Infineon T659N Data Sheet
Marketing Information
T 659 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
+0,1
3,5
x 3,5 deep
on both sides
ø36
ø36
C
A
HK
plug 4,8 x 0,8
plug
2,8 x 0,8
4
G
SDB-MA 22.11.1996
T 659 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
non-repetitive peak forward off-state
voltage
TRMSM
TAVM
TSM
vj max
I2 t-value
I2 t
A2s
vj max
A2s
cr
vj max
DRM
cr
Charakteristische Werte
Characteristic values
vj max
T
vj maxVT(TO)
vj maxrT
GT
GT
vj max
GD
vj max
DRM
vj max
DRMVGD
Ω
H
GK
Ω
L
vj max, vD
DRM
RRMiD
R
DIN IEC 747-6, t
=25°C, i
=1A,
diG/dt=1A/µs
tvj=t
, iTM=i
, vRM=100 V, v
=0,67
4.Kennbuchstabe/4th letter O
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thJC
thCK
vj max
c op
stg
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
tvj = -40°C...t
tvj = +25°C...t
vj max
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
tc = 85°C I
tc = 56°C
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz,
vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tvj = t
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
, vD =0,67 V
5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
tvj = t
Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
, iT = 2850 A v
tvj = t
tvj = t
tvj = 25 °C, vD = 6 V I
tvj = 25 °C, vD = 6 V V
tvj = t
, vD = 6 V I
tvj = t
, vD = 0,5 V
tvj = t
, vD = 0,5 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, R
≥ 10
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents
Zündverzug gate controlled delay time
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
tvj = t
v
DRM
= V
, vR = V
vj
vj max
TAVM
, dvD/dt=20V/µs,-diT/dt=10A/µs,
V
, V
DRM
RRM
V
DSM
V
RSM
I
2200 2400 2600 V
2200 2400 2600 V
2300 2500 2700 V
1500 A
659 A
955 A
13000 A
11500 A
845000
660000
(di/dt)
150 A/µs
(dv/dt)
max. 2,53 V
1 V
0,5
mΩ
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 V
I
I
, i
GM
DM
t
gd
t
q
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 100 mA
max. 4 µs
typ. 300 µs
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin
R
max. 0,033 °C/W
beidseitig/two-sided, DC max. 0,03 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin
max. 0,0537 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,0511 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin
max. 0,0816 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,0732 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface
R
beidseitig/two-sided max. 0,005 °C/W
einseitig/single-sided max. 0,01 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
t
t
t
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Anpreßkraft clamping force F 10,5...21 kN
Gewicht weight G typ. 280 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
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