Infineon T828N Data Sheet

Marketing Information
T 828 N

ø30

C

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø30

A

plug 2,8 x 0,8

2

HK

G
plug
2,8 x 0,8

VWK June

T 828 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

200 400 600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 74°C 955 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 12000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 720000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL = 10 V, iGM= 0,8 A, diG/dt = 0,8 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 2500 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 0,8 A, diG /dt = 0,8 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 0,8 A, diG/dt = 0,8 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

200 400 600 V

250 450 650 V

1500 A

828 A

13500 A

910000

A2s
A2s

cr

cr

300 A/µs

1000 V/µs

max. 1,65 V

1 V

0,23

mΩ

max. 200 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,25 V

max. 200 mA

max. 1000 mA

max. 50 mA

max. 1,4 µs

typ. 150 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,045 °C/W

DC max. 0,041 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,074 °C/W

DC max. 0,070 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,104 °C/W

DC max. 0,1 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,01 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,02 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

140 °C

-40...+140 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 5,5...8 kN
Gewicht weight G 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-152A4

T 828 N

3,5

3,0

i

2,5

T

[kA]

2,0

1,5

1,0

0,5

0

0

T 828 N / 1

0,5 1,5

1,0

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic
iT = f(vT), tvj = t

vj max

140

120

1600

180°

P

[W]

1400

1200

TAV

Θ

0

60°

θ = 30°

120°

90°

800

600

400

200

2,0

V

[V]

T

00100 200 300 600

T 828 N / 2

400 500 700 800 900

I

[A]

TAV

1000

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

Θ

0

120

Θ

0

t

100

c

[°C]

80

60

40

20

0 200 400 600 800

T 828 N / 3

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

TAVM

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

120

100

t

A

[°C]

80

1000

[A]

t

100

c

[°C]

80

60

1200

40

20

0 200 400 600 800

T 828 N / 4

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

TAVM

1000

[A]

1200

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

t

A

[°C]

120

100

Θ

0

Θ

0

80

60

120°

40

20

0 50 100 150 200

T 828 N / 5

θ = 30° 60° 90°

I

TAVM

180°

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.36S
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

250
[A]

300

60

40

20

0 200 300 400

T 828 N / 6

100

θ = 30°

60°

90°

120°

I

TAVM

500

Bild / Fig. 6
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

180°

600

[A]