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MICROCHIP
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PIC16F628A
Technical data
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MICROCHIP PIC16F627A, PIC16F628A, PIC16F648A Technical data

PIC16F627A/628A/648A
深圳市粤原点科技有限公司 (Microchip Authorized Design Partner)指定授权 总部地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1103座  Add： Room 1103,Block C,World Trade Plaza, 9Fuhong Road,Futian District Shen Zhen City  电话(tel) ：86-755-83666321,83666320,83666325 传真(fax) ：86-755-83666329 Web: WWW.ORIGIN-GD.COM  E-mail：01@LZmcu.com abc85185@163.com 联系人：马先生,王小姐,汤小姐  在线咨询：QQ:42513912 MSN:action_tech@hotmail.com 7x24小时在线产品咨询:13509674380 13798484366
数据手册
采用纳瓦技术的
8 位 CMOS 闪存单片机
2005 Microchip Technology Inc. DS40044D_CN
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：
• Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。
• Microchip 确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。
• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的 操作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。
• Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。
• Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “牢不可破”的。
代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视 为违反了 《数字器件千年版权法案 （Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的 软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
提供本文档的中文版本仅为了便于理解。Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司、各级主管与员工及 事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任。
建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档。
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商标
Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 Accuron、 dsPIC、 K
EELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、
PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国
家或地区的注册商标。
AmpLab、 FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 PICMASTER、 SEEVAL、 SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标。
Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、 ICSP、 ICEPIC、 Linear
Active Thermistor、 MPASM、 MPLIB、 MPLINK、 MPSIM、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、 PICtail、
PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、 To t al
Endurance 和 WiperLock 均为 Microchip Technology Inc.在
美国和其他国家或地区的商标。 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。
在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。 © 2005, Microchip Technology Inc.版权所有。
Microchip
州
10
位单片机、 性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合
16949:2002
系也已通过了
位于美国亚利桑那州
Mountain View
月通过了
ISO/TS-16949:2002
KEELOQ
。此外 ，
ISO 9001:2000
的全球总部、设计中心和晶圆生产厂均于
®
跳码器件、串行
Microchip
Chandler和Tem p e
质量体系认证。公司在
EEPROM
在开发系统的设计和生产方面的质量体
认证。
及位于加利福尼亚
、单片机 外设、非易失
ISO/TS-
2003
PICmicro
年
®
DS40044D_CN 第 ii 页 2005 Microchip Technology Inc.
8
PIC16F627A/628A/648A

采用纳瓦技术的 18 引脚 8 位 CMOS 闪存单片机

高性能 RISC CPU：
• 工作速度可从 DC 到 20 MHz
• 中断能力
• 8 级深度硬件堆栈
• 直接、间接和相对寻址模式
• 35 条单字指令
- 除了转移指令以外，所有指令均为单周期指令
单片机的特殊功能：
• 内部和外部振荡器选择：
- 高精度的内部 4MHz振荡器，出厂时精度校 准为± 1%
- 低功耗内部 48kHz 振荡器
- 可使用晶振和谐振器作为外部振荡器。
• 节能的休眠模式
• PORTB 上有可编程的弱上拉功能
• 主复位 / 输入引脚复用
• 看门狗定时器带有独立的振荡器，能保证可靠的运
行
• 低电压编程
• 在线串行编程 （In-Circuit Serial Programming™）（通过两个引脚进行）
• 可编程代码保护
• 欠压复位
• 上电复位
• 上电延时定时器和振荡器起振定时器
• 宽工作电压范围 （2.0V 到 5.5V）
• 工业级和扩展级温度范围
• 高耐用性闪存 /EEPROM 单元
- 闪存可经受 10 万次写操作
- EEPROM 可经受 100 万次写操作
- 数据保持期为 40 年
程序存储器 数据存储器
器件
PIC16F627A 1024 224 128 16 1
PIC16F628A 2048 224 128 16 1
PIC16F648A 4096 256 256 16 1
闪存
( 字 )
SRAM ( 字节 )EEPROM (字节 )
低功耗功能：
• 待机电流：
- 当电压为 2.0V 时，典型值为 100 nA
• 工作电流：
- 当频率为 32 kHz，电压为 2.0V 时，典型值为
- 当频率为 1MHz，电压为 2.0V 时，典型值为
• 看门狗定时器电流
- 当电压为 2.0V 时，典型值为 1 µA
• Timer1 振荡器电流：
- 当频率为 32 kHz，电压为 2.0V 时，典型值为
• 双速内部振荡器：
- 有 4MHz和 48kHz 两种频率可供选择
- 从休眠状态唤醒 4 µs， 3.0V，典型值
外设功能：
• 16 个具有独立方向控制的 I/O 引脚
• 较高灌 / 拉电流用于直接驱动 LED
• 模拟比较器模块带有：
- 两个模拟比较器
- 可编程的片上参考电压 （V
- 可选择的内部或外部参考电压
- 可外部访问比较器输出
• Timer0：带 8 位可编程预分频器的 8 位定时器 / 计数
器
• Timer1：带有外部晶振 / 时钟源功能的16 位定时器/ 计数器
• Timer2：带 8 位周期寄存器、预分频器和后分频器 的 8 位定时器 / 计数器
• 捕捉、比较、 PWM 模块
-16位捕捉 / 比较
-10位 PWM
• 可寻址的通用同步 / 异步收发器 USART/SCI
I/O
12 µA
120 µA
1.2 µA
CCP
(PWM)
USART
有
有
有
REF）模块。
比较器
22/1
22/1
22/1
定时器
8/16 位
2005 Microchip Technology Inc. DS40044D_CN 第 1 页
PIC16F627A/628A/648A
引脚图
PDIP 和 SOIC
SSOP
RA2/AN2/V
RA3/AN3/CMP1
RA4/TOCKI/CMP2
RA5/MCLR
RA1/AN1
20
PIC16F627A/628A/648A
1
REF
RA2/AN2/V
RA3/AN3/CMP1
REF
/VPP
VSS
RB0/INT
RB1/RX/DT
RB2/TX/CK
RB3/CCP1
RA6/OSC2/CLKOUT
RA7/OSC1/CLKIN
VDD
RA0/AN0
19181615141312
2 3 4 5 6 7 8 910
VDD
RB6/T1OSO/T1CKI/PGC
RB7/T1OSI/PGD
17
SS
VSS
V
/VPP
RB0/INT
RB1/RX/DT
RA5/MCLR
RA4/TOCKI/CMP2
118
2
3
4
5
6
7
8
9
RB4/PGM
RB5
11
RB3/CCP1
RB2/TX/CK
PIC16F627A/628A/648A
PIC16F627A/628A/648A
17
16
15
14
13
12
11
10
RA1/AN1
RA0/AN0
RA7/OSC1/CLKIN
RA6/OSC2/CLKOUT
DD
V
RB7/T1OSI/PGD
RB6/T1OSO/T1CKI/PGC
RB5
RB4/PGM
28
引脚
QFN
RA5/MCLR/VPP
NC
VSS
NC
VSS
NC
RB0/INT
RA3/AN3/CMP1
RA4/T0CKI/CMP2
RA2/AN2/VREF
NC
2827262524
1
2 3
PIC16F627A/628A
4
PIC16F648A
5 6 7
8
9
10
11
NC
RB3/CCP1
RB2/TX/CK
RB1/RX/DT
RA1/AN1
12
RB4/PGM
RA0/AN0
23
13
RB5
NC
22
21 20 19 18 17 16 15
14
NC
RA7/OSC1/CLKIN RA6/OSC2/CLKOUT V
DD
NC
VDD RB7/T1OSI/PGD RB6/T1OSO/T1CKI/PGC
DS40044D_CN 第 2 页 2005 Microchip Technology Inc.
PIC16F627A/628A/648A
目录
1.0 概述 ............................................................................................................................................................................................. 5
2.0 PIC16F627A/628A/648A 器件种类.............................................................................................................................................. 7
3.0 架构综述...................................................................................................................................................................................... 9
4.0 存储器构成 ................................................................................................................................................................................ 15
5.0 I/O 口 ......................................................................................................................................................................................... 31
6.0 Timer0 模块 ............................................................................................................................................................................... 45
7.0 Timer1 模块 ............................................................................................................................................................................... 48
8.0 Timer2 模块 ............................................................................................................................................................................... 52
9.0 捕捉 / 比较 /PWM （CCP）模块 ............................................................................................................................................... 55
10.0 比较器模块 ................................................................................................................................................................................ 61
11.0 参考电压模块 ............................................................................................................................................................................. 67
12.0 通用同步 / 异步收发器 （USART）模块.................................................................................................................................... 71
13.0 数据 EEPROM 存储器 ............................................................................................................................................................... 89
14.0 CPU 的特殊功能 ........................................................................................................................................................................ 95
15.0 指令集综述 .............................................................................................................................................................................. 115
16.0 开发支持.................................................................................................................................................................................. 129
17.0 电气规范 .................................................................................................................................................................................. 135
18.0 直流和交流特性图表................................................................................................................................................................ 151
19.0 封装信息 .................................................................................................................................................................................. 163
附录 A： 数据手册版本历史 ......................................................................................................................................................... 169
附录 B： 器件差异 ....................................................................................................................................................................... 169
附录 C： 器件移植 ....................................................................................................................................................................... 170
附录 D：从其他PICmicro
Microchip 网站 ................................................................................................................................................................................... 171
变更通知客户服务 ............................................................................................................................................................................. 171
客户支持............................................................................................................................................................................................ 171
读者反馈表 ........................................................................................................................................................................................ 172
产品标识体系 .................................................................................................................................................................................... 177
®
器件移植到此系列............................................................................................................................ 170
致 客 户
我们旨在提供最佳文档供客户正确使用 Microchip 产品。 为此，我们将不断改进出版物的内容和质量，使之更好地满足您的要求。 出版物的质量将随新文档及更新版本的推出而得到提升。
如果您对本出版物有任何问题和建议，请通过电子邮件联系我公司 TRC 经理，电子邮件地址为 CTRC@microchip.com，或将本 数据手册后附的 《读者反馈表》传真到 86-21-5407 5066。我们期待您的反馈。
最新数据手册
欲获得本数据手册的最新版本，请查询我公司的网站：
http://www.microchip.com
查看数据手册中任意一页下边角处的文献编号即可确定其版本。文献编号中数字串后的字母是版本号 DS30000 的 A 版本。
勘误表
现有器件可能带有一份勘误表，描述了实际运行与数据手册中记载内容之间存在的细微差异以及建议的变通方法。一旦我们了解到 器件 / 文档存在某些差异时，就会发布勘误表。勘误表上将注明其所适用的硅片版本和文件版本。
欲了解某一器件是否存在勘误表，请通过以下方式之一查询：
• Microchip 网站 http://www.microchip.com
• 当地 Microchip 销售办事处 （见最后一页）
在联络销售办事处时，请说明您所使用的器件型号、硅片版本和数据手册版本 （包括文献编号）。
客户通知系统
欲及时获知 Microchip 产品的最新信息，请到我公司网站 www.microchip.com 上注册。
，例如：DS30000A 是
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PIC16F627A/628A/648A
注：
DS40044D_CN 第 4 页 2005 Microchip Technology Inc.
PIC16F627A/628A/648A

