European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
T 588 N T 589 N
ø3,5 x 2 deep
on both sides
ø30
ø30
ø36
C
A
HK
plug 2,8 x 0,8
G
plug
2
2,8 x 0,8
+0,1
3,5
x 3,5 deep
on both sides
ø36
C
A
HK
plug 4,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
4
VWK Aug. 1996
Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Mechanische Eigenschaften
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
1400 1600 1800*
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tc = 61°C 795 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 8000 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms 320000
vj max
vD ≤ 67%, v
, f = 50 Hz
DRM
vL = 10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 67% V
vj max
DRM
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
, iT = 2400 A v
vj max
vj max
vj max
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, vD = 6 V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
TSM
I2 t
(diT/dt)
(dv/dt)
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
V
GD
I
H
I
L
iD, i
R
gd
q
= V
= V
DRM
RRM
1400 1600 1800*
1500 1700 1900
V
V
1250 A
588 A
9400 A
442000
A2s
A2s
cr
cr
200 A/µs
1000 V/µs
max. 2,15 V
0,8 V
0,5
mΩ
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 0,25 V
max. 300 mA
max. 1,2 A
max. 50 mA
max. 4 µs
typ. 250 µs
Innerer Wärmewiderstand für beidseitige
thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,045 °C/W
DC max. 0,041 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(A)
max. 0,074 °C/W
DC max. 0,07 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(K)
max. 0,104 °C/W
DC max. 0,1 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
thCK
max. 0,007 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,014 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 6...12 kN
Gewicht weight T 588 N/T 589 N G typ. 100/270 g
Kriechstrecke creepage distance T 588 N/T 589 N 17/28 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-152 A4/-153C4
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
T 588 N, T 589 N
3,5
3,0
i
T
[kA]
2,0
1,5
1,0
0,5
0
T 588 N / 1
1 32
Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßk ennlinie / Limi ting on-state characteristic
iT = f(vT), tvj = t
vj max
120
t
C
[°C]
1600
120 °
90 °
P
[W]
1200
TAV
0 Θ
θ = 30 °
60 °
800
400
[V]
0 200
v
T
T 588 N / 2
400
600
I
TAV
Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power los s P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ
TAV
= f(I
TAV
)
120
0 Θ 0 Θ
t
C
[°C]
180 °
800 1000
[A]
80
60
40
20
0 200 400 600 800
T 588 N / 3
θ = 30° 6 0° 90° 120° 1 80°
Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitig e Kühlun g / Two-sided co oli ng
TAVM
)
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ
120
t
A
[°C]
80
60
I
TAVM
[A]
80
60
40
1000
20
0 200 400 600 800
T 588 N / 4
θ = 30° 60° 90° 120° 1 80°
I
TAVM
[A]
1000
Bild / Fig. 4
Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlu ng / Anode-sided cooling
TAVM
)
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ
120
Θ
0
t
A
[°C]
Θ
0
80
60
40
20
0 40 80 120 160
T 588 N / 5
θ = 30° 60° 90° 120°
I
TAVM
Bild / Fig. 5
Höchstzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstk ühlung / Natural ai r-cooling
TAVM
)
Kühlkö rper / Heatsi nk: K0. 36S
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ
180°
200 240
[A]
40
20
0 100 200 300 400
T 588 N / 6
θ = 30° 60° 90° 120° 180°
I
TAVM
Bild / Fig. 6
Höchstzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. allo wable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlu ng / Forced air cool ing
TAVM
)
Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ
[A]
500