Marketing Information
T 699 N / T 708 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
+0,1
3,5
on both
ø36
ø36
x
C
A
plug 4,8
plug
4
ø36
ø36
HK
G
ø3,5 x 2 deep
on both sides
2
2,8 x 0,8
C
HK
G
A
G
plug
VWK Aug. 1996
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Mechanische Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact,amplifying
Periodische Vorwärts- und RückwärtsSpitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
1800 2000 2200 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
tc = 64°C 950 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 12200 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms 744000
vj max
TSM
I2 t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f = 50 Hz (diT/dt)
iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
(dvD/dt)
5.Kennbuchstabe/5th letter F
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, iT = 2850 A v
vj max
vj max
vj max
, vD = 6 V I
vj max
tvj = t
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > 10 Ω
DRM
DRM
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
V
GD
I
H
I
L
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t
V
DRM
= V
vj max, vD
vj max
, iTM=i
, vR = V
DRM
TAVM
RRM
, vRM=100V, vDM=0,67
, dvD/dt=20V/µs, -
iD, i
t
gd
t
q
R
4.Kennbuchstabe/4th letter O
= V
= V
1800 2000 2200 V
DRM
1900 2100 2300 V
RRM
1500 A
699 A
13500 A
911000
A2s
A2s
cr
cr
200 A/µs
1000 V/µs
max. 2,32 V
0,95 V
0,45
mΩ
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 V
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 100 mA
max. 4,0 µs
typ. 300 µs
Innerer Wärmewiderstand, beidseitig thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,0320 °C/W
DC max. 0,0300 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(A)
max. 0,0537 °C/W
DC max. 0,0511 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(K)
max. 0,0816 °C/W
DC max. 0,0732 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
thCK
max. 0,005 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,010 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-
Anpreßkraft clamping force F 10,5...21 kN
Gewicht weight G typ. 280 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached