概要___________________________________
MAX1652〜MAX1655は、小型QSOPパッケージに収め
られた高効率、パルス幅変調(PWM)、ステップダウン
DC-DCコントローラです。MAX1653/MAX1655は、好評
のMAX797のアップグレード版として、ピンコンパチブル
な16ピンSOPパッケージでも提供しています。改良点と
しては、デューティサイクル動作を高めてドロップアウト
を向上させている点、自己消費電流を低減して軽負荷での
効率を向上させている点、さらに出力電圧を1Vまで
下げている点(MAX1655)が挙げられます。
MAX1652〜MAX1655は、ユニークなIdleModeTM同期
整流PWM制御方法を用いて最大96%の効率を達成し、
最大10Aの電流を供給します。これらのデバイスは、
重負荷時のPWM動作と軽負荷時のパルス周波数変調
(PFM)動作を自動的に切り換え、出力電流範囲全体に
わたって効率を最適化します。MAX1653/MAX1655
には、ノイズに敏感なアプリケーション用にロジック
制御の強制PWM動作も備えられています。
これらのデバイスは、いずれも選択可能な150kHz/
300kHzスイッチング周波数で動作し、このスイッチング
周波数は外部クロックと同期させることできます。外部
電源スイッチは両方とも、安価なNチャネルMOSFETで
あるため、抵抗を小さくするだけでなく、スペース及び
コストも節約できます。
MAX1652及びMAX1654は、さらにフィードバックピン
を備えていることから、トランス巻線からタッピング
された低コストの二次出力を安定化することができま
す。MAX1652にはプラス出力が、MAX1654にはマイ
ナス出力が追加されています。
MAX1652〜MAX1655の入力電圧範囲は4.5V〜30V
です。MAX1652/MAX1653/MAX1654の出力電圧範囲
は2.5V〜5.5Vですが 、 MAX1655 の出力電圧範囲の下限
は1Vとなっています。設計を容易にするための評価
キット(MAX1653EVKIT)も用意されています。
アプリケーション_______________________
ノートブックコンピュータ 携帯端末
PDA 移動通信
セルラ電話 配電
ハンドヘルドコンピュータ
特長___________________________________
◆ 効率：96%
◆ 小型16ピンQSOPパッケージ
(16ピンSOPパッケージの半分)
◆ MAX797とピンコンパチブル
(MAX1653/MAX1655)
◆ 下限1Vの出力電圧(MAX1655)
◆ 入力範囲：4.5V〜30V
◆ 99%のデューティサイクルで
低ドロップアウトを実現
◆ 自己消費電流：170
µA
◆ ロジック制御シャットダウン電流：3µA
◆ デュアル、Nチャネル、同期整流制御
◆ 150kHz/300kHz固定PWMスイッチング又は
190kHz〜340kHz同期化
◆ プログラマブルソフトスタート
◆ 低コスト二次出力(MAX1652/MAX1654)
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
19-1357; Rev 1; 7/98
EVALUATION KIT MANUAL
FOLLOWS DATA SHEET
型番___________________________________
選択ガイド_____________________________
ピン配置は、データシートの最後に記載されています。
IdleModeはマキシム社の商標です。
PART
FEEDBACK
VOLTAGE (V)
SPECIAL
FEATURE
COMPATIBILITY
MAX1652 2.5
Regulates positive
secondary voltage
(such as +12V)
Same pin order
as MAX796, but
smaller package
MAX1653 2.5
Logic-controlled,
low-noise mode
Pin-compatible
with MAX797
MAX1654 2.5
Regulates negative
secondary voltage
(such as -5V)
Same pin order
as MAX799, but
smaller package
MAX1655 1
Low output voltages (1V to 5.5V);
logic-controlled,
low-noise mode
Pin compatible
with MAX797
(except for feedback voltage)
PART
MAX1652EEE
-40°C to +85°C
TEMP. RANGE PIN-PACKAGE
16 QSOP
MAX1653EEE -40°C to +85°C 16 QSOP
MAX1654EEE
-40°C to +85°C 16 QSOP
MAX1653ESE
-40°C to +85°C 16 Narrow SO
MAX1655ESE
-40°C to +85°C 16 Narrow SO
MAX1655EEE -40°C to +85°C 16 QSOP
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products
1
無料サンプル及び最新版データシートの入手にはマキシム社のホームページをご利用下さい。http://www.maxim-ic.com
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
2 _______________________________________________________________________________________
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V+ = +15V, GND = PGND = 0V, SYNC = REF, IVL= I
REF
= 0A, TA= 0°C to +85°C, unless otherwise noted.)
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
V+ to GND..............................................................-0.3V to +36V
GND to PGND .......................................................-0.3V to +0.3V
VL to GND ................................................................-0.3V to +6V
BST to GND............................................................-0.3V to +36V
DH to LX.....................................................-0.3V to (BST + 0.3V)
LX to BST..................................................................-6V to +0.3V
SHDN to GND...............................................-0.3V to (V+ + 0.3V)
SYNC, SS, REF, SECFB, SKIP, FB to GND...-0.3V to (VL + 0.3V)
DL to PGND..................................................-0.3V to (VL + 0.3V)
CSH, CSL to GND ....................................................-0.3V to +6V
VL Short Circuit to GND..............................................Momentary
REF Short Circuit to GND...........................................Continuous
VL Output Current...............................................+50mA to -1mA
REF Output Current...............................................+5mA to -1mA
Continuous Power Dissipation (T
A
= +70°C)
SO (derate 8.70mW/°C above +70°C) .......................696mW
QSOP (derate 8.3mW/°C above +70°C) ....................667mW
Operating Temperature Range
MAX165_E_E ..................................................-40°C to +85°C
Storage Temperature Range.............................-65°C to +160°C
Lead Temperature (soldering, 10sec).............................+300°C
Rising edge, falling edge hysteresis = 60mV
Rising edge, falling edge hysteresis = 50mV
SHDN = 2V, 0 < IVL< 25mA, 5.5V < V+ < 30V
Rising edge, falling edge, hysteresis = 22mV (MAX1654)
CSH - CSL, negative
CSH - CSL, positive
Falling edge, rising edge, hysteresis = 22mV (MAX1652)
6V < V+ < 30V
25mV < (CSH - CSL) < 80mV
0 < (CSH - CSL) < 80mV, FB = VL, 6V < V+ < 30V,
includes line and load regulation
External resistor divider
VSS= 4V
0 < (CSH - CSL) < 80mV
VSS= 0V
CONDITIONS
V4.2 4.5 4.7VL/CSL Switchover Voltage
V3.8 3.9 4.0VL Fault Lockout Voltage
V4.7 5.0 5.3VL Output Voltage
-0.05 0 0.05
V
2.45 2.50 2.55
SECFB Regulation Setpoint
mA2.0SS Fault Sink Current
µA2.5 4.0 6.5SS Source Current
V4.5 30Input Supply Range
-50 -100 -160
mV
80 100 120
Current-Limit Voltage
%/V0.03 0.06Line Regulation
1.2
V4.85 5.06 5.255V Output Voltage (CSL)
V
1 5.5
Nominal Adjustable Output
Voltage Range
%
2
Load Regulation
UNITSMIN TYP MAXPARAMETER
0 < (CSH - CSL) < 80mV, FB = 0V, 4.5V < V+ < 30V,
includes line and load regulation
V3.20 3.34 3.463.3V Output Voltage (CSL)
2.5 5.5
MAX1655
MAX1652/MAX1653/
MAX1654
2.43 2.50 2.57
MAX1652/MAX1653/
MAX1654
CSH - CSL = 0V, CSL = FB,
SKIP = 0V, 4.5V < V+ < 30V
MAX1655
V
0.97 1.00 1.03
Feedback Voltage
3.3V AND 5V STEP-DOWN CONTROLLERS
FLYBACK/PWM CONTROLLER
INTERNAL REGULATOR AND REFERENCE
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
_______________________________________________________________________________________ 3
Note 1: Since the reference uses VL as its supply, V+ line-regulation error is insignificant.
Note 2: At very low input voltages, quiescent supply current may increase due to excessive PNP base current in the VL linear
regulator. This occurs if V+ falls below the preset VL regulation point (5V nominal).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V+ = +15V, GND = PGND = 0V, SYNC = REF, IVL= I
REF
= 0A, TA= 0°C to +85°C, unless otherwise noted.)
SECFB, 0 or 4V
SHDN, 0 or 30V
SHDN, SKIP
SYNC
SYNC = 0 or 5V
SYNC = REF
Guaranteed by design, not tested
CSH = CSL = 5.5V
V+ = 4.5V, CSH = CSL = 4.0V (Note 2)
SYNC = 0 or 5V
Falling edge
0 < I
REF
< 100µA
SYNC = REF
SHDN = 0V, CSL = 5.5V, CSH = 5.5V, V+ = 0 or 30V,
VL = 0V
CONDITIONS
0.1
µA
3.0
No external load (Note 1)
Input Current
2.0
V
VL - 0.5
Input High Voltage
%
98 99
97 98
Dropout-Mode Maximum Duty
Cycle
kHz190 340Oscillator Sync Range
ns200SYNC Rise/Fall Time
ns200SYNC Low Pulse Width
ns200SYNC High Pulse Width
125 150 175
kHz
270 300 330
Oscillator Frequency
2.46 2.50 2.54
12Quiescent Power Consumption
18Dropout Power Consumption
515
V+ Shutdown Current
V2.0 2.4Reference Fault Lockout Voltage
mV15Reference Load Regulation
µA0.1 1
CSL, CSH Shutdown Leakage
Current
UNITSMIN TYP MAXPARAMETER
SHDN = 0V, V+ = 30V, CSL = 0 or 5.5V
FB = CSH = CSL = 5.5V, VL switched over to CSLV+ Off-State Leakage Current
DL forced to 2V
FB, FB = REF
CSH, CSL, CSH = CSL ≤ 4V
SYNC, SKIP
A1DL Sink/Source Current
±0.1
70
1.0
SHDN, SKIP
SYNC
0.5
V
0.8
Input Low Voltage
DH forced to 2V, BST - LX = 4.5V A1DH Sink/Source Current
High or low, BST - LX = 4.5V
High or low
Ω1.5 5DH On-Resistance
Ω1.5 5DL On-Resistance
Reference Output Voltage V
OSCILLATOR AND INPUTS/OUTPUTS
37
515
µA
µA
mW
mW
V
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
4 _______________________________________________________________________________________
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V+ = +15V, GND = PGND = 0V, SYNC = REF, IVL= I
REF
= 0A, TA= -40°C to +85°C, unless otherwise noted.) (Note 3)
Note 3: Specifications from 0°C to -40°C are guaranteed by design, not production tested.
