Infineon T639N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

T 639 N 18...22

m

Ω

on-state voltage

2,0439E-04

Ω

Ω

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Seite/page 1

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1800 2000 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2200 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1800 2000 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2200 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1900 2100 V

non-repetitive peak reverse voltage 2300 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

1250 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85 °C I

TAVM

640 A

average on-state current TC = 69 °C 796 A
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TSM

11600 A
10600 A

I²t 673 A²s*10³

562 A²s*10³
120 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = T
on-state voltage Tvj = T

Schleusenspannung Tvj = T

, iT = 1800 A v

vj max

, iT = 600 A v

vj max

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = T

vj max

slope resistance
Durchlaßkennlinie Tvj = T

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

TTTT

Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V

vj max

A= 1,1839E+00
B=

C= -1,4024E-01
D= 3,2266E-02

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T
T

T(TO)

GT

GD

max. 1,88 V
max. 1,20 V

0,85 V

0,51

max. 250 mA

max. 1,5 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,2 mV

max. 300 mA

max. 1200 mA

R

max. 100 mA

max. 4 µs

Technische Information / Technical Information

T 639 N 18...22

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Seite/page 2

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 400 µs

beidseitig / two-sided, θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0350 °C/W

Anode / anode, θ=180°sin
Anode / anode, DC max. 0,0610 °C/W

Kathode / cathode, θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,0820 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0100 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thJK

vj max

c op

stg

N

Vorläufige Daten

max. 0,0377 °C/W

max. 0,0637 °C/W

max. 0,0846 °C/W

125 °C

-40,,,+125 °C

-40,,,+150 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 9...18 kN
clamping force

Gewicht G typ. 270 g
weight

Kriechstrecke 25 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 639 N 18...22

N

A 13/00

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

T 639 N 18...22

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

thJC

N

für DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,000008 0,002100 0,003420 0,003690 0,013100 0,01400
0,000020 0,000583 0,003360 0,045800 0,173000 0,999

0,000008 0,000772 0,003390 0,002800 0,017130 0,03690
0,000020 0,000581 0,003330 0,038100 0,182000 5,830

0,000008 0,000522 0,003050 0,001840 0,016900 0,00538 0,0543
0,000020 0,000479 0,002540 0,016300 0,1460 6,650 6,8200

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A 13/00

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = T

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

3.000

2.500

2.000

T 639 N 18...22

N

1.500

[A]

T

i

1.000

500

0

0,5 1 1,5 2 2,5

vj max

A 13/00

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

1.600

0

1.400

1.200

1.000

Θ

T 639 N 18...22

N

180°

120°

90°

60°

[W]

TAV

P

800

600

400

200

0

0 200 400 600 800

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 639 N 18...22

N

0

Θ

[°C]

80

C

T

60

40

60°

20

0 100 200 300 400 500 600 700 800

90°

120° 180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Z.Nr.:4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

120°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 639 N 18...22

N

0

Θ

80

[°C]

C

T

60

40

60°

20

0 100 200 300 400 500 600 700 800

90°

180°

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

120°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 639 N 18...22

N

0

Θ

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

20

0 100 200 300 400 500 600 700 800

60°

90°

180°

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Z.Nr.: 6 Seite/page 9

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 639 N 18...22

N

0

Θ

80

[°C]

A

T

60

120°

40

Θ = 30°

20

0 50 100 150 200 250 300

60° 90°

180°

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

BIP AM / 00-05-22, K.-A.Rüther

A 13/00

Z.Nr.: 7 Seite/page 10

A

TAVM