Infineon T909N Data Sheet

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

Marketing Information

T 901 N T 909 N

+0,1

ø3,5
deepth = 2
on both sides

+0,2

C

A

8,5 max

A 4,8 x 0,8

DIN 46 244

A 2,8 x 0,8

DIN 46 244

ø 48

ø 48

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

HK

G

C

A

HK
plug
4,8 x 0,8

4

G
plug
2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 901 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

2800 3200 3400

2800 3200 3400

2900 3300 3500

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

3500 3600*

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 56°C 1275 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 17000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 1445000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

5.Kennbuchstabe/5th letter F

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 3800 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω
tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

3500 3600*

3600 3700

V

V

2000 A

900 A

19000 A

1805000

A2s
A2s

cr

cr

80 A/µs

1000 V/µs

max. 3,05 V

1,055 V

0,46

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA
max. 10 mA

max. 0,4 V

max. 300 mA

max. 2000 mA

max. 100 mA

max. 1,6 µs

typ. 350 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,0215 °C/W

DC max. 0,0200 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,0376 °C/W

DC max. 0,0360 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,0466 °C/W

DC max. 0,0450 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,004 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 15...24 kN
Gewicht weight T 901 N/T 909 N G typ. 550/540 g
Kriechstrecke creepage distance T 901 N/T 909 N 25/32 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached

* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request

i
[A]

T

5000

4000

3000

2000

1000

P

[W]

3000

TAV

2000

1000

0 Θ

Θ = 3 0°

T 901 N, T 909 N

120°

90°

60°

180°

0

0,5

T 901 N / 1

1,0

3,02,51,5

vT [V]

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßk ennlinie / Limi ting on-state characteristic
iT = f(vT), tvj = t

vj max

140

120

t

c

[°C]

100

80

60

40

20

Θ = 30° 60° 120° 180°

0

T 901 N / 3

90°

800 120 0600200

I

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitig e Kühlun g / Two-sided co oli ng

TAVM

)

Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

4,02,0 3,5

0

0

T 901 N / 2

800 1200600200

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power los s P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

140

0 Θ 0 Θ

t

c

[°C]

120

100

80

60

40

TAVM

[A]

1400400 1000

20

0

T 901 N / 4

Θ = 30° 60°

120° 180°90°

800 1200600200

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlu ng / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

I

TAV

I

TAVM

TAV

)

[A]

1400400 1 000

1400400 1 000

[A]

4000

0 Θ

P

[W]

3000

TAV

Θ = 30°

90°

60°

2000

1000

0

0

T 901 N / 5

1000

Bild / Fig. 5
Durchlaßverlustl eistun g / On-state power los s P
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

120°

TAV

180°

= f(I

I

TAV

TAV

DC

t

c

[°C]

120

100

0 Θ

80

60

40

140

[A]

2000500 1500

20

0

T 901 N / 6

Θ = 30° 60°

1000

120° 180° DC90°

2000500 1500

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 6

)

Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Beid sei tige Kühlung / Two-sided coo li ng

TAVM

)

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