0 < (CSH - CSL) < 70mV, FB = VL, 4.5V < V+ < 30V,
includes line and load regulation
0 < (CSH - CSL) < 70mV, FB = VL, 6V < V+ < 30V,
includes line and load regulation
CONDITIONS
V3.16 3.503.3V Output Voltage (CSL)
V4.5 30Input Supply Range
V4.80 5.305V Output Voltage (CSL)
UNITSMIN TYP MAXPARAMETER
CSH - CSL, negative
CSH - CSL, positive
-40 -160
Current-Limit Voltage
V
0.96 1.04
Feedback Voltage
2.40 2.60
mV
70 130
FB = CSH = CSL = 5.5V, VL switched over to CSL
SHDN = 0V, V+ = 30V, CSL = 0 or 5.5V
Rising edge, hysteresis = 60mV
No external load (Note 1)
0 < I
REF
< 100µA
µA15V+ Off-State Leakage Current
µA10V+ Shutdown Current
V
Rising edge, hysteresis = 50mV
SHDN = 2V, 0 < IVL< 25mA, 5.5V < V+ < 30V
4.2 4.7VL/CSL Switchover Voltage
V2.43 2.57Reference Output Voltage
Falling edge, hysteresis = 22mV (MAX1652)
Falling edge, hysteresis = 22mV (MAX1654)
mV15Reference Load Regulation
V3.75 4.05VL Fault Lockout Voltage
V4.7 5.3VL Output Voltage
2.40 2.60
V
-0.08 0.08
SECFB Regulation Setpoint
SYNC = REF
SYNC = 0 or 5V
97
kHz210 320Oscillator Sync Range
kHz
SYNC = REF
120 180
Oscillator Frequency
ns250SYNC High Pulse Width
ns250SYNC Low Pulse Width
250 350
mW2Quiescent Power Consumption
High or low, BST - LX = 4.5V
High or low
SYNC = 0 or 5V
Ω5DH On-Resistance
Ω5DL On-Resistance
%
98
Maximum Duty Cycle
CSH - CSL = 0V, 5V < V+ < 30V,
CSL = FB, SKIP = 0V
6V < V+ < 30V %/V0.06Line Regulation
3.3V and 5V STEP-DOWN CONTROLLERS
FLYBACK/PWM CONTROLLER
INTERNAL REGULATOR AND REFERENCE
OSCILLATOR AND INPUTS/OUTPUTS
MAX1652/MAX1653/
MAX1654
MAX1655
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
_______________________________________________________________________________________ 5
SHDN
DH
+12V
OUTPUT
+5V
OUTPUT
INPUT
6V TO 30V
BST
LX
DL
PGND
CSH
CSL
SS
REF
SYNC
GND
V+
VL
FB
SECFB
MAX1652
MAX1653
MAX1655
SHDN
DH
+3.3V
OUTPUT
INPUT
4.5V TO 30V
BST
LX
DL
PGND
CSH
CSL
SS
REF
SYNC
GND
SKIP FB
V+ VL
標準動作回路_______________________________________________________________________
標準動作特性 ______________________________________________________________________
(Circuit of Figure 1, SKIP = GND, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (3.3V/1A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc01
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 6V
MAX1653
f = 300kHz
V+ = 28V
V+ = 12V
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (3.3V/2A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc02
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 6V
V+ = 28V
V+ = 12V
MAX1653
f = 300kHz
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (3.3V/3A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc03
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 6V
V+ = 28V
V+ = 12V
MAX1653
f = 300kHz
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
6 _______________________________________________________________________________________
MAX1654
SHDN
DH
-5V
OUTPUT
+5V
OUTPUT
INPUT
6V TO 30V
BST
LX
DL
PGND
CSH
CSL
SS
REF
FROM
REF
SYNC
GND
V+
VL
FB
SECFB
標準動作回路(続き) _________________________________________________________________
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
_______________________________________________________________________________________
7
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (5V/3A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc04a
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 28V
V+ = 6V
V+ = 12V
MAX1653
f = 300kHz
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
(Circuit of Figure 1, SKIP = GND, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (3.3V/5A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc04
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 6V
V+ = 28V
V+ = 12V
MAX1653
f = 300kHz
0
10
5
20
15
25
30
010155 202530
PWM-MODE SUPPLY CURRENT vs.
INPUT VOLTAGE (3.3V/3A CIRCUIT)
MAX1652 toc07
INPUT VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT (mA)
MAX1653
SKIP = VL
f = 300kHz
NO LOAD
100
50
0.001 0.1 10.01 10
EFFICIENCY vs.
LOAD CURRENT (1.8V/2.5A CIRCUIT)
60
MAX1652 toc05
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY (%)
70
80
90
V+ = 6V
V+ = 24V
V+ = 12V
MAX1655
f = 300kHz
0.01
0302010 25155
IDLE-MODE SUPPLY CURRENT vs.
INPUT VOLTAGE (3.3V/3A CIRCUIT)
0.1
1
10
MAX1652 toc06
INPUT VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT (mA)
MAX1653
SKIP = 0
NO LOAD
0
4
2
6
8
10
010155 202530
SHUTDOWN SUPPLY CURRENT
vs. INPUT VOLTAGE
MAX1652 toc08
INPUT VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT (mA)
SHDN = 0V
0
10
5
20
15
25
30
0 100 15050 200 250 300 350 400
REF LOAD-REGULATION ERROR
vs. REF LOAD CURRENT
MAX1652 toc010
LOAD CURRENT (µA)
LOAD REGULATION DV (mV)
0
300
900
600
1200
1500
010155 202530
MAX1652 MAXIMUM SECONDARY OUTPUT
CURRENT vs. SUPPLY VOLTAGE
MAX1652 toc12
SUPPLY VOLTAGE (V)
MAXIMUM SECONDARY CURRENT (mA)
V
SEC
> 12.75V,
+5V OUTPUT > 4.75V,
CIRCUIT OF FIGURE 9
+5V LOAD = 0A
+5V LOAD = 3A
0
10
5
20
15
25
50
45
40
35
30
0203010 40 50 60 70 80
VL LOAD-REGULATION ERROR
vs. VL LOAD CURRENT
MAX1652 toc011
LOAD CURRENT (mA)
LOAD REGULATION DV (mV)
OUTPUT
VOLTAGE
LOAD
CURRENT
100mV/div,
AC
2A/div
TIME (10ms)
V
IN
= 15V, 3.3V/3A CIRCUIT
LOAD-TRANSIENT RESPONSE
MAX1652-16
OUTPUT
VOLTAGE
LX
VOLTAGE
10mV/div,
AC
5V/div
TIME (5ms)
V
IN
= 5.1V, NO LOAD, 3.3V/3A CIRCUIT,
SET TO 5V OUTPUT (FB = VL)
DROPOUT WAVEFORMS
MAX1652-15
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
8 _______________________________________________________________________________________
OUTPUT
VOLTAGE
LX
VOLTAGE
10mV/div,
AC
5V/div
TIME (1ms)
V
IN
= 6V, 3.3V/3A CIRCUIT
PULSE-WIDTH-MODULATION
MODE WAVEFORMS
MAX1652-13
OUTPUT
VOLTAGE
LX
VOLTAGE
50mV/div,
AC
5V/div
TIME (2.5ms)
I
LOAD
= 300mA, VIN = 10V, 3.3V/3A CIRCUIT
IDLE-MODE WAVEFORMS
MAX1652-14
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
(Circuit of Figure 1, SKIP = GND, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
0
0.01 1010.1
DROPOUT VOLTAGE vs.