1.0 概述

精度双速内部振荡器。 HS 模式是高速晶振。 EC 模式则 是采用外部时钟源。
PIC16F627A/628A/648A 系列单片机是 18 引脚的 8 位 CMOS 闪存单片机，具有多用途、低成本、高性能和全
静态的特点。
®
所有 PICmicro
单片机均采用先进的 RISC 架构。 PIC16F627A/628A/648A 具有增强的内核功能、8 级深 度的堆栈以及多种内部和外部中断源。 哈佛架构独立的 指令总线和数据总线，允许同时取 14 位宽指令字与独 立的 8 位宽数据。 两级指令流水线使得除了程序转移指 令（需要两个周期）以外的所有指令都能在单个周期内 执行。 总共有 35 条指令 （精简指令集）可用，辅之以 大的寄存器组。
PIC16F627A/628A/648A单片机与同类的其他 8 位单片 机相比，通常能实现 2:1 的代码压缩率和 4 倍的速度提 升。
PIC16F627A/628A/648A 器件集成了很多功能部件，从
休眠（断电）模式可以节能。 用户可以通过几种外部中 断、内部中断以及复位将芯片从休眠状态唤醒。
高可靠性的看门狗自带了片上 RC 振荡器，能够避免程 序锁死。
表 1-1 给出了 PIC16F627A/628A/648A 中档单片机系 列的特性。
图 3-1 是 PIC16F627A/628A/648A 的简化框图。
PIC16F627A/628A/648A系列适合从电池充电器到低功 耗远程传感器的一系列应用。 闪存技术使得定制应用程 序 （如检测电平、脉冲产生、定时器等）变得十分便 捷。 小尺寸的封装使该系列单片机对于有空间限制的所 有应用都很理想。 低成本、低功耗、高性能、易使用以 及 I/O 的灵活性使得 PIC16F627A/628A/648A 用途非常
广泛。 而减少了外部元件的使用，因此降低了系统成本，提高 了系统可靠性，并降低了功耗。
PIC16F627A/628A/648A有 8 种振荡器配置。 单引脚的 RC 振荡器提供了低成本的解决方案。 LP 振荡器可将功 耗降至最低， XT 是标准晶振，而 INTOSC 是独立的高

1.1 开发支持

支持 PIC16F627A/628A/648A 系列的工具有：功能全面
的宏汇编器、软件模拟器、在线仿真器、低成本在线调
试器、低成本开发编程器和功能前面的编程器。 还可使
用第三方 C 编译器支持工具。

