Infineon T718N Data Sheet
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European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
T 718 N T 719 N
ø3,5 x 2 deep
on both sides
ø36
ø36
ø36
C
A
+0,1
3,5
x 3,5 deep
HK
4,8 x 0,8
G
2
plug
2,8 x 0,8
on both sides
ø36
C
A
HK
plug 4,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
4
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T 718 N T 719 N
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und RückwärtsSpitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current t
Stoßstrom-Grenzwert surge current t
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage t
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
voltage
2
I
t-value
tvj = -40°C...t
t
= -40°C...t
vj
= +25°C...t
vj
= 85°C I
c
t
= 64°C 955 A
c
= 25°C, tp = 10 ms I
vj
t
= t
vj
= 25°C, tp = 10 ms
t
vj
t
= t
vj
v
≤ 67%, v
D
v
= 10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
L
= t
vj
vj max
vj max
vj max
, tp = 10 ms 12500 A
vj max
, tp = 10 ms
vj max
, f = 50 Hz
DRM
, vD = 67% V
vj max
DRM
V
DRM
, V
RRM
600 800 1000
1200 1400 1600*
V
DSM
= V
DRM
600 800 1000
1200 1400 1600*
V
RSM
700 900 1100
1300 1500 1700
TRMSM
TAVM
TSM
2
I
t 1,051 . 106A2s
/dt)
(di
T
cr
(dv/dt)
cr
1500 A
719 A
14500 A
0,781 . 10
120 A/µs
1000 V/µs
6A2
V
V
V
s
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance t
Zündstrom gate trigger current t
Zündspannung gate trigger voltage t
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents t
Zündverzug gate controlled delay time t
, iT = 3 kA v
vj max
vj max
= t
vj
vj max
= 25 °C, vD = 6 V I
vj
= 25 °C, vD = 6 V V
vj
= t
, vD = 6 V I
vj
vj max
= t
, vD = 0,5 V
vj
vj max
t
= 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
vj
t
= 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
vj
i
= 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
= t
vj
vj max, vD
=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
vj
= V
DRM
DRM
, vR = V
RRM
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand für
beidseitige Kühlung
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
thermal resistance, junction to case for
two-sided cooling
Θ =180° el, sin
DC max. 0,036°C/W
Θ =180° el, sin
DC max. 0,065°C/W
Θ =180° el, sin
DC max. 0,08°C/W
einseitig/one-sided max. 0,01°C/W
T
V
r
T
GT
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
q
R
R
R
vj max
c op
stg
T(TO)
GT
GD
R
thJC
thJC(A)
thJC(K)
thCK
max. 1,94 V
0,85 V
0,35
mΩ
max. 250 mA
max. 1,5 V
max. 10 mA
max. 0,2 V
max. 300 mA
max. 1,5 A
max. 80 mA
max. 4 µs
typ. 250 µs
max. 0,038°C/W
max. 0,068°C/W
max. 0,082°C/W
max. 0,005°C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 9...18 kN
Gewicht weight T 718 N/T 719 N G typ. 160/270 g
Kriechstrecke creepage distance T 718 N/T 719 N 17/25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-153 D4/-153C4
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
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