LOAD CURRENT (3.3V/3A CIRCUIT)
100
300
400
200
500
MAX1652 toc09
LOAD CURRENT (A)
DROPOUT VOLTAGE (mV)
OUTPUT SET FOR 5V (FB = VL)
V
OUT
> 4.85V
f = 150kHz
f = 300kHz
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
_______________________________________________________________________________________ 9
端子説明___________________________________________________________________________
DualModeはマキシム社の商標です。
SKIP
(MAX1653/
MAX1655)
ハイの時にパルススキップモードをディセーブルします。通常はGNDに接続して下さい。
SSKKIIPP
は未接続のまま
にしておかないで下さい。SKIPが接地された場合には、デバイスは、負荷電流が最大値の約30%を超えると、
パルススキップ動作から全PWM動作に自動的に切り換わります(表3)。
16 DH
ハイサイドゲート駆動出力。通常はメインバックスイッチを駆動します。DHは、LXスイッチングノード電圧
によってLXからBSTまでスイングするフローティングドライバ出力です。
15 LX
スイッチングノード(インダクタ)接続。ハザードなしにグランドの2V下でスイングできます。
14 BST
ハイサイドゲート駆動用のブーストコンデンサ接続(0.1µF)
13 DL
ローサイドゲート駆動出力。通常は同期整流MOSFETを駆動します。0VからVLまでスイングします。
名称 機 能
1 SS
ソフトスタートタイミングコンデンサ接続。全電流リミットまでのランプタイムは約1ms/nFです。
2
SECFB
(MAX1652/
MAX1654)
二次巻線フィードバック入力。通常は、補助出力からの抵抗分圧器に接続します。
SECFBは未接続のままにしておかないで下さい。
• MAX1652：SECFBはVSECFB=2.50Vで安定化します。使用しない時は、VLに接続して下さい。
• MAX1654：SECFBはVSECFB=0Vで安定化します。使用しない時は、値の大きな電流制限抵抗
(I
MAX
=100µA)を介して負電圧に接続して下さい。
端子
3 REF
リファレンス電圧出力。最小0.33µFでGNDにバイパスして下さい。
7 FB
フィードバック入力。可変モードのフィードバック電圧で安定化します。このFBは、以下の通り固定出力電圧
設定値を選択するDualMode
TM
入力です。
• 3.3V動作ではGNDに接続して下さい。
• 5V動作ではVLに接続して下さい。
• 可変モードでは、FBを抵抗分圧器に接続して下さい。FBを+5VCMOSロジックで駆動すると、システム
制御のもとで出力電圧を変えることができます。
6
SHDN
シャットダウン制御入力、アクティブロー。ロジックスレッショルドは約1V(内部NチャネルMOSFETのVTH)
に設定されます。自動スタートアップを実行する場合は、SHDNをV+に接続して下さい。
5 SYNC
発振器同期及び周波数選択。150kHz動作ではGNDかVLに接続し、300kHz動作ではREFに接続して下さい。
ハイからローへの遷移によって新たなサイクルがスタートします。SYNCは、0〜5Vのロジックレベルで駆動して
下さい(V
IH
及びVILの仕様は「ElectricalCharacteristics」の表を参照)。SYNCキャプチャ範囲は190kHz〜340kHzです。
4 GND
低ノイズアナロググランド及びフィードバックリファレンス点
12 PGND
電源グランド
11 VL
5V内部リニアレギュレータ出力。VLは、このチップの電源電圧範囲にもなります。自動ブートストラップで
は、CSL(V
CSL
>4.5V)を介してVLが出力電圧に切換わります。GNDは4.7µFでバイパスして下さい。外部負荷
では、VLが5mAまで供給できます。
10 V+
バッテリ電圧入力(4.5V〜30V)。0.1µFコンデンサを用いて、V+を、ICの近くのPGNDにバイパスして下さい。
VLに給電するリニアレギュレータに接続して下さい。
9 CSL
電流検出入力、ローサイド。固定出力モードでは、フィードバック入力としても利用できます。
8 CSH
電流検出入力、ハイサイド。電流リミットのレベルは、CSLを基準として100mVです。
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
10 ______________________________________________________________________________________
標準アプリケーション回路_______________
MAX1653の単一出力3.3Vバックコンバータ(図1)は、
入力が30V以下(外部MOSFETの選択により制限を受け
ます)の広範なアプリケーションに容易に適用できます。
この場合、表1の該当する部品に置き替えて下さい
(該当するメーカを表2に示します)。これらの回路は、
コンデンサリップル電流など、ストレス関連パラメータ
で最悪の場合の仕様を満たしながら、コスト、サイズ
及び効率のバランスを上手にとることができます。
これらの回路の周波数を変更する時は、まず部品定数
(特に最大バッテリ電圧でのインダクタンス値)を計算し
直して下さい。
MAX1652及びMAX1654を使用したデュアル出力回路
については、図9及び「二次フィードバックレギュレー
ションループ」の項を参照して下さい。
詳細___________________________________
MAX1652ファミリーはBiCMOSのスイッチモード電源
コントローラで、主として、高効率と低自己消費電流
を不可欠とするバッテリ駆動アプリケーションのバック
トポロジーレギュレータ用に設計されたものです。これ
らの素子は、柔軟なフローティング高速ゲートドライバ
により、ブースト、反転、Cuk等の他のトポロジーでも
良好に動作します。軽負荷での効率は、自動IdleMode
動作、つまりMOSFETゲートチャージによる損失を低減
する可変周波数パルススキップモードによって改善さ
れます。ステップダウンパワースイッチング回路は、
2個のNチャネルMOSFET、1個の整流器、及び1個の
LC出力フィルタで構成されています。出力電圧は、
スイッチングノードのAC電圧の平均値であり、MOSFETスイッチのデューティサイクルを変えることにより
調整されます。ハイサイドのNチャネルMOSFETに
供給されるゲート駆動信号はバッテリ電圧よりも高く
する必要があるため、0.1µFコンデンサをBSTに接続した
フライングコンデンサブースト回路を利用して実現し
ています。
MAX1653
CSL
CSH
VL
SYNC
FB
V+
10 11
57
14
Q1
Q2
16
15
13
D2
CMPSH-3
J1
150kHz/300kHz
JUMPER
NOTE: KEEP CURRENT-SENSE
LINES SHORT AND CLOSE
TOGETHER. SEE FIGURE 8.
D1
12
8
9
REF
3
GND
4
+5V AT
5mA
+3.3V
OUTPUT
GND
OUT
BST
DH
LX
DL
2
1
LOW-NOISE
CONTROL
PGND
SKIP
SS
6
ON/OFF
CONTROL
SHDN
INPUT
REF OUTPUT
+2.5V AT 100mA
C5
0.33mF
C4
4.7mF
C7
0.1mF
C6
0.01mF
(OPTIONAL)
C1
C2
C3
0.1mF
R1
L1
図1. 標準3.3Vアプリケーション回路(部品定数は表1を参照)
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 11
表1. 標準アプリケーション用の部品選択
COMPONENT 3.3V at 1A 3.3V at 2A 5V/3.3V at 3A 3.3V at 5A 1.8V at 2.5A
Frequency 300kHz
300kHz 300kHz 300kHz 150kHz
Q1 High-Side
MOSFET
International Rectifier
1/2 IRF7101
International Rectifier
1/2 IRF7303 or
Fairchild
Semiconductor
1/2 NDS8936
International Rectifier
IRF7403 or
Fairchild
Semiconductor
NDS 8410A
Fairchild
Semiconductor
FDS6680
International Rectifier
1/2 IRF7303 or
Fairchild
Semiconductor
1/2 NDS8936
Q2 Low-Side
MOSFET
International Rectifier
1/2 IRF7101
International Rectifier
1/2 IRF7303 or
Fairchild
Semiconductor
1/2 NDS8936
International Rectifier
IRF7403 or
Fairchild
Semiconductor
NDS 8410A
Fairchild
Semiconductor
FDS6680
International Rectifier
1/2 IRF7303 or
Fairchild
Semiconductor
1/2 NDS8936
C1 Input
Capacitor
10µF, 35V
AVX
TPSD106M035R0300
22µF, 35V
AVX
TPSE226M035R0300
(2) 22µF, 35V
AVX
TPSE226M035R0300
(3) 22µF, 35V
AVX
TPSE226M035R0300
10µF, 25V ceramic
Taiyo Yuden
TMK325F106Z
C2 Output
Capacitor
100µF, 6.3V
AVX TPSC107M006R
220µF, 10V
AVX
TPSE227M010R0100
or Sprague
594D227X001002T
470µF, 6V (for 3.3V)
Kemet
T510X477M006AS
or
(2) 220µF, 10V (for 5V)
AVX
TPSE227M010R011
(3) 330µF, 10V
Sprague
594D337X0010R2T
or
(2) 470µF, 6V
Kemet
T510X477M006AS
470µF, 4V
Sprague
594D477X0004R2T
or
470µF, 6V
Kemet
T510X477M006AS
D1 Rectifier
1N5819 or Motorola
MBR0520L
1N5819 or Motorola
MBRS130LT3
1N5819 or Motorola
MBRS130LT3
1N5821 or Motorola
MBRS340T3
1N5817 or Motorola
MBRS130LT3
R1 Sense
Resistor
70mΩ
Dale WSL-1206-R070F
or IRC LR2010-01-R070
33mΩ
Dale WSL-2010-R033F
or IRC LR2010-01-R033
25mΩ
Dale WSL-2010-R025F
or IRC LR2010-01-R025
12mΩ
Dale WSL-2512-R012F
30mΩ
Dale WSL-2010-R030F
or IRC LR2010-01-R030
L1 Inductor
33µH
Sumida CDR74B-330
15µH
Sumida CDR105B-150
10µH
Sumida CDRH125-100
4.7µH
Sumida CDRH127-4R7
15µH
Sumida CDRH125-150
表2. 部品メーカ
*
Distributor
[1] 602-994-6430602-303-5454Motorola
[1] 408-986-1442408-986-0424Kemet
[1] 512-992-3377512-992-7900IRC
[1] 408-721-1635408-822-2181Fairchild
[1] 605-665-1627605-668-4131Dale
[1] 561-241-9339561-241-7876Coiltronics