表 1-1： PIC16F627A/628A/648A 系列器件

PIC16F627A PIC16F628A PIC16F648A PIC16LF627A PIC16LF628A PIC16LF648A
时钟 最大工作频率 (MHz)
闪存程序存储器 ( 字 )
存储器 RAM 数据存储器 ( 字节 )
EEPROM 数据存储器 ( 字节 )
定时器模块 TMR0、 TMR1、
比较器
外设 捕捉 / 比较 /PWM 模块
串行通信
内部参考电压 有有有有有有
中断源
I/O 引脚
特性 电压范围 (V)
欠压复位 有有有有有有
封装 18 引脚 DIP 和
PICmicro® 系列的所有器件都有上电复位、可选择的看门狗、可选择的代码保护以及高 I/O 电流性能。 PIC16F627A/628A/648A 系列的所有器件使用时钟引脚 RB6 和数据引脚 RB7 进行串行编程。
20 20 20 20 20 20
1024 2048 4096 1024 2048 4096
224 224 256 224 224 256
128 128 256 128 128 256
TMR2
222222
111111
USART USART USART USART USART USART
10 10 10 10 10 10
16 16 16 16 16 16
3.0-5.5 3.0-5.5 3.0-5.5 2.0-5.5 2.0-5.5 2.0-5.5
SOIC、 20 引脚
SSOP、 28 引脚
QFN
TMR0、 TMR1、
TMR2
18 引脚 DIP 和
SOIC、 20 引脚
SSOP、 28 引脚
QFN
TMR0、 TMR1、
TMR2
18 引脚 DIP 和
SOIC、 20 引脚
SSOP、 28 引脚
QFN
TMR0、 TMR1、
SSOP、 28 引脚
TMR2
18 引脚 DIP 和
SOIC、 20 引脚
QFN
TMR0、 TMR1、
TMR2
18 引脚 DIP 和
SOIC、 20 引脚
SSOP、 28 引脚
QFN
TMR0、 TMR1、
TMR2
18 引脚 DIP 和
SOIC、 20 引脚
SSOP、 28 引脚
QFN
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PIC16F627A/628A/648A
注：
DS40044D_CN 第 6 页 2005 Microchip Technology Inc.
2.0 PIC16F627A/628A/648A 器件种
类
有多种频率和封装类型可供选择。 根据应用和生产要 求，可以通过器件数据手册最末的“PIC16F627A/ 628A/648A 产品识别体系”来选择适当的器件。 在订购 器件的时候，也请使用数据手册的这一页来指定正确的 器件编号。

2.1 闪存器件

闪存器件是电可擦除和再编程的。 这样可以在样片开 发、试用和产品生产中都使用相同的器件。
电可擦除闪存更大的优点是它可以在线或使用器件编程 器（例如 Microchip 的PICSTART II 编程器）进行擦除或重新编程。
2.2 快速批量生产 （Quick-Turnaround-
Production， QTP）器件
Microchip 为工厂生产订单提供 QTP 编程服务。 这种服 务适用于那些不想对中到大批量单片机编程，并且代码 已经相对稳定的用户。 这些器件是标准的闪存器件，只 是所有的编程单元和配置已在出厂前设定。 Microchip 还在出厂前对某些代码和样片进行了校验。 欲了解更详 细信息，请联系当地 Microchip 销售办事处。
®
Plus 或 PRO MATE
PIC16F627A/628A/648A
®
2.3 带序列号的快速批量生产
（Serialized Quick-Turnaround-
Production， SQTP
Microchip 提供一种独特的编程服务，可用不同的序列 号对每个器件中的几处用户自定义单元进行编程。 这些 序列号可以是随机数、伪随机数或连续数。
这种串行编程使每个器件具有唯一的序列号，可以作为 登录码、口令或用户识别码。
SM
）器件
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PIC16F627A/628A/648A
注：
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PIC16F627A/628A/648A

3.0 架构综述

PIC16F627A/628A/648A 系列的高性能可以归功于 RISC 微处理器中普遍采用的架构特点。首先， PIC16F627A/628A/648A 采用了哈佛架构，在这个架构
中，分别使用独立的总线从独立的存储器中存取程序和 数据。 与传统的程序和数据存储器合二为一的冯·诺依 曼架构相比，哈佛架构具有更加优良的总线带宽。 独立 的程序和数据存储器允许指令宽度超过 8 位。 由于指令 操作码为14 位宽，所以所有指令都可以是单字指令。 通 过 14 位宽的程序存储器总线可以在单周期内取一条 14 位的指令。 两级流水线可以使取指和执行指令同时进 行。 因此，除了程序转移指令以外，所有指令（35 条） 都可以在单周期 （时钟频率为 20 MHz 时为 200ns）内 执行。
表 3-1 所列为器件的存储器容量（闪存、数据存储器和 EEPROM）。

表 3-1： 器件存储器列表

存储器
器件
PIC16F627A 1024 x 14 224 x 8 128 x 8
PIC16F628A 2048 x 14 224 x 8 128 x 8
PIC16F648A 4096 x 14 256 x 8 256 x 8
PIC16LF627A 1024 x 14 224 x 8 128 x 8
PIC16LF628A 2048 x 14 224 x 8 128 x 8
PIC16LF648A 4096 x 14 256 x 8 256 x 8
闪存 程序
数据
RAM数据EEPROM
PIC16F627A/628A/648A 可以直接或间接的寻址它的文
件寄存器或数据存储器。 所有特殊功能寄存器（Special
Function Register， SFR），包括程序计数器，都映射
到数据存储器空间。 PIC16F627A/628A/648A 有一个正
交 （对称）指令集，因此它可以使用任何寻址模式对任
一寄存器执行任何操作。 指令集的对称特性以及无“特
别理想状态”让使用 PIC16F627A/628A/648A 编程更简
单有效。 此外，所有这些都显著地简化了学习过程。
PIC16F627A/628A/648A 器件包含一个 8 位ALU 和工作
寄存器。 ALU 是一个通用的算术单元。 它对工作寄存器
和任何文件寄存器中的数据进行算术和布尔运算。
ALU 为 8 位宽，能够进行加、减、移位和逻辑操作。 除
非特别指明，否则算术运算一般是以 2 进制补码的形式
进行的。 在双操作数指令中，一般情况下，其中的一个
操作数是在工作寄存器（W 寄存器）中。 另一个操作数
存放在一个文件寄存器中或是立即数。 在单操作数指令
中，操作数放在 W 寄存器中或某个文件寄存器中。
W 寄存器是一个 8 位宽、用于 ALU 运算的工作寄存器。
该寄存器不可寻址。
根据所执行的指令，ALU 可能影响 Status 寄存器中的进
位标志位 C、辅助进位标志位 DC 和全零标志位 Z。 在
减法操作中，C 和 DC 位分别作为借位和辅助借位标志
位。 例如指令 SUBLW 和 SUBWF。
图 3-1 给出了简化框图，表 3-2 对器件引脚作了描述。
PIC16F627A/628A/648A器件上提供了两种类型的数据
存储器。 所提供的非易失性 EEPROM 数据存储器用于
长期存储数据，例如校准值、查表数据以及其他可能需
要现场定期更新的数据。 这些数据类型不会在掉电时丢
失。 所提供的另一个数据存储器是常规的 RAM 数据存
储器。 常规的 RAM 数据存储器用于对正常操作中的数
据进行临时存储。 这些数据会在掉电时丢失。
2005 Microchip Technology Inc. DS40044D_CN 第 9 页
PIC16F627A/628A/648A

图 3-1： 结构框图

程序 总线
OSC1/CLKIN OSC2/CLKOUT
闪存 程序
存储器
14
指令寄存器
指令
译码与
控制
时序 产生
13
8
程序计数器
8 级堆栈
（13 位）
直接寻址
上电延时
定时器
振荡器
起振定时器
上电 复位
看门狗 定时器
欠压 复位
低电压
编程
RAM 地址（1）
7
3
8
数据总线
RAM
文件
寄存器
9
地址多路开关
8
FSR 寄存器
Stat us 寄存器
MUX
ALU
W 寄存器
8
间接 寻址
PORTA
PORTB
RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2/VREF RA3/AN3/CMP1
RA4/T0CK1/CMP2 RA5/MCLR RA6/OSC2/CLKOUT RA7/OSC1/CLKIN
RB0/INT RB1/RX/DT RB2/TX/CK RB3/CCP1 RB4/PGM RB5 RB6/T1OSO/T1CKI/PGC RB7/T1OSI/PGD
/VPP
MCLR
比较器
VREF
Timer0 Timer1 Timer2
注： 高位来自 Status 寄存器。
VDD, VSS
USARTCCP1
数据 EEPROM
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表 3-2： PIC16F627A/628A/648A 引脚配置描述

