Infineon T929N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 929 N 30...36

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

3000 3200 V

RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 3400 3600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

3000 3200 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 3400 3600 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

3100 3300 V

non-repetitive peak reverse voltage 3500 3700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

2200 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom T

average on-state current T
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

=85 °C I

C

=50 °C 1400,4 A

C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

DIN IEC 747-6 (di
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
di

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5th letter F

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

/dt = 1 A/µs

G

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

TAVM

I

TSM

I²t 1900 A²s*10³

/dt)

T

cr

(dvD/dt)

cr

930 A

19500 A
17500 A

1530 A²s*10³

80 A/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung T

on-state voltage T
Schleusenspannung T

vj
vj

vj

= T
= T

= T

vj max, iT
vj max, iT

vj max

= 3600 A v
= 1000 A v

threshold voltage
Ersatzwiderstand T

vj

= T

vj max

slope resistance
Durchlaßkennlinie T

on-state voltage

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

TTTT

Zündstrom

= T

vj

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6 V

A=1,165673
B=3,49E-04

C=-0,0722537
D=1,45E-02

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

= 0,5 V

vj max,vD

vj max,vD

DRM

= 0,5 V

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
t

= 20 µs

g

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T
T

T(TO)

GT

GD

max. 2,70 V
max. 1,48 V

1,00 V

mΩ

0,43

max. 250 mA

max. 2,2 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,25 V

max. 500 mA

max. 2500 mA

R

max. 250 mA

max. 4,5 µs

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther A12/00 Seite/page 1

Technische Information / Technical Information

T 929 N 30...36

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

A12/00

Seite/page 2

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0040 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 500 µs

beidseitig / two-sided, θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0195 °C/W

Anode / anode, θ=180°sin
Anode / anode, DC max. 0,0384 °C/W

Kathode / cathode, θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,0400 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0080 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thJK

vj max

c op

stg

N

Vorläufige Daten

max. 0,0215 °C/W

max. 0,0406 °C/W

max. 0,0424 °C/W

125 °C

-40,,,+125 °C

-40,,,+150 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 20...45 kN
clamping force

Gewicht G typ. 540 g
weight

Kriechstrecke 32 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 929 N 30...36

N

A12/00

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

T 929 N 30...36

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

thJC

N

für DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,001130 0,002100 0,002290 0,006390 0,007580
0,001890 0,006500 0,045600 0,230000 1,134000

0,000660 0,002910 0,003700 0,007000 0,024100
0,001380 0,006140 0,076500 0,374000 6,160000

0,001270 0,002600 0,006000 0,003400 0,027000
0,002010 0,008430 0,126000 0,560000 6,8300

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A12/00

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

6.000

5.000

4.000

T 929 N 30...36

N

[A]

T

i

3.000

2.000

1.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4

A12/00

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

3.500

3.000

2.500

T 929 N 30...36

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[W]

TAV

P

2.000

1.500

1.000

500

0

0 500 1000 1500

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

A12/00

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Berechnungsgrundlage P

(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 929 N 30...36

N

[°C]

80

C

T

60

40

60°

90°

120°

180°

20

0 500 1000 1500

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

TAV

Calculation base P

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

(switching losses should be considered separately)

TAV

A12/00

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Berechnungsgrundlage P

(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P

(switching losses should be considered separately)

Θ

= 30°

120°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 929 N 30...36

N

80

[°C]

C

T

60

40

60° 90°

180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

TAV

TAV

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

A12/00

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Berechnungsgrundlage P

(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P

(switching losses should be considered separately)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 929 N 30...36

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30° 60°

90°

120°

180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

TAV

TAV

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

A12/00

Z.Nr.: 6 Seite/page 9

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Θ

Berechnungsgrundlage P

(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P

(switching losses should be considered separately)

60°

90°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 929 N 30...36

N

80

[°C]

A

T

60

120°

40

Θ = 30°

20

0 50 100 150 200 250 300

I

[A]

TAVM

180°

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

TAV

TAV

BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther

A12/00

Z.Nr.: 7 Seite/page 10

A

TAVM