[1] 847-639-1469847-639-6400Coilcraft
[1] 516-435-1824516-435-1110Central Semiconductor
[1] 803-626-3123803-946-0690AVX
FACTORY FAX
[Country Code]
USA PHONEMANUFACTURER
Input Range 4.75V to 28V
4.75V to 28V 4.75V to 28V 4.75V to 28V 4.75V to 22V
[1] 408-573-4159408-573-4150Taiyo Yuden
[81] 3-3607-5144847-956-0666Sumida
[1] 603-224-1430603-224-1961Sprague
[1] 408-970-3950
408-988-8000
800-554-5565
Siliconix
[81] 7-2070-1174619-661-6835Sanyo
[81] 3-3494-7414805-867-2555*NIEC
[1] 814-238-0490
814-237-1431
800-831-9172
Murata
FACTORY FAX
[Country Code]
USA PHONEMANUFACTURER
[1] 702-831-3521702-831-0140Transpower Technologies
[1] 714-960-6492714-969-2491Matsuo
[1] 310-322-3332310-322-3331International Rectifier
[1] 847-390-4405847-390-4461TDK
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
12 ______________________________________________________________________________________
MAX1652〜MAX1655は、図2に示すように9つの
主要回路ブロックから構成されています。
PWMコントローラブロック：
• 多入力PWMコンパレータ
• 電流検出回路
• PWMロジックブロック
• デュアルモード内部フィードバックマルチプレクサ
• ゲートドライバ出力
• 二次フィードバックコンパレータ
バイアスジェネレータブロック：
• +5Vリニアレギュレータ
• 自動ブートストラップ切換え回路
• +2.50Vリファレンス
これらの内部ICブロックはバッテリからは直接駆動されま
せん。+5Vリニアレギュレータがバッテリ電圧を降圧し、
ゲートドライバ及びIC内部電源(VLピン)に電力を供給しま
す。同期スイッチゲートドライバは、+5VVLから直接
駆動されますが、ハイサイドスイッチのゲートドライバは、
外部のダイオード・コンデンサブースト回路を介してVL
から間接駆動されます。出力電圧が4.5Vを超えると、自動
ブートストラップ回路によって+5Vリニアレギュレータが
オフになり、その出力電圧によりICが駆動されます。
PWMコントローラブロック
電流モードPWMコントローラの心臓部は多入力開ループ
コンパレータであり、リファレンス電圧に対する出力
電圧誤差信号、電流検出信号、スロープ補償ランプ信号
という3つの信号を加算します(図3)。このPWMコント
ローラは、従来の誤差アンプとこれに付属する位相
シフトが除去されている直接サミング型であり、全出力
電圧範囲にわたってサイクルごとに制御するという
理想的な機能に近いものです。
コントローラは、重負荷のもとでは完全PWMモードで動作
します。発振器からパルスを受ける毎にメインPWMラッチ
が設定され、デューティファクタ(約V
OUT/VIN
)で定められ
る期間だけハイサイドスイッチがオンになります。ハイ
サイドのスイッチがオフになると、同期整流器のラッチが
設定されます。この60ns後にローサイドのスイッチがオン
になり、次のクロックサイクルが始まる(連続モードの
場合)まで、あるいはインダクタ電流がゼロを超える(断続
モードの場合)まで、オンの状態を維持します。インダクタ
電流が100mVの電流リミットのスレッショルドを超える
フォルト状態では、ハイサイドのラッチがリセットされ、
ハイサイドスイッチがオフになります。
IdleModeで軽負荷となると(SKIP =ロー)、インダクタ
電流は、IdleModeコンパレータで設定された25mVの
スレッショルドを超えることはありません。もし、その
スレッショルドを超えた場合は、コントローラは殆ど
の発振器パルスをスキップして、スイッチング周波数
を低減し、ゲートチャージの損失をカットします。Idle
Modeコンパレータは各サイクルが始まるとすぐにハイ
サイドのラッチをリセットするため、軽負荷時の発振
器は事実上ゲートオフされます。ただし、フィード
バック信号がリファレンス電圧レベルよりも低くなる
場合にはゲートオフされません。
PWMモード時のコントローラは、固定周波数電流モード
コントローラとして動作し、入力と出力の電圧比が
デューティ比を設定します。電流モードフィードバック
システムは、出力電圧誤差信号に応じてピークインダクタ
電流を安定化します。平均インダクタ電流はピーク電流と
ほぼ同一になるため、回路はスイッチモードのトランス
コンダクタンスアンプとして動作し、通常デューティファ
クタ制御(電圧モード)PWMで用いられている第２の出力
LCフィルタポールを、さらに高い周波数に上げます。こ
のコントローラでは、スロープ補償ランプをメインPWM
コンパレータ内で加算して、見かけのデューティファクタ
を50%よりも小さくすることで内部ループの安定性を
持続し、再生インダクタ電流「階段波」を除去しています。
電圧及び電流検出入力の相対利得は、メインPWMコン
パレータの3つの差動入力段をバイアスする電流ソース
の値で重み付けされています(図4)。電流コンパレータ
に対する電圧コンパレータの相対利得は、K= 2:1に
内部固定されています。2%の標準負荷レギレーション
誤差は、ここから得られたループ利得(比較的に低い)で
決まります。ループ利得の値が小さいため、ユニティ
ゲインのクロスオーバをより低い周波数に移すことに
よって、出力フィルタコンデンサのサイズとコストを
削減することができます。
出力フィルタコンデンサC2は、フィードバックループ
に主ポールを設定します。このポールは、出力コン
デンサの寄生抵抗(ESR)で導かれてゼロになる前に、
ループ利得を１にロールオフしなければなりません
(「設計手順」の項参照)。12kHzポールゼロ解除フィルタ
は、ユニティゲインのクロスオーバの上にさらに
ロールオフします。この内部12kHz低域補償フィルタ
は、フィルタコンデンサのESRによりゼロを解除しま
す。12kHzフィルタは、固定出力モードでも可変出力
モードでもループに含められています。
同期整流器ドライバ(DLピン)
同期整流は、通常のショットキダイオードを低抵抗
MOSFETスイッチでシャントすることにより、整流器
の伝導損を低減します。又、同期整流器を用いること
で、ブーストゲートドライバ回路の適正な起動も保証
されます。コスト低減等の理由で同期パワーMOSFET
を省く必要がある場合には、2N7002などの小信号
MOSFETで置き替えて下さい。
回路が連続コンダクションモードで動作している場合
MAX1652–MAX1655
______________________________________________________________________________________ 13
MAX1652
MAX1653
MAX1654
MAX1655
1V
CSL
CSH
REF
GND
4V
FB
ADJ FB
5V FB
3.3V FB
SYNC
LPF
12kHz
PWM
COMPARATOR
OUT
V+
BATTERY VOLTAGE
4.5V
VL
TO
CSL
+5V AT 5mA
BST
DH
LX
DL
PGND
SECFB
MAIN
OUTPUT
AUXILIARY
OUTPUT
SHDN
PWM
LOGIC
SHDN
SS
ON/OFF
+2.50V
AT 100mA
+5V LINEAR
REGULATOR
+2.50V
REF
図2. MAX1652〜MAX1655のファンクションダイアグラム
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
MAX1652–MAX1655
14 ______________________________________________________________________________________
SHOOTTHROUGH
CONTROL
R
Q
25mV
R
Q
LEVEL
SHIFT
1ms
SINGLE-SHOT
MAIN PWM
COMPARATOR
OSC
LEVEL
SHIFT
CURRENT
LIMIT
VL
24R
1R
2.5V
4mA
SYNCHRONOUS-
RECTIFIER CONTROL
2.5V (1V, MAX1655)
SS
SHDN
-100mV
(NOTE 1)
COMPARATOR
CSH
CSL
FROM
FEEDBACK
DIVIDER
BST
DH
LX
VL
DL
PGND
S
S
SLOPE COMP
IDLE MODE
COMPARATOR
N
SKIP
(MAX1653/
MAX1655
ONLY)
REF (MAX1652)
GND (MAX1654)
MAX1652, MAX1654 ONLY
SECFB
NOTE 1: COMPARATOR INPUT POLARITIES
ARE REVERSED FOR THE MAX1654.
図3. PWMコントローラの詳細ブロック図
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
MAX1652–MAX1655
______________________________________________________________________________________ 15
には、DL駆動波形は、DHハイサイド駆動波形を補完する
もの(デッドタイムを制御して、クロスコンダクション
あるいは「貫通」を防止します)に過ぎません。断続モード
(軽負荷)では、インダクタ電流がゼロ以下になると同期
スイッチがオフになります。この同期整流器は、
Idle Modeを含めあらゆる条件のもとで動作します。同期
スイッチのタイミングは、二次フィードバッ(SECFB)
信号でさらに制御され、多出力クロスレギュレーション
を向上させます(「二次フィードバックのレギュレーション
ループ」の項参照)。
内部VL及びREF電源
内部レギュレータは、PWMコントローラ、ロジック、
リファレンス、及びその他のブロックを駆動する5V
電源(VL)を生成します。この+5Vの低ドロップアウト
リニアレギュレータは、外部負荷に対して5mAまでの
電流を供給し、又ゲート駆動用電源に対して20mAの
予備電流を供給することができます。VLとGND間を
4.7µFコンデンサでバイパスして下さい。重要：VLは
5.5Vを超えないようにして下さい。このVLは、メイン
出力に全負荷をかけて測定します。VLが5.5Vを超えて
昇圧されている場合は、原因として、ブーストダイ
オードの容量が大きすぎるか、又はV+でのリップル電流
が大き過ぎることが考えられます。D2には小信号
ダイオードだけを使用し(10mA〜100mAのショットキ
又は1N4148が適しています)、パッケージピンに直接
0.1µFを接続してV+とPGND間をバイパスして下さい。
2.5Vリファレンス(REF)の精度は全温度範囲にわたって
±1.6 %となっているため、REFは高精度システム
リファレンスとして最適です。REFとGND間を最小
0.33µFでバイパスして下さい。REFは、外部負荷に対
して1mAまでの電流を供給できます。ただし、V
OUT
又
はREFに対して極めて正確な仕様が不可欠である場合
は、REFに100µAを超えるような負荷をかけないよう
にして下さい。REFに負荷をかけると、リファレンス
電圧の負荷レギュレーション誤差によってメイン出力
電圧が僅かに低下します。MAX1654のアプリケー
ションでは、SECFB分圧器によってREFに重負荷が
かからないようにして下さい。
メイン出力電圧が4.5Vを超える時は、内部Pチャネル
MOSFETスイッチによってCSLがVLに接続され、同時
にVLリニアレギュレータがシャットダウンされます。
この動作によってICがブートストラップされ、内部回路
は、バッテリからリニアレギュレータを介さずに、出力