名称 功能 输入类型 输出类型 描述
RA0/AN0 RA0 ST CMOS
AN0 AN
RA1/AN1 RA1 ST CMOS
AN1 AN
RA2/AN2/V
RA3/AN3/CMP1 RA3 ST CMOS
RA4/T0CKI/CMP2 RA4 ST OD
RA5/MCLR
RA6/OSC2/CLKOUT RA6 ST CMOS
RA7/OSC1/CLKIN RA7 ST CMOS
RB0/INT RB0 TTL CMOS
RB1/RX/DT RB1 TTL CMOS
RB2/TX/CK RB2 TTL CMOS
RB3/CCP1 RB3 TTL CMOS
图注： O=输出 CMOS = CMOS 输出 P=电源
REF RA2 ST CMOS
AN2 AN
REF
V
AN3 AN
CMP1
T0CKI ST
CMP2
/VPP RA5
MCLR
PP
V
OSC2
CLKOUT
OSC1 XTAL
CLKIN ST
INT ST
RX ST
DT ST CMOS
TX
CK ST CMOS
CCP1 ST CMOS
— =未使用 I = 输入 ST = 施密特触发器输入 TTL = TTL 输入 OD = 漏极开路输出 AN = 模拟
－
－
－
ST
ST
－ － 编程电压输入
－
－
－
－ 模拟比较器输入
－ 模拟比较器输入
－ 模拟比较器输入
AN
－ 模拟比较器输入
CMOS
－ Timer0 时钟输入
OD
－ 输入端口
－
XTAL
CMOS
－ 振荡器晶振输入 － 外部时钟源输入。 RC 偏置引脚。
－ 外部中断。
－ USART 接收引脚
CMOS
双向 I/O 端口
双向 I/O 端口
双向 I/O 端口
VREF 输出 双向 I/O 端口
比较器 1 输出 双向 I/O 端口
比较器 2 输出
主复位。 如果将引脚配置为 MCLR 低电平有效的引脚，即低电平时器件复位。 器 件正常运行时 MCLR/VPP 上的电压不能超过
DD 。
V
双向 I/O 端口 振荡器晶振输出。 在晶体振荡器模式连接到晶
振或谐振器。 在 RC/INTOSC 模式， OSC2 引脚可以输出
CLKOUT，其频率为 OSC1 的 1/4。 双向 I/O 端口
双向 I/O 端口。 可以软件编程实现内部弱上 拉。
双向 I/O 端口。 可以软件编程实现内部弱上 拉。
同步数据 I/O 双向 I/O 端口。 可以软件编程实现内部弱上
拉。 USART 发送引脚 同步时钟 I/O 双向 I/O 端口。 可以软件编程实现内部弱上
拉。 捕捉 / 比较 /PWM I/O
，这是一个
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PIC16F627A/628A/648A
表 3-2： PIC16F627A/628A/648A 引脚配置描述 （续）
名称 功能 输入类型 输出类型 描述
RB4/PGM RB4 TTL CMOS
PGM ST
RB5 RB5 TTL CMOS
RB6/T1OSO/T1CKI/PGC RB6 TTL CMOS
T1OSO
T1CKI ST
PGC ST
RB7/T1OSI/PGD RB7 TTL CMOS
T1OSI XTAL
PGD ST CMOS
V
SS VSS
DD VDD
V
图注： O=输出 CMOS = CMOS 输出 P=电源
— =未使用 I = 输入 ST = 施密特触发器输入 TTL = TTL 输入 OD = 漏极开路输出 AN = 模拟
－
电源 － 逻辑和 I/O 引脚的接地参考点 电源 － 逻辑和 I/O 引脚的正电源
－ 低电压编程输入引脚。 当低电压编程被使能
XTAL
－ Timer1 时钟输入。 － ICSP
－ Timer1 振荡器输入。
双向 I/O 端口。 引脚电平变化可触发中断。 可 以软件编程实现内部弱上拉。
时，禁止引脚电平变化触发中断以及弱上拉电 阻。
双向 I/O 端口。 引脚电平变化可触发中断。 可 以软件编程实现内部弱上拉。
双向 I/O 端口。 引脚电平变化可触发中断。 可 以软件编程实现内部弱上拉。
Timer1 振荡器输出。
TM
编程时钟。
双向 I/O 端口。 引脚电平变化可触发中断。 可 以软件编程实现内部弱上拉。
ICSP 数据 I/O
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3.1 时序图 / 指令周期

时钟输入 （OSC1/CLKIN/RA7 引脚）信号在器件内部 经过 4 分频后产生 4 个不重叠的正交时钟信号，即 Q1、 Q2、Q3 和 Q4。 在此过程中，程序计数器（PC）在每 个 Q1 时递增 1，并在 Q4 时从程序存储器取指并将指令 锁存到指令寄存器中。 在接下来的 Q1 到 Q4 周期中进 行指令的译码和执行。 图 3-2所示为时钟和指令执行流 程。

图 3-2：时钟/ 指令周期

Q2 Q3 Q4
OSC1
Q1
Q2
Q3
Q4
PC
CLKOUT
Q1
PC PC+1 PC+2
取指（PC）
执行指令（PC-1）取指（PC+1）
Q1

3.2 指令流 / 流水线

一个指令周期由 4 个 Q 周期组成 （Q1、 Q2、 Q3 和
Q4）。 取指和执行指令是流水线操作的，用一个指令周
期来取指，而用另一个指令周期来译码和执行取到的指
令。 但由于是流水线操作，所以每条指令的等效执行时
间都是一个指令周期。 如果指令（例如，GOTO）改变
了程序计数器，则需要两个指令周期来完成指令
（例 3-1）。
在 Q1 周期开始取指操作，程序计数器 （PC）加 1。
指令的执行过程：在 Q1 周期，将所取指令锁存到指令
寄存器（IR）。 在 Q2、Q3 和 Q4 周期中进行指令的译
码和执行。 其中读数据存储器 （读操作数）发生在 Q2
周期，写操作发生在 Q4 周期 （写入目标单元）。
Q2 Q3 Q4
执行指令（PC）取指（PC+2）
Q2 Q3 Q4
Q1
执行指令（PC+1）
内部 相位 时钟

例 3-1： 指令流水线流程图

1. MOVLW 55h
2. MOVWF PORTB
3. CALL SUB_1
4. BSF PORTA, 3
注： 除程序转移指令外，所有指令都是单周期指令。 由于程序转移指令导致取出的指令被从流水线中舍弃，需要重
新取指再执行指令，所以程序转移指令需要两个周期。
取指 1 执行 1
取指 2 执行 2
取指 3 执行 3
取指 4
舍弃
取指 SUB_1 执行 SUB_1
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PIC16F627A/628A/648A
注：
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PIC16F627A/628A/648A

4.0 存储器构成

4.1 程序存储器构成

PIC16F627A/628A/648A 有一个 13 位的程序计数器， 能寻址 8K x 14 的程序存储器空间。物理实现的只有 PIC16F627A 使用的第一个 1K x 14（0000h － 03FFh） 单元、PIC16F628A 使用的 2K x 14（0000h － 07FFh） 单元和 PIC16F648A 使用的 4K x 14 （0000h-0FFFH） 单元。对超出以上范围的单元寻址时，将会导致在第一 个 1K x 14 空间 （PIC16F627A）、2K x 14 空间
（PIC16F628A）或 4K x 14 空间 （PIC16F648A）内部
溢出返回。复位矢量位于 0000h，中断矢量位于 0004h
（图 4-1）。

图 4-1： 程序存储器映射和堆栈

PC<12:0>
CALL, RETURN RETFIE, RETLW
PIC16F627A、 PIC16F628A 和
PIC16F648A
PIC16F628A 和 PIC16F648A
堆栈深度 1 堆栈深度 2
堆栈深度 8
复位矢量
中断矢量
片上程序
存储器
片上程序
存储器
13
0000h
0004 0005
03FFh
07FFh

4.2 数据存储器构成

数据存储器 （图 4-2 和图 4-3）被划分为 4 块存储区，
其中包含通用寄存器 （General Purpose Register，
GPR）和特殊功能寄存器（Special Function Register，
SFR）。 SFR 位于每个存储区的前 32 个存储单元。每
个存储区中的通用寄存器都是以静态 RAM 的形式实现
的。表 4-1 列出了这 4 个存储区中可用作通用寄存器的
区域。

表 4-1：通用静态RAM 寄存器

PIC16F627A/628A PIC16F648A
存储区 0
存储区 1
存储区 2
存储区 3
地址为 F0h-FFh、 170h-17Fh 和 1F0h-1FFh 的存储单
元是以通用 RAM 的形式实现的，并映射回地址为 70h-
7Fh 的单元。
表 4-2 说明了如何通过 Status 寄存器的 RP1 和 RP0 位
访问这 4 个存储区中的寄存器。
120h-14Fh, 170h-17Fh 120h-17Fh

表 4-2： 访问存储区中的寄存器

存储区
0 00
1 01
2 10
3 11
4.2.1 通用文件寄存器
文件寄存器在 PIC16F627A/628A 中被组织为 224 x 8，
而在 PIC16F648A 中则是 256 x 8。可直接访问或通过
指针寄存器 （File Select Register， FSR）间接访问每
个寄存器，参见第 4.4 节 “间接寻址、INDF 和 FSR 寄
存器”。
20-7Fh 20-7Fh
A0h-FF A0h-FF
1F0h-1FFh 1F0h-1FFh
RP1 RP0
片上程序
存储器
仅 PIC16F648A
0FFFh
1FFFh
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PIC16F627A/628A/648A

图 4-2： PIC16F627A 和 PIC16F628A 的数据存储器映射

文件 地址
间接地址
TMR0
PCL
STATUS
FSR
PORTA
PORTB
PCLATH
INTCON
PIR1
TMR1L
TMR1H
T1CON
TMR2
T2CON
CCPR1L
CCPR1H
CCP1CON
RCSTA
TXREG
RCREG
CMCON
通用
寄存器
80 字节
OPTION
PCL
STATUS
FSR
TRISA
TRISB
PCLATH
INTCON
PIE1
PCON
PR2
TXSTA
SPBRG
EEDATA
EEADR
EECON1
VRCON
通用
80 字节
(1)
80h
81h
82h
83h
84h
85h
86h
87h
88h
89h
8Ah
8Bh
8Ch
8Dh
8Eh
8Fh
90h
91h
92h
93h
94h
95h
96h
97h
98h
99h
9Ah
9Bh
9Ch
(1)
9Dh
9Eh
9Fh
A0h
间接地址
寄存器
(1)
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
间接地址
EECON2
寄存器
TMR0
PCL
STATUS
FSR
PORTB
PCLATH
INTCON
通用
48 字节
(1)
100h
101h
102h
103h
104h
105h
106h
107h
108h
109h
10Ah
10Bh
10Ch
10Dh
10Eh
10Fh
11F h 120h
14Fh 150h
间接地址
OPTION
PCL
STATUS
FSR
TRISB
PCLATH
INTCON
(1)
180h
181h
182h
183h
184h
185h
186h
187h
188h
189h
18Ah
18Bh
18Ch
18Dh
18Eh
18Fh
6Fh
16 字节
70h
7Fh
存储区 0
未实现的数据存储器单元，读作 0。
注 1： 非物理寄存器。
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快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 1
EFh F0h
FFh
快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 2
16Fh 170h
17Fh 1FFh
快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 3
1EFh 1F0h

图 4-3： PIC16F648A 的数据存储器映射

PIC16F627A/628A/648A
文件 地址
间接地址
TMR0
PCL
STATUS
FSR
PORTA
PORTB
PCLATH
INTCON
PIR1
TMR1L
TMR1H
T1CON
TMR2
T2CON
CCPR1L
CCPR1H
CCP1CON
RCSTA
TXREG
RCREG
CMCON
通用
寄存器
80 字节
OPTION
PCL
STATUS
FSR
TRISA
TRISB
PCLATH
INTCON
PIE1
PCON
PR2
TXSTA
SPBRG EEDATA
EEADR
EECON1
VRCON
通用
80 字节
(1)
80h
81h
82h
83h
84h
85h
86h
87h
88h
89h
8Ah
8Bh
8Ch
8Dh
8Eh
8Fh
90h
91h
92h
93h
94h
95h
96h
97h
98h
99h
9Ah
9Bh
9Ch
(1)
9Dh
9Eh
9Fh
A0h
间接地址
(1)
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
间接地址
EECON2
寄存器
TMR0
PCL
STATUS
FSR
PORTB
PCLATH
INTCON
通用
寄存器
80 字节
(1)
100h
101h
102h
103h
104h
105h
106h
107h
108h
109h
10Ah
10Bh
10Ch
10Dh
10Eh
10Fh
11F h 120h
间接地址
OPTION
PCL
STATUS
FSR
TRISB
PCLATH
INTCON
(1)
180h
181h
182h
183h
184h
185h
186h
187h
188h
189h
18Ah
18Bh
18Ch
18Dh
18Eh
18Fh
6Fh
16 字节
70h
7Fh
存储区 0
未实现的数据存储器单元，读作 0。
注 1： 非物理寄存器。
2005 Microchip Technology Inc. DS40044D_CN 第 17 页
快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 1
EFh F0h
FFh
快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 2
16Fh 170h
17Fh 1FFh
快速存取存储区
70h-7Fh
存储区 3
1EFh 1F0h
PIC16F627A/628A/648A
4.2.2 特殊功能寄存器
SFR 用于 CPU 和外设功能，控制器件执行期望操作的
寄存器 （表 4-3）。这些寄存器是静态 RAM。
这些特殊功能寄存器可以分成两类 （内核与外设）。本 节讲述与“内核”有关的 SFR。与外设功能部件操作有 关的 SFR 将外设功能部件章节中描述。

表 4-3： 特殊功能寄存器综述存储区 0

地址 名称
存储区 0
00h INDF
01h TMR0
02h PCL
03h STATUS
04h FSR
05h PORTA
06h PORTB RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 xxxx xxxx 36
07h
08h
09h
0Ah PCLATH
0Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RBIE T0IF INTF RBIF 0000 000x 24
0Ch PIR1
0Dh
0Eh TMR1L
0Fh TMR1H
10h T1CON
11h TMR 2
12h T2CON
13h
14h
15h CCPR1L
16h CCPR1H
17h CCP1CON
18h RCSTA SPEN RX9 SREN CREN ADEN FERR OERR RX9D 0000 000x 71
19h TXREG
1Ah RCREG
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh CMCON C2OUT C1OUT
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0
对此存储单元寻址会使用 FSR 的内容对数据存储器寻址 （非物理寄存器） Timer0 模块寄存器 程序计数器 （PC）最低有效字节
IRP RP1 RP0 TO
间接数据存储器地址指针
RA7 RA6 RA5 RA4 RA3 RA2 RA1 RA0 xxxx 0000 31
－ － － 程序计数器高 5 位的写缓冲器
EEIF CMIF RCIF TXIF
16 位 TMR1 最低有效字节的保持寄存器 16 位 TMR1 最高有效字节的保持寄存器
－ －
TMR2 模块寄存器
捕捉 / 比较 /PWM 寄存器 （LSB） 捕捉 / 比较 /PWM 寄存器 （MSB）
USART 发送数据寄存器 USART 接收数据寄存器
TOUTPS3 TOUTPS2 TOUTPS1 TOUTPS0 TMR2ON T2CKPS1 T2CKPS0 -000 0000 52
－
－ －
T1CKPS1 T1CKPS0 T1OSCEN T1SYNC
CCP1X CCP1Y CCP1M3 CCP1M2 CCP1M1 CCP1M0 --00 0000 55
C2INV C1INV CIS CM2 CM1 CM0 0000 0000 61
PD ZDC C
CCP1IF TMR2IF TMR1IF 0000 -000 26
－
TMR1CS TMR1ON --00 0000 48
POR 复位
时的值
xxxx xxxx 28
xxxx xxxx 45
0000 0000 28
0001 1xxx 22
xxxx xxxx 28
---0 0000 28
xxxx xxxx 48
xxxx xxxx 48
0000 0000 52
xxxx xxxx 55
xxxx xxxx 55
0000 0000 77
0000 0000 80
图注： － = 未实现单元，读作 0， u = 未改变， x = 未知， q = 值随条件变化，
阴影 = 未实现
注 1： 如需了解寄存器表的初始化状态，请参见表 14-6 和表 1-7。
详情请见：
(1)
（页）
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表 4-4： 特殊功能寄存器综述存储区 1

地址 名称
存储区 1
80h INDF
81h OPTION RBPU
82h PCL
83h STATUS IRP RP1 RP0 TO
84h FSR
85h TRISA TRISA7 TRISA6 TRISA5 TRISA4 TRISA3 TRISA2 TRISA1 TRISA0 1111 1111 31
86h TRISB TRISB7 TRISB6 TRISB5 TRISB4 TRISB3 TRISB2 TRISB1 TRISB0 1111 1111 36
87h
88h
89h
8Ah PCLATH
8Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RBIE T0IF INTF RBIF 0000 000x 24
8Ch PIE1 EEIE CMIE RCIE TXIE
8Dh
8Eh PCON
8Fh
90h
91h
92h PR2
93h
94h
95h
96h
97h
98h TXSTA CSRC TX9 TXEN SYNC
99h SPBRG
9Ah EEDATA
9Bh EEADR
9Ch EECON1
9Dh EECON2
9Eh
9Fh VRCON VREN VROE VRR
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － －
Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0
对此存储单元寻址会使用 FSR 的内容对数据存储器寻址 （非物理寄存器）
INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0 1111 1111 23
程序计数器 （PC）最低有效字节
PD ZDCC0001 1xxx 22
间接数据存储器地址指针
－ － － 程序计数器高 5 位的写缓冲器
CCP1IE TMR2IE TMR1IE 0000 -000 25
－
－ － － －
Timer2 周期寄存器
波特率发生器寄存器
EEPROM 数据寄存器 EEPROM 地址寄存器
－ － － －
EEPROM 控制寄存器 2 （非物理寄存器）
OSCF
－
WRERR WREN WR RD ---- x000 90
－
VR3 VR2 VR1 VR0 000- 0000 67
－
BRGH TRMT TX9D 0000 -010 73
POR
POR 复位
时的值
xxxx xxxx 28
0000 0000 28
xxxx xxxx 28
---0 0000 28
BOR ---- 1-0x 27
1111 1111 52
0000 0000 73
xxxx xxxx 89
xxxx xxxx 90
---- ---- 90
图注： － = 未实现单元，读作 0， u = 未改变， x = 未知， q = 值随条件变化，阴影 = 未实现 注 1： 如需了解寄存器表的初始化状态，请参见表 14-6 和表 1-7。
详情请见：
(1)
（页）
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表 4-5： 特殊功能寄存器综述存储区 2

地址 名称
存储区 2
100h INDF
101h TMR0
102h PCL
103h STATUS IRP RP1 RP0 TO
104h FSR
105h
106h PORTB RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 xxxx xxxx 36
107h
108h
109h
10Ah PCLATH
10Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RBIE T0IF INTF RBIF 0000 000x 24
10Ch
10Dh
10Eh
10Fh
110 h
111h
112 h
113 h
114 h
115 h
116 h
117 h
118 h
119 h
11A h
11B h
11C h
11D h
11E h
11F h
－ 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0
对此存储单元寻址会使用 FSR 的内容对数据存储器寻址 （非物理寄存器） Timer0 模块寄存器
程序计数器 （PC）最低有效字节
PD ZDCC0001 1xxx
间接数据存储器地址指针
－ － － 程序计数器高 5 位的写缓冲器
POR 复位
时的值
xxxx xxxx 28
xxxx xxxx
0000 0000 28
xxxx xxxx 28
---0 0000 28
图注： － = 未实现单元，读作 0， u = 未改变， x = 未知， q = 值随条件变化，阴影 = 未实现 注 1： 如需了解寄存器表的初始化状态，请参见表 14-6 和表 1-7。
详情请见：
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表 4-6： 特殊功能寄存器综述存储区 3

地址 名称
存储区 3
180h INDF
181h OPTION RBPU
182h PCL
183h STATUS IRP RP1 RP0 TO
184h FSR
185h
186h TRISB TRISB7 TRISB6 TRISB5 TRISB4 TRISB3 TRISB2 TRISB1 TRISB0 1111 1111 36
187h
188h
189h
18Ah PCLATH
18Bh INTCON GIE PEIE T0IE INTE RBIE T0IF INTF RBIF 0000 000x 24
18Ch
18Dh
18Eh
18Fh
190h
191h
192h
193h
194h
195h
196h
197h
198h
199h
19Ah
19Bh
19Ch
19Dh
19Eh
19Fh
－ 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
－ 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － － － 未实现位 － －
Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0
对此存储单元寻址会使用 FSR 的内容对数据存储器寻址 （非物理寄存器）
INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0 1111 1111 23
程序计数器 （PC）最低有效字节
PD ZDCC 0001 1xxx 22
间接数据存储器地址指针
－ － － 程序计数器高 5 位的写缓冲器
POR 复位
时的值
xxxx xxxx 28
0000 0000 28
xxxx xxxx 28
---0 0000 28
图注： － = 未实现单元，读作 0， u = 未改变， x = 未知， q = 值随条件变化，阴影 = 未实现 注 1： 如需了解寄存器表的初始化状态，请参见表 14-6 和表 1-7。
详情请见：
(1)
（页）
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4.2.2.1 STATUS 寄存器
Status 寄存器 （如寄存器 4-1 所示）含有 ALU 的算术
运算结果状态、复位状态及数据存储器 （SRAM）存储 区选择位。
与其他寄存器一样，Status 寄存器也可以是任何指令的 目标寄存器。如果 Status寄存器作为一条影响 Z、DC 或 C 标志位的指令的目标寄存器，则会禁止写入这三个标 志位。根据器件逻辑，这些位会置位或清零。而且，TO 和 PD 位不可写。所以执行一条把 Status 寄存器作为目 标寄存器的指令所得到的结果可能和预想的不一样。
例如，执行指令 CLRF STATUS 将会把 STATUS 寄存器 的高 3 位清零，并将 Z 位置位。这将使 Status 寄存器的 结果为 000uu1uu （其中 u 表示未变化）。
因此，建议仅使用 BCF、 BSF、 SWAPF 和 MOVWF 指令 去改变 Status 寄存器，因为这些指令不会影响任何状态 位。对于其他不影响任何状态位的指令，请参见“指令 集综述”。
注 1：在减法运算中， C 和 DC 位分别作为借位
和辅助借位位。例如 SUBLW 和 SUBWF 指 令。

