Infineon T829N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

1)

*10

3

*10

3

m

Ω

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

A= 1,0069

on-state voltage

B= 3,381E-04

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC=-0,02723

D= 8,5423E-03

Ω

Ω

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

A 122/99

Seite/page 1

Phase Control Thyristor

T 829 N 20 ...26

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

2000 2200 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2400 2600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

2000 2200 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2400 2600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

2100 2300 V

non-repetitive peak reverse voltage 2500 2700 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

1800 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C
TC = 60 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

829 A

1145 A

I

TSM

17500 A
15500 A

I²t 1531 A²s

1201 A²s

50 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

Tvj = T

, iT = 1800 A

vj max

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

slope resistance

vj max

T

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, R
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

GK>

= 10

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

v

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T

T(TO)

GT

GD

max. 1,78 V

0,95 V

0,425

max. 250 mA

max. 1,5 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,2 mV

max. 600 mA

max. 2000 mA

R

max. 100 mA

max. 4 µs

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

Seite/page 2

Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

T 829 N 20 ...26

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 350 µs

beidseitig / two-sided, θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0240 °C/W
Anode / anode, ?=180°sin max. 0,0445 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0420 °C/W

Kathode / cathode, θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,0560 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0070 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thCK

vj max

c op

stg

N

max. 0,0265 °C/W

max. 0,0585 °C/W

125 °C

-40...125 °C

-40...140 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 12 ...24 kN
clamping force

Gewicht G typ. 540 g
weight

Kriechstrecke 32 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

A 122/99

Technische Information / Technical Information

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 829 N 20 ...26

N

A 122/99

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Σ

τ

n=1

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

Seite/page 4

Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

T 829 N 20 ...26

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

τ

R

τ

R

τ

thn

thn

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,001230 0,002720 0,003330 0,008230 0,008490

0,001460 0,005630 0,060900 0,239000 1,240000

0,001200 0,002720 0,003580 0,009650 0,004650

0,001440 0,005470 0,061100 0,276000 4,300000

0,001280 0,002910 0,009550 0,003560 0,038700

0,001470 0,006130 0,134000 0,741000 8,810000

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

thJC

for DC

))

n

thJC

N

für DC

A 122/99

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristics i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

4.000

3.500

3.000

2.500

[A]

T

i

T 829 N 20 ...26

N

2.000

1.500

1.000

500

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3

A 122/99

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

3000

2500

2000

T 829 N 20...26

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[A]

1500

TAV

P

1000

500

0

0 200 400 600 800 1000 1200

SZ-MA / 21.05. 1998, K.-A.Rüther

A 122/99

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 829 N 20 ...26

N

[°C]

80

C

T

60

40

60°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

90°

120° 180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

A 122/99

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 829 N 20 ...26

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120° 180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

A 122/99

Z.Nr.: 4 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 829 N 20 ...26

N

80

[°C]

A

T

60

40

90°

120°

180°

60°

Θ = 30°

20

0 50 100 150 200 250 300 350

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

A 122/99

Z.Nr.:6 Seite/page 9

A

TAVM