Infineon T729N Data Sheet

Marketing Information T 729 N

European PowerSemiconductor and Electronics Company

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

ø 48

HK plug 4,8 x 0,8

plug 2,8 x 0,8

VWK June 1996

T 729 N / T 730 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

3600 3800 4000

3700 3900 4100

Charakteristische Werte

Characteristic values

=0,67

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Kühlkörper/heatsinks: K0,05F; K0,08F; 2K0,024W

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I

Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

repetitive peak forward off-state and

tvj = -40°C...t tvj = -40°C...t

vj max

DRM

DSM

RSM

TRMSM

TAVM

tc = 48°C 1170 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 15800 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = t

, tp = 10 ms 1250000

vj max

TSM

I2 t

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)

vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD =0,67 V

vj max

DRM

(dvD/dt)cr

5.Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs

5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs

, V

RRM

V V V

1840 A

730 A

17600 A

1550000

A2s A2s

80 A/µs

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 3500 A v

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t Haltestrom holding current Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 2 Ω tvj = 25 °C,vD = 6 V, R

≥ 10 Ω

iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1A,

diG/dt=1A/µs

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t

, iTM=i

vj max

, dvD/dt=20V/µs,-diT/dt=10A/µs,

DRM

, vRM=100 V, v

TAVM

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface R

beidseitig/two-sided, Θ =180° sin beidseitig/two-sided, DC max. 0,0200 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin Anode/anode, DC max. 0,0390 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin Kathode/cathode, DC max. 0,0410 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface R

beidseitig/two-sided max. 0,0035 °C/W

einseitig/single-sided max. 0,0070 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t

V r

V I

iD, i t

vj max

c op

stg

T(TO)

thJC

thCK

max. 3,4 V

1,2 V

0,57

mΩ

max. 300 mA

max. 2,5 V

max. 20 mA max. 10 mA

max. 0,3 V

max. 300 mA

max. 2500 mA

max. 200 mA

max. 3,5 µs

typ. 400 µs

max. 0,0215 °C/W

max. 0,0405 °C/W

max. 0,0425 °C/W

120 °C

-40...+120 °C

-40...+150 °C

Si-Element mit Druckkontakt,AmplifyingAnpreßkraft clamping force F 18...43 kN

Gewicht weight G typ. 540 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Gehäuse Case Titelseite / front page

Si-pellet with pressure contact,amplifying

Durchmesser/diameter 56 mm

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