Infineon T739N Data Sheet

Marketing Information
T 739 N

C

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

+

ø3,5
deepth =

A

H

A 4,8 x
DIN 46

A 2,8 x 0,8
DIN 46 244

G

8,5 max

VWK Aug.

T 739 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

3600 3800 4000

3600 3800 4000

3700 3900 4100

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Kühlung

two-sided cooling

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts­Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

4200

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

tc = 55°C 1100 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 15000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 1125000

vj max

TSM

I2 t

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs (diT/dt)
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

(dv/dt)

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

, iT = 3300 A v

vj max

vj max

vj max

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

= V

vj max, vD

DRM

, vR = V

RRM

V
r

T

GT

GD

V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

T

T(TO)

GT

GD

R

= V

= V

cr

DRM

RRM

4200

4300

V

V

1750 A

730 A

16500 A

1361000

A2s
A2s

cr

50 A/µs

1000 V/µs

max. 3,1 V

1,15 V
0,59

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA
max. 10 mA

max. 0,4 V

max. 300 mA

max. 2000 mA

max. 100 mA

max. 1,6 µs

typ. 450 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,0215 °C/W

DC max. 0,0200 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,0375 °C/W

DC max. 0,0360 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,0465 °C/W

DC max. 0,0450 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,004 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

vj max

c op

stg

120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

Anpreßkraft clamping force F 15...24 kN
Gewicht weight G typ. 550 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached

i
[A]

T

3500

3000

2000

1500

P
[W]

3000

TAV

2000

T 739 N

180°

Θ

0

Θ = 30°

60°

90°

120°

1000

500

0

T 739 N / 1

1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,50,5

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic,
iT = f(vT), tvj = t

vj max

140

120

t

c

[°C]

100

80

60

40

20

0 800

T 739 N / 3

Θ = 60°

90° 120° 180°

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

I

TAVM

vT [V]

[A]

1000

0

0 800

T 739 N / 2

200

400 600 1000

I

TAV

[A]

1200

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

Θ

0

t

c

[°C]

120

100

Θ

0

80

60

40

20

1200200 400 600 1000

0 800

T 739 N / 4

Θ = 60°

90°

120° 180°

I

TAVM

[A]

1200200 400 600 1000

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max . allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

4000

t

c

[°C]

0 Θ 0 Θ

3000

Θ = 30°

60°

90°

120°

2000

1000

0

0

T 739 N / 5

1000

Bild / Fig. 5
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

180°

TAV

= f(I

I

TAV

TAV

DC

140

120

t

c

[°C]

100

80

60

[A]

40

20

2000500 1500

0

T 739 N / 6

Θ = 60°

90° 120° 180°

1000

I

TAVM

DC

2000500 1500

[A]

Bild / Fig. 6

)

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max . allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

T 739 N

140

120

t

c

[°C]

100

80

60

40

20

0 800

T 739 N / 7

Θ = 60° 90°

120° 180° DC

12001000

Bild / Fig. 7
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

2

10

6
4

t

2

gd

[µs]

1

10

6
4

2

0

10

6
4

2

-1

10

1

10

T 739 N / 9

2 4 6

10

2

2 4 6

3

10

Bild / Fig. 9
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
tvj = 25 °C, diG/dt = iGM/1µs

I

[A]

TAVM

max

typ

2 4 6

i

[mA]

GM

0 Θ

20

10

v
[V]

8
6

G

4

c

b

a

2

1,0
0,8

0,6
0,4

0,2

0,1

1

1600200 400 600 1400

10

T 739 N / 8

2 4 6

10

2

2 4 6

10

3

2 4 6

iG [mA]

4

10

Bild / Fig. 8
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with trigging
areas vG = f(iG), VD = 6 V
Parameter: a b c

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Steuerimpulsdauer / trigger puls duration tg [ms] 10 1 0,5

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung /
Max. rated peak gate power dissipation [W] 20 40 60

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

4

10

9
8
7

6

Q

r

5

[µAs]

4

3

2

3

10

4

10

0

10

T 739 N / 10

2 3 4 5 6 7 8

iTM=1000A

1

10

2 3 4 5 6 7 8

-di/dt [A/µs]

2

10

Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
tvj = t
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i

vj max

, vR = 0,5 V

, vRM = 0,8 V

RRM

RRM

TM

0,030

0,025

Z

(th)JC

[°C/W]

Θ

0

0,020

0,015

0,010

0,005

0

-3

2 4 6 2 4 6 2 4 6 2 4 62 4 6

10

T 739 N / 11

Θ=

30°
60°

90°
120°
180°

-2

10

-1

10

0

10

Bild / Fig. 11
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z

= f(t)

thJC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

10

t [s]

0,05

Θ

0

0,04

Z

(th)JC

[°C/W]

0,03

0,02

Θ=

0,01

1

10

0

2

-3

2 4 6 2 4 6 2 4 6 2 4 62 4 6

10

T 739 N / 12

30°
60°

90°
120°
180°

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

t [s]

Bild / Fig. 12
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z

= f(t)

thJC

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

T 739 N

0,030

0 Θ

0,025

Z

(th)JC

[°C/W]

0,020

0,015

0,010

0,005

0

-3

2 4 6 2 4 6 2 4 6 2 4 62 4 6

10

T 739 N / 13

Θ=

30°
60°

90°
120°
180°

DC

-2

10

-1

10

0

10

Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z

= f(t)

thJC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z

per arm for DC

thJC

Beidseitig / Two-sided

R

τ

thn

[s]

n

Pos. n

[°C/W]

1 2 3 4 5
0,0001 0,0019 0,0041 0,0072 0,0067
0,0008 0,0073 0,062 0,204 1,8

1

10

t [s]

pro Zweig für DC

thJC

0,05

0 Θ

0,04

Z

(th)JC

[°C/W]

0,03

0,02

Θ=

10

30°
60°

90°
120°
180°

DC

-2

-1

10

0

10

1

10

2

10

t [s]

0,01

0

2

10

-3

2 4 6 2 4 6 2 4 6 2 4 62 4 6

10

T 739 N / 14

Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z

= f(t)

thJC

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

Anodenseitig / Anode-sided

R

τ

thn

[s]

n

Pos. n

[°C/W]

1 2 3 4 5
0,0001 0,0019 0,0041 0,0061 0,0238
0,0008 0,0073 0,062 0,162 6,5

Kathodenseitig / Cathode-sided

R

τ

thn

[s]

n

Pos. n

[°C/W]

1 2 3 4 5
0,0001 0,0019 0,0041 0,0065 0,0324
0,0008 0,0073 0,062 0,185 6,8

Analytische Funktion / Analytical function:

n

Z

thJC

max

= R

Σ

n=1

(1-e )

thn

t

-

τ

n