電圧から直接駆動されます。ブートストラップするこ
とにより、ゲートチャージによる電力消費が少なくな
り、又効率の悪いリニアレギュレータからではなく、
90%効率のスイッチモードのソースから電力を供給す
ることによって、自己消費電流の損失も低減します。
V
OUT
< 4.5Vに設定した回路でも、外部システムの+5 V
電源からVLを駆動することで、ブートストラップの
ような効果が得られることがしばしばあります。この
ような擬似ブートストラップを得るには、ショットキ
ダイオードを、そのカソードがVL側にくるように外部
の+5VソースとVL間に追加します。この回路は1%〜
2%効率のブーストを提供し、さらに最小バッテリ入力
電圧を4Vよりも低下させます。この場合、外部ソース
は4.8V〜5.5Vの範囲にします。
ブーストハイサイド
ゲートドライバ電源(BSTピン)
ハイサイドNチャネルスイッチのゲート駆動電圧は、図5
に示されるようにフライングコンデンサのブースト
回路で生成します。このコンデンサは、ハイサイド
MOSFETのゲート・ソース端子と並列に配置され、VL
電源により交互に充電されます。
スタートアップ時は、同期整流器(ローサイドMOS-
FB
REF
CSH
CSL
SLOPE COMPENSATION
VL
I1
R1 R2
TO PWM
LOGIC
OUTPUT DRIVER
UNCOMPENSATED
HIGH-SPEED
LEVEL TRANSLATOR
AND BUFFER
I2 I3
図4. メインPWMコンパレータのブロック図
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
16 ______________________________________________________________________________________
FET)がLXを0Vにし、BSTコンデンサを5Vに充電しま
す。サイクルの後半では、BSTとDH間の内部スイッチ
を閉じることによって、PWMがハイサイドMOSFETを
オンにします。これにより、ハイサイドスイッチをオン
にするために必要な電圧が供給されます。つまり、5V
のゲート駆動信号をバッテリ電圧を超えてブーストし
ています。
断続コンダクションモード(軽負荷時)でハイサイド
MOSFETゲート(DH)に現れるリンギングは、スイッチング
ノードLXのインダクタと浮遊容量で形成されたタンク
回路の残留エネルギーに起因する自然の動作状態です。
ゲートドライバの負電源電圧はLXを基準とするため、
その場所に発生しているリンギングはいずれも、直接
ゲート駆動出力にカップリングされます。
電流制限及び
電流検出入力(CSH及びCSL)
CSHとCSLの電圧差が100mVを超える時は常に、電流
制限回路によってメインPWMラッチがリセットされ、
ハイサイドMOSFETスイッチがオフになります。この
電流制限は両方向の電流の流れに有効で、スレッショ
ルドリミットを±100mVに設定します。正の電流制限
の許容差は±20 %であるため、十分な負荷能力を保証
するには、外部検出抵抗を80mV/R1としてサイズを定
めますが、部品は120mV/R1の連続電流ストレスに耐
えるように設計する必要があります。
ブレッドボード設計用、あるいは大電流アプリケー
ションでは、PCトレースよりも、ツイストペアで電流
検出入力を配線する方が有用です。
発振周波数及び同期化(SYNC端子)
SYNC入力は発振周波数を制御します。SYNCをGN D
又はVLに接続すると150kHz動作になり、SYNCをREF
に接続すると300kHz動作になります。このSYNC端子
は、外部5VCMOSクロックジェネレータとの同期化に
利用することもできます。SYNCの保証キャプチャ範囲
は190kHz〜340kHzです。
300kHz動作では、部品サイズとコスト面でアプリケー
ション回路が最適となります。150kHz動作では、効率
が改善され、低デューティファクタ動作が向上します
(「ドロップアウト動作」の項参照)。
ドロップアウト動作
クロックパルス幅を広げて最大デューティファクタを
大きくすると、ドロップアウト(低入出力差動動作)が
向上します。このアルゴリズムは次のようになります。
電流制限が行われないうちに出力電圧(V
OUT
)が安定化
しなくなると、コントローラはオフタイム期間をスキップ
します(オンタイムを延長します)。サイクル終了時に
出力がまだ安定化していなければ、別のオフタイム
期間がスキップされます。この動作は、オフタイム期間
が3回スキップされるまで続けられ、事実上、クロック
周波数を4分割します。
標準PWM最小オフタイムは、動作周波数に関係なく
常に300ns で す 。動作周波数を下げると、最大デューティ
ファクタが98%よりも大きくなります。
低ノイズモード(
SSKKIIPP
ピン)
低ノイズモード(SKIP=ハイ)は、オーディオ装備システム、
セルラ電話、RF通信コンピュータ、電磁ペン入力シス
テム等のノイズに敏感なアプリケーションで、RF及び
可聴周波干渉を最小限に抑えるのに有効です。表3の
動作モードの概要を参照して下さい。SKIPは、外部
ロジック信号から駆動できます。
MAX1653及びMAX1655は、負荷及びライン条件に
関係なく一定のスイッチング周波数を保証し、システム
オーディオ又はIF帯域以外の既知周波数にエミッション
を集中させることによって、スイッチングノイズによる
干渉を低減します。発振周波数は、スイッチング周波
数の高調波が感応周波数帯域に重ならないように選択
して下さい。必要な場合は、発振器を許容差の厳しい
外部クロックジェネレータと同期させて下さい。
MAX1652
MAX1653
MAX1654
MAX1655
BST
VL
+5V
VL SUPPLY
BATTERY
INPUT
VL
VL
DH
LX
DL
PWM
LEVEL
TRANSLATOR
図5. ゲートドライバ用ブースト電源
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 17
低ノイズモード(SKIP=ハイ)を使用すると、強制的に
PWMコントローラに2つの変更が加えられます。第１
の変更は、最小電流コンパレータをディセーブルし、
出力が安定化していても各サイクルの初めにPWMラッチ
を設定できるようにすることによって、固定周波数
動作を保証します。第２の変更は、インダクタ電流を
連続的に流すことを保証します。これにより、逆電流
制限検出スレッショルドを0mVから-100mVに変更し、
極めて小さな負荷でインダクタ電流を反転できるよう
にすることで、断続モードのインダクタのリンギング
を抑制できます。
殆どのアプリケーションでは、SKIPをGNDに接続し、
自己消費電流を低減します。SKIPがハイの時の消費電流
は、外部MOSFETゲートの容量とスイッチング損失に
応じて、通常10mA〜20mAです。
SKIPを介した強制連続コンダクションは、トランス結合
された多出力電源のクロスレギュレーションを向上さ
せます。SKIPピンのこの第２の機能は、SECFBフィード
バックピンを介して二次安定化を追加する方法と同じ
結果をもたらしますが、自己消費電流はずっと大きく
なります。但し、MAX1652ファミリでは、SECFBと
SKIPの端子と機能は相互排他的になっているため、
ノイズ仕様の厳しいアプリケーションでは、SECFB
フィードバックを構築するよりもSKIPをイネーブルし
てクロスレギュレーションを向上させる方が有用です。
可変出力フィードバック
(デュアルモードFB端子)
MAX1652〜MAX1655ファミリには、固定出力電圧
モードと可変出力電圧モードがあります。固定モード
の場合、3.3V出力ではFBをGNDに接続し、5V出力で
はFBをVLに接続して下さい。このファミリのデバイス
はいずれも図6の回路を用いて、メイン出力電圧を外部
抵抗で容易に調整できるようになっています。フィード
バック電圧の公称値は、MAX1655を除きすべての
ファミリメンバで2.5Vです。MAX1655は公称FB電圧
が1Vとなっています。MAX1652の負荷レギレーション
誤差を補償するには、出力電圧(図6の式から得られる
値)を約2%高めに設定します。例えば、3.0V出力用の
設計では、公称出力電圧が3.06Vになるような抵抗比
を使用します。この僅かなオフセットにより、最高の
精度を実現します。R5に推奨される公称値は5 kΩ〜
100kΩです。
出力電圧のリモート検出は、固定出力モードでは電圧
及び電流検出入力(CSL)の性質により不可能となりますが、
可変モードでは、外部抵抗分圧器の最上部をリモート
検出点として使用することで、容易に達成できます。
低V
OUT/VIN
比に対する
デューティファクタの制限
MAX1652/MAX1653/MAX1654の出力電圧は下は
2.5Vまで、又MAX1655の出力電圧は僅か1Vまで調整
可能です。但し、動作周波数、高入力電圧、及び低出力
電圧の選択は、最小デューティファクタによって制限
を受ける場合があります。
MAX1652
MAX1653
MAX1654
MAX1655
CSL
CSH
GND
FB
R4
R5
MAIN
OUTPUT
REMOTE
SENSE
LINES
DH
DL
V
OUT
WHERE V
REF
(NOMINAL) = 2.5V (MAX1652–MAX1654)
= 1.0V (MAX1655)
= V
REF
(1 + –––)
R4
R5
V+
図6. 一次出力電圧の調整
SHDN SKIP
LOAD
CURRENT
MODE
NAME
DESCRIPTION
Low X X Shutdown
All circuit blocks
turned off; supply
current = 3µA typ
High Low
Low,
<10%
Idle
Pulse-skipping;
supply current =
300µA typ at VIN=
10V; discontinuous
inductor current
High Low
Medium,
<30%
Idle
Pulse-skipping;
continuous inductor
current
High Low
High,
>30%
PWM
Constant-frequency
PWM; continuous
inductor current
High High X
Low Noise*
(PWM)
Constant-frequency
PWM regardless of
load; continuous
inductor current
even at no load
表3. 動作モードの真理値表
* MAX1652/MAX1654にはSKIPピンがないため、低ノイズ
モードにはなりません。
Ｘ=任意
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
18 ______________________________________________________________________________________
高入力電圧の場合、必要なデューティファクタは約
(V
OUT+VQ2
)/VINです。ここで、VQ2は同期整流器の
電圧降下を示します。MAX1652の最小デューティ
ファクタは、フィードバックネットワーク、誤差コンパ
レータ、内部ロジックゲートドライバ、及び外部MOSFETによる遅延(合計値は通常400ns)で決定されます。
この遅延は、300kHzでスイッチング期間の約12%、
又150kHzで約6%であり、標準最小デューティファクタ
を、これらの値に限定します。
この回路では、入力及び出力電圧で決定される必要な
デューティファクタが得られなくとも、出力電圧は引き
続き安定化状態となります。但し、断続的又は連続的
な半周波数動作が発生していることがあります。この
ような動作が発生すると、出力電圧リップル及び電流
リップルが2倍に増大し、その結果ノイズが増大し、効率
が低下してしまいます。従って高入力電圧/低出力電圧
回路では、150kHz動作を選択して下さい。
二次フィードバックレギュレーションループ
(SECFB端子)
フライバック巻線制御ループは二次巻線出力を安定化
し(MAX1652/MAX1654のみ)、一次側が軽負荷の時
又は入出力差動電圧が低い時にクロスレギュレーション
を向上させます。SECFBが該当するレギュレーション
スレッショルドを超えると、1µsワンショットがトリガ
され、ローサイドスイッチのオンタイムを、インダクタ
電流がゼロを超える点よりも延長します(断続モードの
場合)。これによってインダクタ(一次)電流が反転し、
出力フィルタコンデンサから電流が流れて、フライ
