST 确
保使用石英晶体谐振器或陶瓷谐振器的振荡器电路已经
启动并向 PIC16F785/HV785 提供稳定的系统时钟信
号。表 3-1 给出了执行振荡器延时的例子。

为了使外部振荡器起振和代码执行之间的延时最小，可
选择双速时钟启动模式（见第 3.6 节“双速时钟启动模
式”）。

表 3-1： 振荡器延时示例

切换自 切换到 频率 振荡器延时 说明

休眠 /POR

休眠

LFINTOSC

（31 kHz）

休眠 /POR

LFINTOSC

（31 kHz）

注 1： 5 µs 到 10 µs 起振延时是基于 1 MHz 系统时钟的。

INTRC

INTOSC

EC, RC

EC, RC

LP, XT, HS

INTOSC

31 kHz

125 kHz 到 8 MHz

DC － 20 MHz
DC － 20 MHz

31 kHz 到 20 MHz 1024 个时钟周期

125 kHz 到 8 MHz 1 µs （近似值）

5 µs-10 µs （近似值）

CPU 启动

（OST）

(1)

从休眠模式唤醒或 POR 后， CPU 被启动，以
便作好执行代码的准备。

3.3.2 EC 模式

外部时钟 （EC）模式允许外部产生的逻辑电平作为系
统时钟源。工作在此模式下时，外部时钟源连接到

OSC1 引脚， RA4 引脚可用作通用 I/O。图 3-2 给出了
EC 模式的引脚连接。

当选取 EC 模式时，振荡器起振定时器 （OST）被禁
止。因此，上电复位（POR）后或者从休眠中唤醒后的
操作不存在延时。因为 PIC16F785/HV785 的设计是全
静态的，停止外部时钟输入将使器件暂停工作并保持所
有数据完整。当再次启动外部时钟时，器件恢复工作，
就好像没有停止过一样。

图 3-2：外部时钟（EC）模式的工作原理

来自外部
系统的时钟

RA4

OSC1/CLKIN

PIC16F785/HV785

I/O（OSC2）

DS41249D_CN 第 24 页 初稿  2006 Microchip Technology Inc.

PIC16F785/HV785

3.3.3 LP、 XT 和 HS 模式

LP、XT 和 HS 模式支持连接到 OSC1 和 OSC2 引脚的

石英晶体谐振器或陶瓷谐振器的使用 （图 3-1）。模式
选择内部反相放大器的低、中或高增益设定，以支持各
种谐振器类型及速度。

LP振荡器模式选择内部反相放大器的最低增益设定。LP
模式的电流消耗在三种模式中最小。该模式较适用于驱
动具备低驱动电平规格要求的谐振器，例如，音叉

（Tuning Fork）式晶振。

XT 振荡器模式选择内部反相放大器的中等增益设定。
XT 模式的电流消耗在三种模式中居中。该模式较适用
于驱动具备中等驱动电平规格要求的谐振器，例如，AT
切割石英晶体谐振器。

HS 振荡器模式选择内部反相放大器的最高增益设定。
HS 模式的电流消耗在三种模式中最大。该模式较适用
于驱动需要高驱动设定的谐振器，例如，AT 切割石英晶
体谐振器或陶瓷谐振器。

图 3-3 和图 3-4 分别给出了石英晶体谐振器和陶瓷谐振
器的典型电路。

图 3-3： 石英晶振的工作原理 （LP、 XT 或

HS 模式）

C1

C2

石英
晶振

R

OSC1

OSC2

(1)

S

PIC16F785/HV785

(2)

RF

休眠

至内部
逻辑

图 3-4： 陶瓷谐振器的工作原理 （XT 或 HS

模式）

OSC1

C1

(3)

RP

OSC2

(1)

R

C2

陶瓷
谐振器

注 1：对于低驱动电平的陶瓷谐振器，可能需要串联

一个电阻 （R

2：R

2 MΩ 到 10 MΩ 之间）。

3：对于适当的陶瓷谐振器工作，可能需要并联一

个反馈电阻 （R

S

S）。

F 的值随选取的振荡模式而变化 （典型值在

P）（典型值 1 MΩ）。

PIC16F785/HV785

(2)