寄存器 4-1： STATUS — 状态寄存器 （地址：03h、 83h、 103h、 183h）

R/W-0 R/W-0 R/W-0 R-1 R-1 R/W-x R/W-x R/W-x
IRP RP1 RP0 TO
bit 7 bit 0
bit 7 IRP：寄存器存储区选择位 （用于间接寻址）
1= 存储区 2， 3 （100h - 1FFh） 0= 存储区 0， 1 （00h - FFh）
bit 6-5 RP<1:0>：寄存器存储区选择位 （用于直接寻址）
00= 存储区 0 （00h - 7Fh） 01= 存储区 1 （80h - FFh） 10= 存储区 2 （100h - 17Fh） 11= 存储区 3 （180h - 1FFh）
bit 4 TO
bit 3 PD：掉电标志位
bit 2 Z：全零标志位
bit 1 DC：辅助进位 / 借位标志位 （ADDWF、 ADDLW、 SUBLW、 SUBWF 指令影响这些标志位）（对
bit 0 C：进位 / 借位
：超时位
1= 上电后，执行 CLRWDT 指令或 SLEEP 指令 0= 发生了 WDT 超时
1= 在上电后或执行 CLRWDT 指令 0= 执行 SLEEP 指令
1= 算术运算或逻辑运算结果为零 0= 算术运算或逻辑运算结果不是零
于借位，其极性是相反的）
1= 结果中发生了第 4 低位向高位的进位 0= 结果中第 4 低位没有向高位进位
标志位 （ADDWF、 ADDLW、 SUBLW、 SUBWF 指令影响这些标志位）
1= 结果中发生了最高位进位 0= 结果中未发生最高位进位
注： 对于借位，极性是相反的。执行减法是通过加上第二个操作数的二进制补码来完成
的。对于移位指令 （RRF 和 RLF），此位值来自源寄存器的最高位或最低位。
PD ZDCC
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.2.2.2 OPTION 寄存器
OPTION 寄存器是可读写的寄存器，它包含各个控制
位，用来配置 TMR0/WDT 预分频器、外部 RB0/INT 中 断、 TMR0 和 PORTB 弱上拉。

寄存器 4-2： OPTION_REG — 选择寄存器 （地址：81h， 181h）

R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1 R/W-1
RBPU INTEDG T0CS T0SE PSA PS2 PS1 PS0
bit 7 bit 0
bit 7 RBPU：PORTB 上拉使能位
1= 禁止 PORTB 上拉 0= 按各端口锁存器值使能 PORTB 上拉
bit 6 INTEDG：中断触发边沿选择位
1= 在 RB0/INT 引脚的上升沿触发中断 0= 在 RB0/INT 引脚的下降沿触发中断
bit 5 T0CS：TMR0 时钟源选择位
1=RA4/T0CKI/CMP2 引脚的信号作为时钟源 0= 内部指令周期时钟 （CLKOUT）作为时钟源
bit 4 T0SE：TMR0 计数边沿选择位
1= 在 RA4/T0CKI/CMP2 引脚电平发生下跳变时递增 0= 在 RA4/T0CKI/CMP2 引脚电平发生上跳变时递增
bit 3 PSA：预分频器分配位
1= 将预分频器分配给 WDT 0= 将预分频器分配给 Timer0 模块
bit 2-0 PS<2:0>：预分频器分频比选择位
位值 TMR0 分频比 WDT 分频比
000 001 010 011 100 101 110 111
1 : 2 1 : 4 1 : 8 1 : 16 1 : 32 1 : 64 1 : 128 1 : 256
注： 要使 TMR0 的预分频比达到 1:1，应将预分
频器分配给 WDT（PSA=1）。参 见 第 6.3.1 节 “切换预分频器的分配”。
1 : 1 1 : 2 1 : 4 1 : 8 1 : 16 1 : 32 1 : 64 1 : 128
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.2.2.3 INTCON 寄存器
INTCON 寄存器是可读写的寄存器，其中包含除比较器
模块外的所有中断源的允许和标志位。如需了解比较器 中断允许和标志位的说明，请参见第 4.2.2.4 节 “PIE1 寄存器”和第 4.2.2.5 节 “PIR1 寄存器”。
注： 当一个中断条件发生时，不管相应的中断
允许位或全局允许位 GIE （INTCON<7>） 的状态如何，中断标志位都将置位。
寄存器 4-3： INTCON — 中断控制寄存器 （地址：0Bh、 8Bh、 10Bh、 18Bh）
R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-x
GIE PEIE T0IE INTE RBIE T0IF INTF RBIF
bit 7 bit 0
bit 7 GIE：全局中断允许位
1= 允许所有未屏蔽的中断 0= 禁止所有中断
bit 6 PEIE：外设中断允许位
1= 允许所有未屏蔽的外设中断 0= 禁止所有外设中断
bit 5 T0IE：TMR0 溢出中断允许位
1= 允许 TMR0 中断 0= 禁止 TMR0 中断
bit 4 INTE：RB0/INT 外部中断允许位
1= 允许 RB0/INT 外部中断 0= 禁止 RB0/INT 外部中断
bit 3 RBIE：RB 端口电平变化中断允许位
1= 允许 RB 端口电平变化中断 0= 禁止 RB 端口电平变化中断
bit 2 T0IF：TMR0 溢出中断标志位
1=TMR0 寄存器已经溢出 （必须用软件清零） 0=TMR0 寄存器未发生溢出
bit 1 INTE：RB0/INT 外部中断标志位
1= 发生了 RB0/INT 外部中断 （必须用软件清零） 0= 未发生 RB0/INT 外部中断
bit 0 RBIF：RB 端口电平变化中断标志位
1=RB<7:4> 引脚中至少有一个引脚改变了状态 （必须用软件清零） 0=RB<7:4> 各引脚的状态都没有改变
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.2.2.4 PIE1 寄存器
此寄存器包含中断允许位。
寄存器 4-4： PIE1 — 外设中断允许寄存器 1 （地址：8Ch）
R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 U-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0
EEIE CMIE RCIE TXIE
bit 7 bit 0
bit 7 EEIE：EE 写操作完成中断允许位
1= 允许 EE 写操作完成中断 0= 禁止 EE 写操作完成中断
bit 6 CMIE：比较器中断允许位
1= 允许比较器中断 0= 禁止比较器中断
bit 5 RCIE：USART 接收中断允许位
1= 允许 USART 接收中断 0= 禁止 USART 接收中断
bit 4 TXIE：USART 发送中断允许位
1= 允许 USART 发送中断 0= 禁止 USART 发送中断
bit 3 未实现位：读作 0
bit 2 CCP1IE：CCP1 中断允许位
1= 允许 CCP1 中断 0= 禁止 CCP1 中断
bit 1 TMR2IE：TMR2 与 PR2 匹配中断允许位
1= 允许 TMR2 与 PR2 匹配中断 0= 禁止 TMR2 与 PR2 匹配中断
bit 0 TMR1IE：TMR1 溢出中断允许位
1= 允许 TMR1 溢出中断 0= 禁止 TMR1 溢出中断
－
CCP1IE TMR2IE TMR1IE
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.2.2.5 PIR1 寄存器
此寄存器包含中断标志位。
注： 当一个中断条件发生时，不管相应的中断
寄存器 4-5： PIR1 — 外设中断 1 寄存器 （地址：0Ch）
R/W-0 R/W-0 R-0 R-0 U-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0
EEIF CMIF RCIF TXIF
bit 7 bit 0
bit 7 EEIF：EEPROM 写操作中断标志位
1= 写操作完成 （必须用软件清零） 0= 写操作未完成或未开始
bit 6 CMIF：比较器中断标志位
1= 比较器输出发生了改变 0= 比较器输出没有改变
bit 5 RCIF：USART 接收中断标志位
1=USART 接收缓冲器已满 0=USART 接收缓冲器是空的
bit 4 TXIF：USART 发送中断标志位
1=USART 发送缓冲器是空的 0=USART 发送缓冲器已满
bit 3 未实现位：读作 0
bit 2 CCP1IF：CCP1 中断标志位
捕捉模式
1= 发生了 TMR1 寄存器捕捉 （必须用软件清零） 0= 没有发生 TMR1 寄存器捕捉
比较模式
1= 发生了 TMR1 寄存器比较匹配 （必须用软件清零） 0= 没有发生 TMR1 寄存器比较匹配
模式
PWM
在此模式下未使用
bit 1 TMR2IF：TMR2 与 PR2 匹配中断标志位
1= 发生了 TMR2 与 PR2 匹配 （必须用软件清零） 0=TMR2 与 PR2 不匹配
bit 0 TMR1IF：TMR1 溢出中断标志位
1=TMR1 寄存器溢出 （必须用软件清零） 0=TMR1 寄存器没有溢出
允许位或全局允许位 GIE （INTCON<7>） 的状态如何，中断标志位都将置位。用户软 件应在允许一个中断之前，确保先将相应 的中断标志位清零。
－
CCP1IF TMR2IF TMR1IF
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.2.2.6 PCON 寄存器
PCON 寄存器包含用来区分上电复位、外部 MCLR 复
位、 WDT 复位或欠压复位的标志位。
注： BOR 在上电复位时未知。它必须在上电复
寄存器 4-6： PCON — 电源控制寄存器 （地址：8Eh）
U-0 U-0 U-0 U-0 R/W-1 U-0 R/W-0 R/W-x
－ － － －
bit 7 bit 0
bit 7-4 未实现位：读作 0
bit 3 OSCF：INTOSC 振荡器频率位
1= 典型值 4 MHz 0= 典型值 48 kHz
bit 2 未实现位：读作 0
bit 1 POR：上电复位状态位
1= 没有发生上电复位 0= 发生了上电复位 （在上电复位发生之后必须用软件置位）
bit 0 BOR
：欠压复位状态位
1= 没有发生欠压复位 0= 发生了欠压复位 （必须在发生欠压复位后用软件置位）
位后由用户置位，并在接下来的复位中检 查 BOR 位是否为清零状态，从而指示是否 发生的是欠压复位。如果禁止了欠压电路
（将配置字中的 BOREN 位清零），则 BOR
状态位可忽略，也没必要对其内容作出预 测。
OSCF
－
POR
BOR
图注：
R= 可读位 W= 可写位 U= 未实现位，读作 0
-n=POR 时的值 1= 置位 0= 清零 x= 未知
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4.3 PCL 和 PCLATH

