Infineon T648N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert surge current

Grenzlastintegral I²t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage

Elektrische Eigenschaften

T648N

T

= -40°C... T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

TC = 85 °C T

= 69 °C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= T

T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T

= T

vj

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5

, tP = 10 ms

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

th

letter F

V

DRM,VRRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

I

TAVM

I

TSM

I²t

(diT/dt)

/dt)

(dv

D

800 1000

900 1100

1200 1400 1600

1300 1500 1700

V V V

1300 A

649 827AA

13000 11000AA

845

10³ A²s

605

10³ A²s

cr

120 A/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage

Schleusenspannung threshold voltage

Ersatzwiderstand slope resistance

Durchlaßkennlinie on-state characteristic

TTT

Zündstrom gate trigger current

Zündspannung gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage

Haltestrom holding current

Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current

Zündverzug gate controlled delay time

Tvj = T T

= T

vj

Tvj = T

, iT = 2500 A

vj max

,iT = 500 A

vj max

v

T

V

(TO)

r

T

max. max.

A= B=

GT

I

GD

V

H

I

L

iD, i

t

gd

C= D=

max. 250 mA

GT

max. 1,5 V

max. max.

GD

max. 0,2 V

max. 300 mA

max. 1500 mA

R

max. 80 mA

max. 4 µs

iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V I

Tvj = 25°C, vD = 6 V V

Tvj = T T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 6 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T

vj max

vD = V

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 747-6 T

= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

2,10 1,29VV

1V

0,38 mΩ

1,314E+00

1,844E-04

-9,537E-02 2,128E-02

105mA

mA

prepared by:

M.Droldner date of publication: 07.03.85

approved by: J. Novotny

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

revision: 1

A2/86 1/18Seite/page

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

T648N

T

= T

vj max

, iTM = I

TAVM

th

letter O

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4

DRM

t

q

typ. 250 µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature

Betriebstemperatur operating temperature

Lagertemperatur storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft clamping force

Steueranschlüsse control terminals

Gewicht weight

Kriechstrecke creepage distance

Feuchteklasse humidity classification

Schwingfestigkeit vibration resistance

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided

DIN 46244 Gate Kathode /Cathode

DIN 40040 C

f = 50 Hz 50 m/s²

R

thJC

R

thCH

T

vj max

T

c op

T

stg

F 9...18 kN

G typ. 160 g

max. max. max. max. max. max.

max. max.

-40...+125 °C

-40...+140 °C

Seite 3 page 3

A 2.8x0.8

A 4.8x0.8

0,039 0,036 0,068 0,065 0,082 0,080

0,005 0,010

125 °C

17 mm

°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

A2/86 2/18Seite/page

N

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Maßbild

Datenblatt / Data sheet

T648N

12

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

4 5

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

5: Hilfskathode/

Cathode

A2/86 3/18Seite/page

(control terminal)

N

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Datenblatt / Data sheet

T648N

R,t – Werte R

R,T-Werte

beidseitig two-sided

anodenseitg anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

Analytische Funktion / Analytical function:

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,00017 0,00338 0,00429 0,01355 0,01461

thn

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,00022 0,00368 0,00407 0,01813 0,0389

thn

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,000218 0,003042 0,00212 0,0163 0,00482 0,0535

thn

τ

[s]

n

0,000272 0,00261 0,0417 0,173 0,999

0,00033 0,0026 0,0297 0,182 5,83

0,000328 0,00254 0,0179 0,146 6,65 6,82

thJC

n

max

Σ

n=1

für DC

thJC

for DC

thnthJC

-t

τ

n

−=

e1RZ

Kühler /Heatsink type: K0.05F 300W

natürliche Kühlung / Natural cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,0075 0,01 0,0335 0,219

thn

τ

[s]

n

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,01 0,0067 0,0325 0,0288

thn

τ

[s]

n

Analytische Funktion / Analytical function:

3 1,56 11,8 1098

Kühler / Heatsink type: K0.05F 120l/s

verstärkte Kühlung / Forced cooling

1,56 3,12 10,4 159

n

max

Σ

n=1

thCA

thnthCA

thCA

-t

τ

n

−=

e1RZ

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

A2/86 4/18Seite/page

N

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Datenblatt / Data sheet

T648N

0,055

Diagramme

0,050

Diagramme

0,045

0°

Trans. Wärmewid. beidseitig

0

180°

0,040

0,035

0,030

0,025

0,020

0,015

0,010

0,005

0,000

0,001 0,01 0,1 1 10

Transienter innerer Wärmewiderstand /Transient thermal impedance Z

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

t [s]

thJC

= f(t)

Θ =

30°

60° 90°

120° 180°

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

0,060

0,055

0,050

0,045

0°

0

180°

0,040

0,035

0,030

0,025

0,020

0,015

0,010

0,005

0,000

0,001 0,01 0,1 1 10

t [s]

Θ =

30°

60° 90°

120° 180°

DC

Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

A2/86 5/18Seite/page

thJC

= f(t)

N

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Datenblatt / Data sheet

T648N

0,090

0,080

0,070

0°

Trans. Wärmewid. Anodenseitig

0

180°

0,060

0,050

0,040

0,030

0,020

0,010

0,000

0,001 0,01 0,1 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand /Transient thermal impedance Z

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

t [s]

thJC

= f(t)

Θ =

30°

60° 90° 120°

180°

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

0,090

0,080

0,070

0°

0

180°

0,060

0,050

0,040

0,030

0,020

0,010

0,000

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Θ = 30°

60° 90° 120° 180°

DC

Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z

A 513 E2 / 07.03.85, Spec

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

A2/86 6/18Seite/page

thJC

= f(t)