RF

休眠

至内部
逻辑

表 3-2： 陶瓷谐振器

模式 频率 OSC1 （C1）

XT 455 kHz

2.0 MHz

HS 4.0 MHz

8.0 MHz

16.0 MHz

68-100 pF

15-68 pF

10-68 pF
15-68 pF
10-22 pF

注： 这些值仅供设计参考。请参见表格下方的

注。

OSC2

（C2）

68-100 pF

15-68 pF

10-68 pF
15-68 pF
10-22 pF

注 1： 对于低驱动电平的石英晶振，可能需要串联

一个电阻 （R

F 的值随选取的振荡模式而变化（典型值在

2： R

2 MΩ 到 10 MΩ 之间）。

S）。

注 1： 石英晶振的特性随类型、封装和制造商而

变化。要了解规范值和推荐应用，应查阅制
造商提供的数据手册。

2： 应始终验证振荡器在应用预期的 V

DD 和温

度范围内的性能。

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PIC16F785/HV785

表 3-3： 晶体振荡器的电容选择

振荡器类型

晶振
频率

电容范围

C1

LP 32 kHz 15-33 pF 15-33 pF

XT 200 kHz 47-68 pF 47-68 pF

1 MHz 15-33 pF 15-33 pF

4 MHz 15-33 pF 15-33 pF

HS 4 MHz 15-33 pF 15-33 pF

8 MHz 15-33 pF 15-33 pF

20 MHz 15-33 pF 15-33 pF

注： 这些值仅供设计参考。请参见表格下方的

注。

注 1：较大的电容可以提高振荡器的稳定性，但

也延长了起振时间。

2： 由于每种谐振器/晶振都有其自身的特性，

用户应向谐振器 / 晶振制造商咨询有关外
部元件的适当值。

3： 可能需要 R

S 避免对具有低驱动电平参数

的晶体造成过驱动。

电容范围

C2

3.3.4 外部 RC 模式

外部阻容 （RC）模式支持使用外部 RC 电路。对时钟
精度要求不高时，这使设计人员有了很大的频率选择空
间，且保持成本最低。有 RC 和 RCIO 两种模式。

在 RC 模式下， RC 电路连接到 OSC1 引脚。 OSC2/
CLKOUT 引脚输出为 RC 振荡器频率的 4 分频。该信号
可用来为外部电路、同步、校准、测试或其他应用需求
提供时钟。图 3-5 给出了 RC 模式的连接图。

在 RCIO 模式下， RC 电路连接到 OSC1 引脚。 OSC2
引脚成为额外的通用 I/O 引脚。I/O 引脚成为 PORTA 的
bit 4 （RA4）。图 3-6 给出了 RCIO 模式的连接图。