バックトランスが順方向モードで動作します。順方向
モードでトランスの二次巻線が示す低インピーダンス
は、二次出力に電流をダンプし、二次コンデンサを充電
し、SECFBを安定状態に戻します。メイン(一次)出力
に重負荷をかけた場合、通常のフライバックモードで
は、SECFBフィードバックループによって二次出力の
精度が向上することはありません。このモードでは、
二次整流器のドロップ、巻数比、及びメイン出力電圧の
精度によって二次出力の精度が決まります(通常通り)。
従って、厳しい精度仕様を満たすためには、さらにリニア
ポストレギュレータが必要になることもあります。
二次出力電圧レギュレーションポイントは、SECFBの
外部抵抗分圧器によって決まります。負出力電圧の場合
は、SECFBコンパレータはGNDを基準とします
(MAX1654)。正出力電圧の場合は、SECFBが2.50V
リファレンスで安定化します(MAX1652)。その結果、
これら2つのデバイスタイプでは、出力抵抗分圧器の接続
及び設計式が、僅かに異なります(図7)。普通は、二次
レギュレーションポイントは、フライバック効果から
通常得られる電圧の5%〜10%下に設定されます。例
えば、巻数比によって決まる出力電圧が+15Vの場合は、
約+13.5Vが得られるようにフィードバック抵抗比を
設定する必要があります。そうしなければ、SECFB
MAX1654
NEGATIVE
SECONDARY
OUTPUT
MAIN
OUTPUT
DH
V+
SECFB
R3
R2
1-SHOT
TRIG
DL
0.33mF
REF
MAX1652
POSITIVE
SECONDARY
OUTPUT
MAIN
OUTPUT
DH
V+
SECFB
2.5V REF
R3
R2
1-SHOT
TRIG
DL
+V
TRIP
WHERE V
REF
(NOMINAL) = 2.5V= V
REF
(1 + –––)
R2
R3
-V
TRIP
R3 = 100kW (RECOMMENDED)= -V
REF
(–––)
R2
R3
図7. 二次出力フィードバック分圧器
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 19
ワンショットが誤ってトリガされ、消費電流と出力
ノイズが不必要に多くなる可能性があります。負出力
(MAX1654)のアプリケーションでは、抵抗分圧器が
内部リファレンスの負荷の働きをし、メイン出力に誤差
が発生する場合があります。REFには負荷をかけ過ぎ
ないようにして下さい(「標準動作特性」のReference
Load-RegulationErrorvs.LoadCurrentのグラフ参照)。
MAX1654回路では、R3の値には100kΩが適切です。
低入力電圧では、二次巻線アプリケーションの出力
電流は制限されます。図8のアプリケーション回路から
得られたデータについては、「標準動作特性」のMAX1652
Maximum SecondaryOutput Currentvs.Supply
Voltageのグラフを参照して下さい。
ソフトスタート回路(SS)
ソフトスタートにより、起動時に内部電流制限レベルを
徐々に上げることができ、入力サージ電流の低減(および
電源シーケンス)が可能となります。シャットダウン
モードでは、ソフトスタート回路中のSSコンデンサが
グランドに放電されます。SHDNがハイになると、4µA
電流ソースがSSコンデンサを3.2Vまで充電します。得
られたリニアランプ波形により、内部電流制限レベル
は0Vから100mVまで比例的に増加します。この結果、
SSコンデンサの値に応じて、メイン出力コンデンサが
比較的ゆっくりと充電されます。出力の正確な立上り
時間は、出力容量と負荷電流によって決まり、一般に
ソフトスタート容量1ナノファラッドに付き1msです。
SSコンデンサを接続していない時は、10µs以内に最大
電流制限値に達します。
シャットダウン
シャットダウンモード(SHDN = 0V)では、V+電源電流
が通常3µA(typ)まで低減します。このモードでは、
リファレンス及びVLは非アクティブの状態です。
SHDNはロジックレベル入力ですが、V+の全範囲まで
駆動しても問題ありません。自動スタートアップを
行う場合は、SHDNをV+に接続して下さい。SHDNでは、
低速遷移(0.02V/µsより低速)をさせないようにして下
さい。
MAX1652
FB
GND
REF
SYNC
SECFB VL 10
2
11
7
35
14
Si9410
Si9410
D2
EC11FS1
T1 = TRANSPOWER TTI5870
* = OPTIONAL, MAY NOT BE NEEDED
16
15
13
D1
CMPSH
-3A
1N5819
12
8
9
V
IN
(6.5V TO 18V)
+15V AT
250mA
+5V
AT 3A
6
ON/OFF
1
CSL
CSH
BST
V+
DH
LX
DL
PGND
SHDN
SS
0.33mF
C2
4.7mF
C3
15mF
2.5V
220mF
10V
220mF
10V
0.1mF
22mF, 35V
22mF, 35V
0.01mF
20mW
22W*
4700pF*
T1
15mH
2.2:1
49.9k, 1%
210k, 1%
0.01mF
(OPTIONAL)
18V
1/4 W
C2
4.7mF
4
図8. 5V/15Vデュアル出力アプリケーション回路(MAX1652)
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
20 ______________________________________________________________________________________
設計手順_______________________________
設計済みの標準アプリケーション回路(図1及び表1)は、
共通アプリケーション向けにすぐに利用できる解決策
となっています。電圧又は電流条件が異なる場合は、
次に述べる設計手順に従って基本回路を最適化して下
さい。又、設計を始める前に次の事柄を確認して下さい。
V
IN(MAX)
、最大入力(バッテリ)電圧。この値は、バッテリ
を挿入せずにバッテリ充電器又はACアダプタを接続し
た時の無負荷動作など、最悪条件を考慮する必要があ
ります。V
IN(MAX)
は30Vを超えないようにして下さい。
この上限値30Vは、GNDに対するBS Tフローティング
ゲートドライバのブレークダウン電圧(絶対最大電圧
36V)によって決まります。
V
IN(MIN)
、最小入力(バッテリ電圧)。この値は、最低の
バッテリ条件のもとで全負荷をかけたものである必要
があります。V
IN(MIN)
が4.5Vよりも低い場合、外部か
らVLを4.8V以上にするための特別な回路を使用しなけ
ればなりません。最小入出力差が1Vより低い場合は、
良好なAC負荷レギレーションを維持するために必要な
フィルタ容量が増加します。
インダクタ値
正確なインダクタ値はそれ程重要ではありません。
インダクタ値を変えて、サイズ、コスト、効率の間の
バランスを取ることができます。インダクタ値を小さく
すると、サイズとコストは最小になりますが、ピーク
電流が高くなるため、効率も低下します。物理的に最小
のインダクタを使用できるようにするには、連続モード
と断続モードの境界で回路が動作するまでインダク
タンスを下げて下さい。インダクタ値をさらに下げて
このクロスオーバポイントよりも小さくすると、全負荷
時でも断続コンダクション動作が発生します。これを
利用すれば、出力フィルタ容量の要求値を下げること
ができますが、コアエネルギー蓄積の要求値も又増加
してしまいます。これに対しインダク値を高くすると
効率は向上しますが、ある点に達すると、余分なワイヤ
巻数による抵抗損のために、低いAC電流レベルから
得られるメリットがなくなってしまいます。又、高い
インダクタ値は負荷トランジェント応答にも影響します
(「低電圧動作」の項のV
SAG
の式を参照)。
MAX1652ファミリは、主に効率の高いバッテリ駆動
アプリケーションを対象としているため、ここでは連続
コンダクション動作時の計算式を示します。クロス
オーバポイント及び断続モードの計算式については、
マキシム社の"Battery Management and DC-DC
ConverterCircuitCollection"の付録Aを参照して下さ
い。断続コンダクションは、通常のIdleMode動作には
影響ありません。
重要なインダクタパラメータは、インダクタンス値(L)、
ピーク電流(I
PEAK
)、及びDC抵抗(RDC)の3つです。下
に示した式には定数LIRが用いられており、この定数は、
DC負荷電流に対するインダクタのピークトゥピークAC
電流の比です。LIRの値を大きくするとインダクタンス
は小さくできますが、損失及びリップルが増大してし
まいます。サイズと損失の適切な妥協点は、30%の
リップル電流対負荷電流比(LIR=0.3)で求められ、こ
れは、DC負荷電流の1.15倍のピークインダクタ電流に
相当します。
V
OUT(VIN(MAX)
- V
OUT
)
L = ———————————
V
IN(MAX)
x f x I
OUT
x LIR
ここで、 f=スイッチング周波数(通常150kHz又は
300kHz)
I
OUT
=最大DC負荷電流
LIR=ACとDCのインダクタ電流の比(通常0.3)
全負荷時のピークインダクタ電流は、上式を用いると
1.15xI
OUT
になりますが、それ以外の場合には、次式
で計算できます。
インダクタのDC抵抗は、効率を上げるための重要な
パラメータであり、無条件に最小にしなければなりま
せん(I
OUT
= 3Aの場合は、なるべく25mΩ以下)。既製
の標準インダクタが入手できない場合は、LI2定格が
LxI
PEAK
2
を超えるコアを選択し、巻線領域にぴったり
合った最大直径のワイヤをコアに巻き付けて下さい。
300kHzアプリケーションではフェライトコア材料、又
150kHzアプリケーションではKool-mu(アルミ合金)を
強くお勧めします。後者の場合は粉状の鉄も使用でき
ます。軽負荷時の効率が重要でない場合(例えば、5V〜
3Vのデスクトップアプリケーション)は、300kHzでも
透磁率の低い鉄粉コアを使用することができます。大
電流のアプリケーションでは、遮蔽コア形態(トロイダル
コアやポットコア等)を使用することで、ノイズ、EMI、及び
スイッチング波形ジッタを低く抑えることができます。
電流検出抵抗値
電流検出抵抗値は、最悪の場合の低電流リミットスレッ
ショルド電圧(「ElectricalCharacteristics」の表参照)と
ピークインダクタ電流により計算します。以下に示す
連続モードでのピークインダクタ電流の計算は、スイッチ
のサイズ決定とインダクタ電流飽和定格の指定にも
有効です。インダクタ値をLIR = 0.3以下に設定し(高い
インダクタ値)、300kHz動作を選択した場合は、計算
を簡単にするためにI
PEAK
の代わりにI
LOAD
を使用するこ
ともできます。この場合、表面実装の金属被膜抵抗の
ような低インダクタンス抵抗が適しています。
80mV
R
SENSE
= ————
I
PEAK
II
xfxLxV
PEAK LOAD
IN MAX
=+
()
V (V - V)
OUT IN(MAX) OUT
2
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 21
入力コンデンサ値
デバイスに近い場所で、V+とGND間に小型のセラミック
コンデンサ(0.1µF)を接続して下さい。又、ESRの低い
バルクコンデンサをハイサイドMOSFETのドレインに
直接接続して下さい。バルク入力フィルタコンデンサ
は、コンデンサ値ではなく入力リップル電流要件と電圧
定格により選択して下さい。リップル電流要件を満たす
ほどの低い等価直列抵抗(ESR)の電解コンデンサを使用
すれば、十分な容量値が得られます。Sanyo OS-CON
や NichiconPL等のセラミックコンデンサ又は低ESR
アルミ電解コンデンサが最適です。タンタル型も使用
できますが、高い入力サージ電流に対する耐性が低く
なる場合もあります。RMS入力リップル電流は、次に
示すように入力電圧と負荷電流によって決まり、
VIN=2xV
OUT
の時に、最悪のケースが発生します。
出力フィルタコンデンサ値
出力フィルタコンデンサ値は、ESR、容量、及び電圧
定格の要件によって決まります。電解コンデンサと
タンタルコンデンサは、一般に電圧定格とESR仕様に
より選択されます。これは、一般に双方のコンデンサ
の出力容量が、AC安定性に求められる容量よりも大き
