Infineon T739N Data Sheet

Marketing Information
T 739 N

C

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

+

ø3,5
deepth =

A

H

A 4,8 x
DIN 46

A 2,8 x 0,8
DIN 46 244

G

8,5 max

VWK Aug.

T 739 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

3600 3800 4000

3600 3800 4000

3700 3900 4100

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Kühlung

two-sided cooling

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts­Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

4200

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

tc = 55°C 1100 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 15000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 1125000

vj max

TSM

I2 t

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs (diT/dt)
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

(dv/dt)

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

, iT = 3300 A v

vj max

vj max

vj max

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 4,7 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

= V

vj max, vD

DRM

, vR = V

RRM

V
r

T

GT

GD

V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

T

T(TO)

GT

GD

R

= V

= V

cr

DRM

RRM

4200

4300

V

V

1750 A

730 A

16500 A

1361000

A2s
A2s

cr

50 A/µs

1000 V/µs

max. 3,1 V

1,15 V
0,59

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA
max. 10 mA

max. 0,4 V

max. 300 mA

max. 2000 mA

max. 100 mA

max. 1,6 µs

typ. 450 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,0215 °C/W

DC max. 0,0200 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,0375 °C/W

DC max. 0,0360 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,0465 °C/W

DC max. 0,0450 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,004 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

vj max

c op

stg

120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

Anpreßkraft clamping force F 15...24 kN
Gewicht weight G typ. 550 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached