Infineon T618N, T619N Data Sheet
Marketing Information
T 618 N T 619 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
ø3,5 x 2 deep
on both sides
ø30
ø30
C
A
plug 2,8 x 0,8
2
HK
plug
2,8 x 0,8
ø36
ø36
3,5 x 3,5 deep
on both sides
G
C
A
2,8 x 0,8
4
HK
plug
plug 4,8 x 0,8
G
VWK Nov. 1996
T 618 / 619 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
600 800 1000 1200
600 800 1000 1200
700 900 1100 1300
Charakteristische Werte
Characteristic values
=0,67
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Gehäuse
case
Titelseite / front page
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
repetitive peak forward off-state and
tvj = -40°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
vj max
V
DRM
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
tc = 67°C 795 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 9500 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms 451000
vj max
TSM
I2 t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)
vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD =0,67 V
vj max
DRM
(dvD/dt)
5.Kennbuchstabe/5th letter F
, V
RRM
V
V
V
1250 A
618 A
11000 A
605000
A2s
A2s
cr
cr
200 A/µs
1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
, iT = 2000 A v
vj max
vj max
vj max
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, vD = 6 V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, R
GK
≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1A,
diG/dt=1A/µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t
, iTM=i
vj max
v
, dvD/dt=20V/µs,-diT/dt=10A/µs,
DRM
, vRM=100 V, v
TAVM
DM
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface R
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin
beidseitig/two-sided, DC max. 0,041 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin
Anode/anode, DC max. 0,070 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin
Kathode/cathode, DC max. 0,100 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface R
beidseitig/two-sided max. 0,0075 °C/W
einseitig/single-sided max. 0,0150 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
V
r
T
GT
GD
V
I
H
I
L
iD, i
t
gd
t
q
vj max
c op
stg
T
T(TO)
GT
GD
thJC
thCK
max. 1,75 V
0,8 V
0,42
mΩ
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 0,25 V
max. 300 mA
max. 1200 mA
R
max. 50 mA
max. 4 µs
typ. 250 µs
max. 0,045 °C/W
max. 0,074 °C/W
max. 0,104 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt,Amplifying-
Anpreßkraft clamping force F 6...12 kN
Gewicht weight G typ. 120 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Si-pellet with pressure contact,amplifying
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