いためです。このデバイスに対しては、AVX TPS、
Sprague595D、Sanyo OS-CON、又はNichiconPL
シリーズ等のスイッチングレギュレータ用の特殊低
ESRコンデンサだけを使用して下さい。安定性を保証
するには、次式で得られる最小容量及び最大ESR値を
満たすコンデンサのみを使用して下さい。
V
REF
(1 + V
OUT
/ V
IN(MIN)
)
C
OUT
> ––––––––––––––––———–––
V
OUT
x R
SENSE
x f
R
SENSE
x V
OUT
R
ESR
< ————————
V
REF
(この値に1.5をかけてもよい。以下の注を参照して下さい。)
これらの式は、ジッタのない固定周波数動作を保証し、
ゼロから全負荷までの段階的変化に対して良好に減衰
した出力応答が得られるように、位相マージンを45°
に設定した最悪の場合を想定したものです。コストに
敏感な一部の設計者は、とくに負荷に大きな段階的
変化がない場合は、より安価な(品質の悪い)コンデンサ
を使用することで、以上のルールを曲げたいと思う
場合もあります。その場合、全温度範囲にわたるベンチ
テストを行い、ノイズとトランジェント応答が許容で
きることを確認して下さい。
安定動作と不安定動作間の境界線は、明確に定められ
てはいません。位相マージンが小さくなると、その症状
として先ず僅かなタイミングジッタが発生し、これが
スイッチング波形ではエッジのぼやけとなって現れ、
その範囲がぴったり一致するとは言えなくなります。
技術的に言えば、その時スイッチング周波数が一定
でないために、この(通常)無害なジッタが不安定動作と
なります。コンデンサの品質が低下すると、ジッタが
より顕著になり、負荷トランジェント出力電圧波形の
エッジがギザギザに見えてきます。最終的には、負荷
トランジェント電圧波形のリンギングがひどくなり、
ピークノイズレベルが出力電圧の許容値を超えてしま
います。但し、位相マージンがゼロで非常に不安定で
あっても、出力電圧ノイズは、(少なくとも一定負荷の
もとでは)I
PEAKxRESR
以上に悪化することは絶対にな
いことに注意して下さい。
注：RFコミュニケータ又はノイズ仕様の厳しいその他
のアナログ機器は、慎重に、かつESRガイドラインを
守って設計する必要があります。ノートブックコン
ピュータや同様の民生用温度範囲のディジタルシステム
を設計する場合は、R
ESR
値を1.5倍しても、安定性
又はトランジェント応答が劣化することはありません。
出力電圧リップルは、通常フィルタコンデンサのESR
によって決まり、I
RIPPLExRESR
で概算できます。又、
出力電圧リップルには容量も影響するため、連続モード
でのリップルの全計算式はV
NOISE(p-p)
= I
RIPPLE
x
[R
ESR
+1/(8xfxC
OUT
)となります。IdleModeでは、
インダクタ電流が断続的になり、ピークが高くパルス
間隔が広くなるため、ノイズは、実際には全負荷時
よりも軽負荷時の方が高くなります。IdleModeでの
出力リップルは次式で計算できます。
0.025 x R
ESR
V
NOISE(p-p)
= —————— +
R
SENSE
(0.025)2x L x [1 / V
OUT
+ 1 / (VIN- V
OUT
)]
———————————————————
(R
SENSE
)2x C
OUT
トランスの設計
(MAX1652/MAX1654のみ)
「カップリングインダクタ」トポロジーとも呼ばれる
バック・プラス・フライバックアプリケーションでは、
トランスを使用して複数の出力電圧を生成します。こ
の基本電気設計は、巻数比を計算し、トランスの二次
側に供給される電力を加算して、電流検出抵抗と一次
インダクタンスを求めるという単純な作業です。しか
し、入出力差が極めて小さく、出力負荷レベルの差
及び巻数比が極めて大きい場合は、巻線間容量、二次
抵抗、リークインダクタンス等の寄生トランスパラ
メータによって設計が複雑になることもあります。
実際のトランスで起こり得る例については、「標準動作
特性」のMaximumSecondaryCurrentvs.InputVoltage
のグラフを参照して下さい。
IIx
V
V
I I when V is x V
RMS LOAD
OUT VIN VOUT
IN
RMS LOAD IN OUT
/
( )
=
=
-
22
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
22 ______________________________________________________________________________________
メイン出力及び二次出力からの電力は、メイン出力電圧
を基準とする等価電流を得るためにひとまとめにしま
す(パラメータの説明は「インダクタ値」の項を参照)。
電流検出抵抗の値は、80mV/I
TOTAL
で設定して下さい。
P
TOTAL
=全出力からの出力電力の和
I
TOTAL
=P
TOTAL/VOUT
=V
OUT
を基準とする
等価出力電流
V
OUT(VIN(MAX)
- V
OUT
)
L(primary) = —————————————
V
IN(MAX)
x f x I
TOTAL
x LIR
V
SEC
+ V
FWD
Turns Ratio N = ——————————————
V
OUT(MIN)
+ V
RECT
+ V
SENSE
ここで、V
SEC
=最小限必要な整流後の二次出力電圧
V
FWD
=二次整流器の順方向電圧降下
V
OUT(MIN)
=メイン出力電圧の最小値
(「Electrical Characteristics」より)
V
RECT
=同期整流器MOSFETのオン状態での
電圧降下
V
SENSE
=検出抵抗の電圧降下
正出力(MAX1652)アプリケーションでは、必要とする
巻数比を小さくするため、トランスの二次リターンが、
グランドではなくメイン出力電圧を基準とすることが
しばしばあります。この場合、先ずメイン出力電圧を二次
電圧から引き算してV
SEC
を求めなければなりません。
他の部品の選択_________________________
MOSFETスイッチ
2つの大電流NチャネルMOSFETは、VGS=4.5Vでオン
抵抗仕様を保証するロジックレベルのタイプでなけれ
ばなりません。ゲートスレッショルド仕様が下がるほ
ど(3Vmaxより2Vmaxの方が)適しています。ドレイン
ソースのブレークダウン電圧定格は、できれば20%の
ディレーティング係数で、少なくとも最大入力電圧に
等しくなるようにして下さい。MOSFETは、ゲート電荷
1ナノクーロン当たりのオン抵抗が最小であるものが最適
です。各種のMOSFETを比較する場合は、R
DS(ON)
x
QGの計算値を使用すると便利です。緻密なセル構造を
用いる改良MOSFETプロセス技法は、通常優れた性能
を提供します。内部ゲートドライバは100nC以上の全
ゲート電荷に耐えることができますが、ただし最適な
スイッチング時間を維持するには、70nCがより実用的
な上限となります。
大電流のアプリケーションでは、MOSFETパッケージの
消費電力が主要な設計要因となることが多く、I2R損失
は、デューティファクタに従ってQ1とQ2間で配分され
ます(下の式参照)。ショットキ整流器は、同期整流器が
オンになる前にスイッチングノードをクランプするた
め、スイッチング損失は上位のMOSFETだけに影響し
ます。ゲート電荷ロスは、ドライバによって消費され
るため、MOSFETを加熱することはありません。パッ
ケージの熱抵抗仕様に従って温度上昇を計算すること
で、両方のMOSFETが高い周囲温度でも最高接合部温
度を超えないようにして下さい。ハイサイドMOSFET
では最小バッテリ電圧で、又ローサイドMOSFETでは
最大バッテリ電圧で最悪条件の消費が発生します。
PD (upper FET) = I
LOAD
2
x R
DS(ON)
x DUTY
VINx C
RSS
+ VINx I
LOAD
x f x (––––––––––– +20ns
)
I
GATE
PD (lower FET) = I
LOAD
2
x R
DS(ON)
x (1 - DUTY)
DUTY = (V
OUT
+ VQ2) / (VIN- VQ1+ VQ2)
ここで、オン状態の電圧降下VQ=I
LOAD
xR
DS(ON)
C
RSS
=MOSFETの逆伝達容量
I
GATE
=DHドライバのピーク出力電流能力
(1A(typ))
20ns=DHドライバ固有立上り/立下り時間
出力が短絡された状態では、同期整流器MOSFETが余分
なストレスを受けます。このため、当該素子は、連続
DC短絡に耐えなければならない場合に、そのサイズを
特に大きくする必要があります。短絡の間、次式によ
りQ2のデューティファクタが0 . 9を超えて大きくなる
ことがあります。
Q2DUTY(短絡)=1-[VQ2/(V
IN(MAX)
=VQ1+VQ2)]
ここで、オン状態の電圧降下VQ=(120mV/R
SENSE
)x
R
DS(ON)
です。
整流ダイオードD1
整流ダイオードD1は、ハイサイドMOSFETがオフになって
からローサイドMOSFETがオンになるまでのデッド
タイム60nsの間に、負のインダクタ・スイングをとら
えるためのクランプです。損失の多い寄生MOSFET
ボディダイオードがコンダクションしないようにする
ため、D1はショットキタイプのダイオードでなければ
なりません。D1を使用せずに、ボディダイオードで負
のインダクタ・スイングをクランプすることもできま
すが、この場合、効率が1%〜2%低下します。1.5Aま
での負荷にはMBR0530タイプ(500mA定格)を、又3A
までの負荷には1N5819タイプを、さらに10Aまでの
負荷には1N5822タイプを使用して下さい。D1の定格
逆ブレークダウン電圧は、できれば20%のディレー
ティング係数を用いて、少なくとも最大入力電圧に
等しくなるようにして下さい。
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 23
ブースト電源ダイオードD2
D2としては、10mA〜100mAのショットキダイオード
又は1N4148等の信号ダイオードが、殆どのアプリケー
ションに適用できます。入力電圧が6V以下になる場合は、
ショットキダイオードを使用すると効率及びドロップ
アウト特性が多少向上します。但し、接合部容量が高い
と、VLが高くなり過ぎるため、1N5817や1N4001等
の大型のパワーダイオードの使用は避けて下さい。
整流ダイオードD3
(トランスの二次ダイオード)
結合インダクタのアプリケーションの二次ダイオード
は、60V以上の高いフライバック電圧に耐えなければ
ならないため、通常殆どのショットキ整流器は使用で
きません。1N4001等の普通のシリコン整流器も、低速
すぎるため使用できません。この場合使用できるのは、
MURS120等の高速シリコン整流器だけです。整流器
のフライバック電圧は、次式に示すように、トランス
の巻数比によるVINとV
OUT
間の差に関係します。
V
FLYBACK
= V
SEC
+ (VIN- V
OUT
) x N
ここで、N=トランスの巻数比SEC/PRI
V
SEC
=最大二次DC出力電圧
V
OUT
=一次(メイン)出力電圧
二次巻線がグランドではなくV
OUT
に戻る構成の場合は、
上式のV
FLYBACK
からメイン出力電圧(V
OUT
)を引算して
下さい。ダイオードの逆ブレークダウン定格は、リーク
インダクタンスによるリンギングにも対応しなければ
なりません。D3の電流定格は、二次出力側のDC負荷
電流の少なくとも2倍にして下さい。
低電圧動作_____________________________
低入力電圧及び低入出力差電圧については、それぞれ
設計時に特別の配慮が必要です。絶対入力電圧が低い
と、VLリニアレギュレータはドロップアウトに入り、
結局自ら遮断してしまいます。多出力フライバック
アプリケーションの場合は、出力電圧に対して入力電圧
が低い(低VIN-V
OUT
の差)と、負荷レギレーションが悪く
なりかねません。「トランスの設計」の項を参照して下
さい。又、低VIN-V
OUT
差により、負荷電流が急激に変化
すると出力電圧が低下することもあります。この電圧
低下の大きさは、次式に示すように、インダクタ値及び
最大デューティファクタ(電気特性パラメータD
MAX
、
f=150kH zでは全温度範囲にわたり98 %保証)の関数
となります。
(I
STEP
)2x L
V
SAG
= ———————————————
2 x C
