Infineon T658N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
m
A
e
F
e
4
/
s
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
= - 40°C...T
vj
vj max
V
DRM
, V
RRM
2200 2400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung T
= - 40°C...T
vj
vj max
V
DSM
2200 2400 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 2600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung T
= + 25°C...T
vj
vj max
V
RSM
2300 2500 V
non-repetitive peak reverse voltage 2700 V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
1500 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstro
TC= 85 °C I
TAVM
659
average on-state current TC = 56 °C 955 A
Stoßstrom-Grenzwert T
surge current T
Grenzlastintegral T
I²t-value T
= 25°C, tp = 10 ms I
vj
= T
vj
vj
vj
, tp = 10 ms 11500 A
vj max
= 25°C, tp = 10ms I²t 845 A²s*10³
= T
, tp = 10ms 660 A²s*10³
vj max
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di
critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, vL = 10V, i
di
/dt = 1 A/µs
G
= T
Kritische Spannungssteilheit T
critical rate of rise of off-state voltag
vj
5.Kennbuchstabe/5th letter
, vD = 0,67 V
vj max
GM
= 1 A
DRM
(dvD/dt)
TSM
T
/dt)
cr
cr
13000 A 1)
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung T
on-state voltage T
Schleusenspannung T
vj
vj
vj
= T
= T
, iT = 2850 A v
vj max
, iT = 650 A v
vj max
vj max
V
T
T
T(TO)
max. 2,53 V
max. 1,32 V
1V
= T
threshold voltage
Ersatzwiderstand T
vj
= T
vj max
r
T
0,50
mΩ
slope resistance
Durchlaßkennlinie T
on-state voltag
iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
TTTT
Zündstrom T
= T
vj
vj max
= 25°C, vD = 6 V I
vj
A = 1,2455E+00
B = 3,7164E-0
C = -1,0398E-01
D = 1,9701E-02
GT
max. 250 mA
gate trigger current
Zündspannung T
= 25°C, vD = 6V V
vj
GT
max. 2,2 V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom T
gate non-trigger current T
Nicht zündene Steuerspannung T
vj
vj
vj
= T
, vD = 6 V I
vj max
= T
vj max,vD
= T
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
GD
max. 10 mA
max. 5 mA
V
GD
max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom T
=25°C, vD = 6V, RA =5Ω I
vj
H
max. 300 mA
holding current
Einraststrom T
latching current i
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom T
forward off-state and reverse currents v
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time T
=25°C,vD=6V,RGK>=10 Ω I
vj
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
t
= 20 µs
g
= T
vj
vj max
= V
= 25°C
vj
= 1 A, di
DRM
, vR = V
dt = 1 A/µ
G
RRM
D
i
GM
L
iD, i
gd
max. 1500 mA
R
max. 100 mA
max. 4 µs
1) Gehäusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: K.-A.Rüther data of publication: 2001-03-19 BIP AM
approved by: J. Novotny revision: 1 A 04/01 Seite / page: 1
Technische Information / Technical Information
r
A
2
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
typ. 300 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
beidseitig / two-sided, θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0300 °C/W
Anode / anode, θ=180°sin
Anode / anode, DC max. 0,0511 °C/W
Kathode / cathode, θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,0732 °C/W
Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 °C/W
einseitig / single-sided max. 0,0100 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
thJC
thJK
vj max
c op
stg
max. 0,0330 °C/W
max. 0,0537 °C/W
max. 0,0816 °C/W
125 °C
-40,,,+125 °C
-40,,,+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 10,5...21 kN
clamping force
Gewicht G typ. 100 g
weight
Kriechstrecke 25 mm
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040 C
f = 50Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüthe
04/01 Seite / page
Technische Information / Technical Information
r
3
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüthe
A 04/01
Zn. Nr.: 1 Seite / page
Technische Information / Technical Information
τ
τ
τ
τ
r
4
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T 658 N 22...26
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
thJC
N
für DC
Pos.n 1 2345 6 7
[°C/W]
R
R
R
thn
n [s]
thn
n [s]
thn
n [s]
[°C/W]
[°C/W]
0,000134 0,001636 0,001950 0,009680 0,016800
0,000183 0,001660 0,009370 0,119000 0,939000
0,000455 0,003885 0,003310 0,013800 0,029650
0,000251 0,002430 0,054400 0,183000 1,140000
0,000708 0,007242 0,013700 0,026650 0,024900
0,000320 0,003870 0,023200 0,138000 0,9000
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
n
max
= Σ R
n=1
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüthe
A 04/01
Seite / page
Technische Information / Technical Information
r
A 04/01
5
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
4.000
3.500
3.000
2.500
T 658 N 22...26
N
[A]
T
i
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüthe
vT[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
= Tvj max
T
vj
Z. Nr.: 2 Seite/page
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
2.000
0
1.500
T 658 N 22...26
Θ
Θ = 30°
60°
90°
120°
N
180°
[W]
P
TAV
1.000
500
0
0 200 400 600 800 1000
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther
I
[A]
TAV
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
A 04/01
= f(I
TAV
TAV
Z.Nr.: 3 Seite/page 6
)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 658 N 22...26
0
N
Θ
80
[°C]
C
T
60
40
Θ = 30°
20
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
60°
90°
120°
180°
[A]
I
TAVM
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther
A 04/01
Z.Nr.: 4 Seite / page 7
TAVM
)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 658 N 22...26
0
N
Θ
[°C]
80
C
T
60
40
Θ = 30°
20
0 200 400 600 800 1000
60°
90°
120°
180°
[A]
I
TAVM
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther
A 04/01
Z.Nr.: 5 Seite / page 8
TAVM
)
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 658 N 22...26
0
N
Θ
80
[°C]
C
T
60
40
Θ = 30°
20
0 200 400 600 800
60°
90°
120°
180°
I
[A]
TAVM
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther
A 04/01
Z.Nr.: 6 Seite / page 9
TAVM
)
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