Infineon T709N Data Sheet

Marketing Information
T 709 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

ø 48

ø 48

C

A

HK
plug
4,8 x 0,8

G

4

plug
2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 709 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

2000 2200 2400

2000 2200 2400

2100 2300 2500

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

2600

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 61°C 960 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 13000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL = 10 V, iGM= 1,5 A, diG/dt = 1,5 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

5.Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs

5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 3 kA v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1,5 A, diG /dt = 1,5 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1,5 A, diG/dt = 1,5 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

= V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

= V

DRM

RRM

2600

2700

1500 A

700 A

14500 A

I2 t 1,05 . 106A2s

0,845 . 106A2s

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

cr

cr

50 A/µs

max. 2,84 V

1,05 V
0,53

mΩ

max. 300 mA

max. 1,5 V

max. 10 mA

max. 0,3 V

max. 600 mA

max. 2 A

max. 100 mA

max. 5,5 µs

typ. 300 µs

V

V

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,029 °C/W

DC max. 0,028 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,043 °C/W

DC max. 0,042 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,085 °C/W

DC max. 0,084 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,004 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 12...29 kN
Gewicht weight G typ. 540 g
Kriechstrecke creepage distance 32 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-155B4