Infineon T879N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
V
1)
*10
3
*10
3
m
Ω
Durchlaßkennlinie
Tvj = T
A= 1,04647
on-state voltage
B=2,313E-04
vT = A + B x i
+ C x ln (i
+ 1) + D x
√
iTC=-5,398E-02
D= 8,494E-03
Ω
Ω
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
A 108/95
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 879 N 12 ...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200 1400
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
1200 1400 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 1600 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
1300 1500 V
non-repetitive peak reverse voltage 1700 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
1750 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85 °C
TC = 68 °C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
879 A
1115 A
I
TSM
17500 A
15500 A
I²t 1530 A²s
1200 A²s
200 A/µs
1000 V/µs
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iT = 3600 A
vj max
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
slope resistance
vj max
T
Zündstrom
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 5
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
RRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
v
V
r
T
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
T
T(TO)
GT
GD
max. 1,95 V
0,85 V
0,27
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 mV
max. 300 mA
max. 1500 mA
R
max. 100 mA
max. 4 µs
1) 1800 V Spannungsklasse auf Anfrage / Voltage class on demand
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 879 N 12 ...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
typ. 250 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0320 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0300 °C/W
Anode / anode, Ž=180°sin max. 0,0537 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0511 °C/W
Kathode / cathode, Ž=180°sin max. 0,0816 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,0732 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 °C/W
einseitig / single-sided max. 0,0100 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
thJC
thCK
vj max
c op
stg
125 °C
-40...125 °C
-40...150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 10,5 ...21 kN
clamping force
Gewicht G typ. 280 g
weight
Kriechstrecke 25 mm
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040 C
f = 50Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
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