OUT
x (V
IN(MIN)
x D
MAX
- V
OUT
)
低電圧動作における電圧低下に対処するには、出力
コンデンサの値を大きくします。例えば、VIN=5.5V、
V
OUT
=5V、L=10µH、f=150kHz、総容量660µF
にすれば、過剰な電圧低下を防ぐことができます。こ
こでは容量の要求値だけを大きくし、ESRの要求値は
変えないことに注意して下さい。従って、低価格の
バルクコンデンサを通常の低ESRコンデンサと並列に
接続することで、容量をさらに大きくすることができ
ます。低電圧動作に関しては表4に要約されています。
表4. 低電圧に関するトラブルシューティング
5Vシステム電源等、VLは、VBATT以外の
外部ソースから供給して下さい。
VL出力が低すぎるため、最大
4.2VでVLUVLOスレッショルド
に達します。
入力電圧が低い、<4.5V
負荷を加えると起動しない、
又はバッテリが完全になく
ならないうちに停止する
ブーストダイオードD2には、小型の20mA
ショットキダイオードを使用して下さい。
VLは外部ソースから供給して下さい。
VLリニアレギュレータにドロップ
アウトが発生し、十分なゲート
駆動レベルが得られません。
入力電圧が低い、<5V
消費電流が大きい、効率
が悪い
fを150kHzまで下げて下さい。二次イン
ピーダンスを小さくして下さい(できれば
ショットキを使用して下さい)。メイン出力
側の二次巻線をスタックして下さい。
デューティサイクルが足りないため
に、順方向モード動作を開始できま
せん。一次側のAC電流が小さいため、
フライバック動作に必要なエネルギー
が蓄積できていません。
低VIN-V
OUT
差、VIN<
1.3xV
OUT
(main)
二次出力が負荷に対応
できない
最小入力電圧を増大するか、又は無視し
て下さい。
内部低ドロップアウト回路の
正常動作。
低VIN-V
OUT
差 <0.5V
不安定になる(2つの異なる
デューティファクタ間のジッタ)
fを 150kHzに下げて下さい。MOSFETオン
抵抗及びコイルDCRを小さくして下さい。
最大デューティサイクル制限を
超えています。
低VIN-V
OUT
差 <0.5V
ドロップ電圧が高すぎる
(V
IN
が下がると、それに
ともなってV
OUT
も下がる)
上式によりバルク出力容量を大きくして下
さい。インダクタ値を小さくして下さい。
1サイクル当たりのインダクタ電流
スルーレートが制限されています。
低VIN-V
OUT
差 <1V
負荷が段階的に変化すると
V
OUT
が低下又はドループする
対策
原因状態問題
アプリケーション情報___________________
重負荷時の効率の留意点
負荷時の効率低下の主な要因を(重要なものから順に)次
に示します。
• P(I2R)、I2R損失
• P(gate)、ゲート電荷損失
• P(diode)、ダイオード伝導損
• P(tran)、トランジェント損失
• P(cap)、コンデンサESR損失
• P(IC)、ICの動作消費電流による損失
インダクタのAC電流部品は小さいため、重負荷時の
インダクタコアロスはかなり低くなります。従って
この分析では、インダクタコアによる損失は考慮して
いません。特に300kHz動作にはフェライトコアが適して
いますが、Kool-mu等の鉄粉コアでも問題ありません。
効率
=P
OUT
/ PINx 100%
=P
OUT
/ (P
OUT
+ P
TOTAL
) x 100%
P
TOTAL
= P(I2R) + P(gate) + P(diode) + P(tran) +
P(cap) + P(IC)
P(I2R) = (I
LOAD
)2x (RDC+ R
DS(ON)
+ R
SENSE
)
ここで、RDCはコイルのDC抵抗、R
DS(ON)
はMOSFET
オン抵抗、R
SENSE
は電流検出抵抗の値を示します。ハイ
サイド及びローサイドスイッチはインダクタ電流を時間
で共用するため、R
DS(ON)
項に関しては、これらのスイッチ
に同じMOSFETを使用することを前提としています。
異なるMOSFETを使用する場合は、デューティファクタ
に従って平均損失を求めることによって、全体的な損失
を見積ることができます。
P(gate)=ゲート駆動損失 =qGxfxVL
ここで、VLはMAX1652の内部ロジック電源電圧(5V)、
qGはローサイド及びハイサイドスイッチのゲート電荷
の値の合計を示します。同一のMOSFETの場合は、各
MOSFETのデータシート値を2倍した値がqGになりま
す。V
OUT
を4.5Vよりも低く設定した場合は、この式の
VLをV
BATT
で置き換えて下さい。この場合、+5Vシス
テム電源等の高効率5VソースにVLを接続すると、効率
を向上させることができます。
P(diode) =ダイオード伝導損
=I
LOAD
x V
FWD
x tDx f
ここで、tDはダイオード伝導時間(120ns(typ)、V
FWD
はショットキの順方向電圧を示します。
PD(tran) = トランジェント損失 =
V
BATT
x C
RSS
V
BATT
x I
LOAD
x f x(——————— + 20ns
)
I
GATE
ここで、C
RSS
はハイサイドMOSFETの逆伝達容量(データ
シートパラメータ)、I
GATE
はDHゲート駆動のピーク出力
電流(1A(typ))、20nsはDHドライバの立上り/立下り
時間を示します。
P(cap) = 入力コンデンサESR損失 = (I
RMS
)2x R
ESR
ここで、I
RMS
は「設計手順」の「入力コンデンサ値」の項
で計算した入力リップル電流です。
軽負荷時の効率の留意点
軽負荷時は、PWMが断続モードで動作するため、
スイッチングサイクルのある時点で放電されてインダ
クタ電流がゼロになります。この結果、負荷電流に比べ
インダクタ電流のAC成分が高くなり、出力フィルタ
コンデンサのコア損失及びI2R損失が増大します。軽負
荷時に最大の効率を得るためには、ゲート電荷レベル
が妥当なMOSFETを使用し、又フェライト、MPP、又
はその他損失の低いコア材を使用して下さい。鉄粉
コアの使用は避けて下さい。Kool-mu(アルミ合金)より
もフェライトコアの方が適切です。
プリント基板レイアウトの留意点_________
指定されたノイズ、効率、及び安定性の性能を得るた
めには、良好なプリント基板のレイアウトが必要です。
パワースイッチング部品の配置及び高電流配線に関し
ては、プリント基板のレイアウト担当者に、明確な
指示として、なるべく鉛筆で描いたスケッチを提供す
るようにして下さい。例については、MAX1653、
MAX796、及びMAX797評価キットマニュアルの評価
キットプリント基板レイアウトを参照して下さい。
グランドプレーンは、最適な性能を得る上で重要な役割
を果たします。殆どのアプリケーションでは、回路を
多層ボード上に設計し、4つ以上の銅層をフルに活用す
るようお勧めします。この場合、最上層は高電流接続用
として、又最下層はクワイエット接続(REF、SS、
GND)用として、さらに内部層は無遮断グランドプレーン
用として使用します。プリント基板は、次の手順に
従ってレイアウトして下さい。
1) 高電力部品(C1、C2、Q1、Q2、D1、L1、R1)を、
それらのグランドが互いに隣接するように配置します。
優先度1：電流検出抵抗のトレース長を最小にします
(図9参照)。
優先度2：高電流経路のグランドのトレース長を
最小にします(以下の説明参照)。
優先度3：高電流経路の他のトレース長を最小にし
ます。トレースは、幅が5mm以上のもの
を使用して下さい。C1〜Q1：最大長
10mm。D1アノード〜Q2：最大長5mm。
LXノード(Q1ソース、Q2ドレイン、D 1
カソード、インダクタ)：最大長15mm。
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
24 ______________________________________________________________________________________
表面実装型電力部品は、それらのグランド端子がほ
ぼ接触した状態で、互いに密着させて配置するのが
理想的です。これらの高電流グランド(C1-、C2-、
Q2のソース、D 1のアノード、及びPGND)は、ビア
を通らないように、最上層の幅広い銅の充満域で互
いに接続されます。これによって得られた最上層の
「サブグランドプレーン」は、出力グランド端子側の
通常の内部層グランドプレーンに接続します。この
ことから、IR電圧降下及びグランドノイズの干渉を
受けることなく、ICのアナログGNDが電源の出力端子
で確実に検出できることになります。他の高電流経路
も最小にする必要がありますが、グランド及び電流
検出接続部を無条件に短くさせれば、プリント基板
レイアウトで生じる問題の約90%が解消できます。
例については評価キットのプリント基板レイアウト
を参照して下さい。
2) IC及び信号部品を配置します。メインスイッチング
ノード(LXノード)は、高感度アナログ部品(電流検出
トレース、REF、及びSSコンデンサ)から遠ざけて
下さい。この場合、ICとアナログ部品は、ボード上
のパワースイッチングノードの反対側に配置するの
が適切です。重要：ICは電流検出抵抗から10mm以内
の場所に配置して下さい。ゲート駆動トレース(DH、
DL、及びBST)は20mmよりも短くし、CSH、CSL、
REF、及びSSから離して経路を定めて下さい。
3) 入力グランドトレース、パワーグランド(サブグランド
プレーン)、及び通常のグランドプレーンは、これら
全てが電源の出力グランド端子に集るシングル
ポイントスター型グランドトポロジーを採用します。
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 25
MAX1652
MAX1653
MAX1654
MAX1655
SENSE RESISTOR
MAIN CURRENT PATH
FAT, HIGH-CURRENT TRACES
図9. 電流検出抵抗のケルビン接続
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
DH
LX
BST
DL
GND
REF
(SECFB) SKIP
SS
TOP VIEW
MAX1652
MAX1653
MAX1654
MAX1655
PGND
VL
V+
CSL
( ) ARE FOR MAX1652/ MAX1654.
CSH
FB
SHDN
SYNC
QSOP
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
DH
LX
BST
DL
GND
REF
SKIP
SS
MAX1653
MAX1655
PGND
VL
V+
CSL
CSH
FB
SHDN
SYNC
Narrow SO
ピン配置___________________________________________________________________________
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
26 ______________________________________________________________________________________
TRANSISTOR COUNT: 1990
チップ情報_____________________________
パッケージ_________________________________________________________________________
QSOP.EPS
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
______________________________________________________________________________________ 27
パッケージ(続き)___________________________________________________________________
SOICN.EPS
MAX1652–MAX1655
高効率、PWM、ステップダウン
DC-DCコントローラ、16ピンQSOPパッケージ
28 ______________________________________________________________________________________
NOTES
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