Infineon T909N Data Sheet

European PowerSemiconductor and Electronics Company

Marketing Information

T 901 N T 909 N

+0,1

ø3,5 deepth = 2 on both sides

+0,2

8,5 max

A 4,8 x 0,8

DIN 46 244

A 2,8 x 0,8

DIN 46 244

ø 48

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

HK plug 4,8 x 0,8

G plug 2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 901 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

2800 3200 3400

2900 3300 3500

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

DRM

, V

RRM

3500 3600*

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 56°C 1275 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 17000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = t

, tp = 10 ms 1445000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

5.Kennbuchstabe/5th letter F

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 3800 A v

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t Haltestrom holding current Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

DSM

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T(TO)

iD, i

= V

DRM

RRM

3500 3600*

3600 3700

2000 A

900 A

19000 A

1805000

A2s A2s

80 A/µs

1000 V/µs

max. 3,05 V

1,055 V

0,46

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA max. 10 mA

max. 0,4 V

max. 300 mA

max. 2000 mA

max. 100 mA

max. 1,6 µs

typ. 350 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

thJC

max. 0,0215 °C/W

DC max. 0,0200 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

thJC(A)

max. 0,0376 °C/W

DC max. 0,0360 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

thJC(K)

max. 0,0466 °C/W

DC max. 0,0450 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,004 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force F 15...24 kN Gewicht weight T 901 N/T 909 N G typ. 550/540 g Kriechstrecke creepage distance T 901 N/T 909 N 25/32 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Maßbild, anliegend outline, attached

* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request

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