Infineon T878N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 878 N 12 ...18

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1200 1400

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1200 1400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 1600 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1300 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

1750 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

TC = 85 °C
TC = 68 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
di

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5th letter F

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

/dt = 1 A/µs

G

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

I

TSM

I²t 1530 A²s

cr

(dvD/dt)

cr

878 A

1115 A

17500 A
15500 A

1200 A²s

200 A/µs

1000 V/µs

V

1)

3

*10

3

*10

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

Tvj = T

, iT = 3600 A

vj max

v

T

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

V

T(TO)

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

slope resistance
Durchlaßkennlinie

Tvj = T

vj max

A= 1,04647
on-state voltage B=2,313E-04
v

= A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x √ i

T

T

C=-5,398E-02

D= 8,494E-03
Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V

I

GT

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

= 0,5 V

vj max,vD

vj max,vD

DRM

= 0,5 V

DRM

I

GD

V

GD

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω

I

H

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 5 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
t

= 20 µs

g

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Tvj = 25°C
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

RRM

I

L

iD, i

gd

R

max. 1,95 V

0,85 V

mΩ

0,27

max. 250 mA

max. 2,2 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,25 V

max. 300 mA

max. 1500 mA

max. 100 mA

max. 4 µs

1) 1800 V Spannungsklasse auf Anfrage / Voltage class on demand

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 878 N 12...18

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

typ. 250 µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0320 °C/W

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0300 °C/W
Anode / anode, Ž=180°sin max. 0,0537 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0511 °C/W
Kathode / cathode, Ž=180°sin max. 0,0816 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,0732 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface R

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0100 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

thJC

thCK

vj max

c op

stg

125 °C

-40...125 °C

-40...150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 10,5 ...21 kN
clamping force

Gewicht G typ. 160 g
weight

Kriechstrecke 17 mm
creepage distance

Feuchteklasse
humidity classification

Schwingfestigkeit
vibration resistance

DIN 40040 C

f = 50Hz 50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther

A

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