图 3-6： RCIO 模式

VDD

REXT

OSC1

CEXT

VSS

建议值： 3 kΩ ≤ R

RA4

10 kΩ ≤ R
C

EXT > 20 pF

I/O（OSC2）

EXT ≤ 100 kΩ （VDD ≥ 3.0V）

EXT ≤ 100 kΩ（VDD < 3.0V）

PIC16F785/HV785

RC 振荡器频率是供电电压、电阻（REXT）和电容

（CEXT）值以及工作温度的函数。除此之外，由于门限

电压的正常差异，每个器件的振荡器频率也会变化。而
且，不同封装形式之间引线框电容的不同也将影响振荡
器频率， C

EXT 值较小时也是如此。用户还应考虑因所

使用的外部 RC 元件的容差而导致的差异。

内部时钟

图 3-5： RC 模式

VDD

REXT

OSC1

CEXT

VSS

F

建议值： 3 kΩ ≤ REXT ≤ 100 kΩ（VDD ≥ 3.0V）

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OSC2/CLKOUT

OSC/4

10 kΩ ≤ L ≤ 100 kΩ（V
C

EXT > 20 pF

PIC16F785/HV785

内部

时钟

DD < 3.0V）

PIC16F785/HV785

3.4 内部时钟模式

PIC16F785/HV785 有两个独立的内部振荡器，可配置
或选取为系统时钟源。

1. HFINTOSC （高频内部振荡器）在出厂时已校
准，工作频率为 8 MHz。使 用 OSCTUNE 寄存器

（寄存器 3-1），可通过软件调整 HFINTOSC 的

频率，调整范围为 ±12%。

2. LFINTOSC （低频内部振荡器）未经校准，工作
频率约为 31 kHz。

使用内部振荡器频率选择 （IRCF）位，可用软件来选
择系统时钟速度。

可通过系统时钟选择（SCS）位，在外部或内部时钟源
之间选择系统时钟 （见第 3.5 节 “时钟切换”）。

3.4.1 INTRC 和 INTRCIO 模式

当在配置字（寄存器 12-1）中使用振荡器选择（FOSC）
位对器件进行设置时，在 INTRC 和 INTRCIO 模式下将
内部振荡器配置为系统时钟源。

在 INTRC 模式下，OSC1 引脚可用作通用 I/O。OSC2/

CLKOUT 引脚输出所选内部振荡器频率的 4 分频。
CLKOUT 信号可用来为外部电路、同步、校准、测试或

其他应用需求提供时钟。

在 INTRCIO 模式下， OSC1 和 OSC2 引脚可用作通用

I/O。

3.4.2.1 校准位

8 MHz 高频内部振荡器（HFINTOSC）在出厂时已校准。
HFINTOSC 校准位存储在程序存储器存储单元为 2008h

的校准字（CALIB）中。使 用 “PIC16F785/HV785
Memory Programming Specification”（DS41237）中指

定的批量擦除序列时，校准字不会被擦除，因此也不需
要编程。关于校准字寄存器的更多信息，请参见

“PIC16F785/HV785 Memory Programming

Specification”（DS41237）。

注： 地址 2008h 超出了用户程序存储器空间范

围。它属于 特殊配置存储器空间 （2000h-
3FFFh），只能在编程时对其进行访问。更
多信息，请参见“PIC16F785/HV785
Memory Programming Specification”

（DS41237）。

3.4.2 HFINTOSC

高频内部振荡器 （HFINTOSC）是出厂时已校准的
8 MHz 内部时钟源。使用 OSCTUNE 寄存器（寄存器 3-1），
可通过软件调整 HFINTOSC 的频率，调整范围约为
±12%。

HFINTOSC 的输出连接到后分频器和多路复用器 （见

图 3-1）。使 用 IRCF 位，可通过软件选择七种频率之一

（见第 3.4.4 节 “频率选择位 （IRCF）”）。

通过选择8 MHz 到125 kHz之间的任一频率（IRCF ≠ 000）
作为系统时钟源 （SCS = 1） ，或当双速启动使能

（IESO = 1 且 IRCF ≠ 000）时，HFINTOSC 将被使能。

HF 内部振荡器 （HTS）位 （OSCCON<2>）指 明
HFINTOSC 是否稳定。

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PIC16F785/HV785

3.4.2.2 OSCTUNE 寄存器

HFINTOSC 在出厂时已校准，但可通过在软件中写入
OSCTUNE 寄存器 （寄存器 3-1）来进行调节。

OSCTUNE 寄存器标称调节范围为 ±12%。 OSCTUNE

寄存器的缺省值为 0。该值是一个 5 位的二进制补码。
由于制造工艺的差异，可能无法确定单调性和频率步
进。

当 OSCTUNE 寄存器被修改时， HFINTOSC 频率将开
始转变为新频率。HFINTOSC 时钟将在 1 ms 之内稳定。
转变期间，代码将继续执行。是否已发生频率转变并无
明确的指示。

OSCTUNE 不影响 LFINTOSC 频率。依赖于 LFINTOSC
时钟源频率的功能，如上电延时定时器 （PWRT）、看
门狗定时器 （WDT）、故障保护时钟监控器 （FSCM）
以及外设等，其工作

寄存器 3-1： OSCTUNE：振荡器调节寄存器 （地址：90h）

U-0 U-0 U-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0

— — — TUN4 TUN3 TUN2 TUN1 TUN0

bit 7 bit 0

bit 7-5
bit 4-0

未实现：读为 0
TUN<4:0>：频率调节位

01111 = 最大频率
01110 =

•

•

•

00001 =
00000 = 中心频率。振荡器模块运行在经过校准的频率上。
11111 =

•

•

•

10000 = 最小频率

不

受频率改变的影响。

图注：

R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位，读为 0

- n = POR 值 1 = 置 10 = 清零 x = 未知

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