Infineon T86N Data Sheet

Marketing Information
T 86 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

C

E-Cu-cable 25mm²

Silicon tube red

8,4

E-Cu-rope 0,5mm²
Siliconcoat red

E-Cu-rope 0,5mm²
Siliconcoat yellow

Plug
6,3 x 0,8

SW27

A

M12

VWK Aug. 1996

T 86 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

600 800 1000 1200

600 800 1000 1200

700 900 1100 1300

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1400 1600 1800*

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 56°C 127 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 2000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 20000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL=8 V, iGM= 0,6 A, diG/dt =0,6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 400 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM =0,6 A, diG /dt =0,6 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

1400 1600 1800*

1500 1700 1900

V

V

200 A

86 A

2300 A

26500

A2s
A2s

cr

cr

150 A/µs

1000 V/µs

max. 1,99 V

1 V

2,6

mΩ

max. 150 mA

max. 1,4 V

max. 5 mA

max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 620 mA

max. 25 mA

max. 3 µs

typ. 200 µs

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,3 °C/W

DC max. 0,28 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+130 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment tightening torque M 20 Nm
Gewicht, Bauform E weight, case design E G typ. 180 g
Kriechstrecke creepage distance 8 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41 892-204B3

* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request

T 86 N

500

400

i

T

[A]

300

200

tvj = +125°C tvj = +25°C

a b

100

0

0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2 ,2 2,4

T 86 N / 1

vT [V]

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ie / On-sta te characteristic iT = f(vT)
a -Typis che Kennlin ien / typical characteris tics
b -Grenzkennl inien / limiting c haracteris tics

120

100

t

C

[°C]

0 Θ

250

0 Θ

200

P

TAV

[W]

150

Θ = 30°

100

50

0

T 86 N / 2

20 40 60 80 100 120

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power los s P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

120

100

t

A

[°C]

60°

TAV

= f(I

I

TAV

TAV

120° 180°

90°

[A]

)

0 Θ

80

60

40

Θ = 30° 60° 90° 120° 180°

20

0 20 40 60 8 0 100 120

T 86 N / 3

I

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitege Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

120

100

t

A

[°C]

80

60

40

Θ = 30° 60° 90° 120° 180°

20

0 10 20 30 4 0 50 60

T 86 N / 5

I

TAVM

TAVM

140 160

[A]

0

70 80

[A]

80

60

40

20

0

T 86 N / 4

Θ = 3 0° 60° 90°

10 20 30 4 0 50 60 70 80 90 10 0

30°

120°

180° 60° 90° 1 20°

I

[A]

TAVM

180°

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässig e Kühlmitteltemperatur / Max. all owable cooling medium
temperature tA = f(I
Kühlkörper / Heatsink: K1.1-M12A

TAVM

)

Luftseb stkü hlung / Natural air-cooling
Verstärkte Luftkühlun g / Forced ai r-cooling, VL = 30 l/ s

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

Θ

Bild / Fig. 5
Höchzulä ssige Küh lmitteltemperatur / Max . allowable coo ling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstkü hlung / Natural air-cool ing

TAVM

)

Kühlk örper / Heatsink : K0.55-M12-A
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