Infineon T901N Data Sheet
Technische Information /
technical information
1
2
4
5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T901N
Key Parameters
enndaten
V
/ V
DRM
I
TAVM
I
19000A
TSM
3200V … 3600V
RRM
940A (TC=85°C)
vT0 1,16V
rT 0,494mΩ
R
17,0K/kW
thJC
Clamping Force 15 … 24kN
Max. Diameter 76mm
Contact Diameter 50mm
Height 26mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
Merkmale Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit High surge current capability
Hoher Gehäusebruchstrom High case non-rupture current
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit High di/dt capability
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Typische Anwendungen Typical Applications
Sanftanlasser Softstarter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen Rectifier for Drives Applications
Mittelspannungsumrichter Medium Voltage Drives
Lastgeführte Umrichter Load Commutating Inverter
Kurzschließer-Applikationen Crowbar Applications
content of customer DMX code DMX code DMX code
serial number 1..7 7
SP material number 8..16 9
datecode (production day) 17..18 2
datecode (production year) 19..20 2
datecode (production month) 21..22 2
vT class 23..26 4
QR class 27..30 4
Date of Publication: 2011-05-02
digit digit quantity
Revision: 7.0
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T901N
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 7.0
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Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Tvj = -40°C... T
vj max
V
DRM,VRRM
3200
3400
3600
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
I
TRMSM
1480
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
I
TAVM
940
1160
1350
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
TSM
19000
17000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
1805
1445
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr
300
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter H
(dvD/dt)cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iT = 1200A
vT typ.
Max.
1,5
1,75
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
1
1,16
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
rT
typ.
Max.
0,413
0,494
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 100A iF 1500A
on-state characteristic
Tvj = T
vj max
typ.
A
-0,0764
B
0,00032
C
0,165
D
0,000816
max.
A
-0,0802
B
0,00045
C
0,2085
D
-0,00524
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
max.
350
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V
VGT
max.
2,5
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = T
vj max
, vD = 12 V
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
IGD
max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
VGD
max.
0,4
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IH
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
max.
3
A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
iD, iR
max.
200
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd
max.
2
µs
prepared by:
TM
date of publication:
2011-05-02
approved by:
JP
revision:
7.0
T
TTT
iD)1i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
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