Infineon T600F Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Schneller Thyristor
A²s*10
3
A²s*10
3
m
Ω
Ω
Ω
SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther
A 117 / 98
Seite/page 1
Fast Thyristor
T 600 F 12...13
F
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1300 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
1200 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 1300 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
1300 V
non-repetitive peak reverse voltage 1400 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
1500 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85 °C
TC = 47 °C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
f=50 Hz, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
600 A
960 A
I
TSM
11.300 A
10.000 A
I²t 638
500
200 A/µs
1) 2)
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5. Kennbuchstabe / 5th letter B 50 50 V/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter C 500 500 V/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter L 500 50 V/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter M 1000 500 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iT = 1000 A
vj max
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
slope resistance
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD =12 V
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 12V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 12 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RA = 10
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
RRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
v
V
r
T
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
T
T(TO)
GT
GD
max. 1,66 V
1,15 V
0,42
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 V
max. 250 mA
max. 1000 mA
R
max. 100 mA
max. 1,5 µs
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für tq ./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,
see parameters tq.
Technische Information / Technical Information
Schneller Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Thyristor
T 600 F 12...13
F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = siehe 5. Kennbuchstabe
-diT/dt = 20 A/µs
4. Kennbuchstabe K max. 40 µs
4. Kennbuchstabe G max. 30 µs
4. Kennbuchstabe F max. 25 µs
4. Kennbuchstabe E max. 20 µs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,036 °C/W
Anode / anode, θ=180°sin
Anode / anode, DC max. 0,065 °C/W
Kathode / cathode, θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,080 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
thJC
max. 0,038 °C/W
max. 0,0675 °C/W
max. 0,082 °C/W
thJK
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,005 °C/W
einseitig / single-sided max. 0,010 °C/W
vj max
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
c op
-40...125 °C
operating temperature
Lagertemperatur T
stg
-40...150 °C
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft F 9...18 kN
clamping force
Gewicht G typ. 250 g
weight
Kriechstrecke 30 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 12.10.98, K.-A. Rüther A 117 / 98 Seite/page 2
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