程序计数器 （PC）为 13 位宽。它的低字节来自可读写 的 PCL 寄存器。高字节 （PC<12:8>）不可直接读写， 来自 PCLATH。任何复位时， PC 都会被清零。图 4-4 给出了装载 PC 的两种情况。图 4-4 中上面的示例给出 了在写 PCL（PCLATH<4:0> → PCH）时 ，装载 PC 的 过程。图 4-4 中下面的示例给出了在 CALL 或 GOTO 指 令执行时 （PCLATH<4:3> → PCH）装载 PC 的过程。

图 4-4： 在不同情况下装载 PC

PCH PCL
12 8 7 0
PC
PCLATH<4:0>
5
PCLATH
PCH PCL
12 11 10 0
PC
2
87
PCLATH<4:3>
11
8
将
PCL 作为 目标寄存器 的指令
ALU 结果
，CALL
GOTO
操作码 <10:0>
堆栈是作为循环缓冲器使用的。也就是说，压栈 8 次之 后，第 9 次压栈时进栈的数据将覆盖第 1 次压栈存储的 数据。而第 10 次压栈时进栈的数据将覆盖第 2 次压栈 存储的数据，依此类推。
注 1：没有用于表示堆栈溢出或堆栈下溢情形的
状态位。
2：没有称为 PUSH 或 POP 的指令或助记符。
这些是执行 CALL、 RETURN、 RETLW 和 RETFIE 指令，或转到中断向量地址时发 生的操作。

4.4 间接寻址、 INDF 和 FSR 寄存器

INDF 寄存器不是物理寄存器。对 INDF 寄存器寻址将导 致间接寻址。
使用 INDF 寄存器可以实现间接寻址。任何使用 INDF 寄存器的指令实际上访问的是由指针寄存器（FSR）所 指向的寄存器。间接读 INDF 本身会返回 00h。而使用 间接寻址对 INDF 寄存器进行写操作将导致执行一个空 操作 （虽然可能会影响状态位）。有效的 9 位地址是通 过组合 8 位 FSR 寄存器和 IRP 位（STATUS<7>）获 得 的，如图 4-5 所示。
例 4-1所示为一个使用间接寻址清零RAM单元20h-2Fh 的简单程序。
PCLATH
4.3.1 相对 GOTO
相对 GOTO 是通过向程序计数器加一个偏移量（ADDWF PCL）来实现的。当使用相对 GOTO 指令方法进行读表操
作时，要注意表地址是否超过了 PCL 的存储边界 （每 块256个字节）。请参见应用笔记AN556“Implementing
a Table Read”（ DS00556）。
4.3.2 堆栈
PIC16F627A/628A/648A 系列有一个 8 级深度， 13 位
宽的硬件堆栈 （图 4-1）。该堆栈既不占用程序存储空 间也不占用数据存储空间，且栈指针不能读写。当执行 CALL 指令或中断引起程序转移时，PC 的值会被压入堆 栈。而执行 RETURN、 RETLW 或 RETFIE 指令时， PC 值会从堆栈弹出。压栈（PUSH）或出栈（POP）的操 作不会影响 PCLATH。

例 4-1：间接寻址

MOVLW 0x20 ;initialize pointer MOVWF FSR ;to RAM
NEXT CLRF INDF ;clear INDF register
INCF FSR ;inc pointer BTFSS FSR,4 ;all done? GOTO NEXT ;no clear next
;yes continue
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