Infineon T571N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften
T
= +25°C... T
vj
Tvj = +25°C... T
Tvj = +25°C... T
I
V
vj max
V
vj max
V
vj max
DRM,VRRM
DSM
RSM
TRMSM
Vorläufige Daten
Preliminary data
6500 V
6600 V
6600 V
1150 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
TC = 85 °C T
= 60 °C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, i
Tvj = T
= 3 A, diG/dt = 6 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
5.Kennbuchstabe / 5
DRM
th
letter F
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
/dt)cr
T
(dv
/dt)cr
D
540 730A A
10500
A
9400
A
551
10³ A²s
442
10³ A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Durchlaßkennlinie on-state characteristic
TTT
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = T
, iTM = 1 kA vT
vj max
Tvj = T
Tvj = T
T
vj
iD)1i(LnCiBAv ++++=
T
V
vj max
r
vj max
= T
A=
vj max
(TO)
T
max. 2,75 V
1,35 V
1,4 m
B= C= D=
-3,296E-01 1,724E-03 4,376E-01
-5,275E-02
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 12 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
max.
I
DRM
V
DRM
GD
max. 0,4 V
GD
max. 2010
mA mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK 10 i
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T v
D
= V
vj max
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 60747-6 T
= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
vj
max. 3000 mA
I
L
, iR max. 400 mA
i
D
max. 2,5 µs
t
gd
Gehäusegrenzstrom nicht spezifiziert / case non rupture current not specified
prepared by:
M.Droldner date of publication: 27.10.05
approved by: J.Przybilla
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
revision: 1
1/8 Seite/page
N
g
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung recovered charge
Rückstromspitze peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dv
4.Kennbuchstabe / 4 Tvj = T vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
Tvj = T vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseiti
T
T
T
, iTM = 1000A
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
, iTM = 1000A
vj max
, iTM = 1000A
vj max
/ single-sides
th
letter O
DRM
t
q
Q
r
I
RM
R
thJC
R
thCH
vj max
c op
-40...+150 °C
stg
Vorläufige Daten
Preliminary data
typ. 1000 µs
typ. 3000 µAs
typ. 100 A
-40...+125 °C
max.
0,0230
max.
0,0210
max.
0,0375
max.
0,0480
max. max.
125 °C
0,005 0,010
°C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft clamping force
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Seite 3
F 15...24 kN
Gate DIN 46244 Kathode /Cathode
G typ. 550 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
Ø 1,5 x 3,2
page 3
A 4,8 x 0,8
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
mm mm
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
2/8 Seite/page
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Maßbild
Vorläufige Daten
Preliminary data
12
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
3: Gate
4: Hilfskathode/
Cathode
(control terminal)
3/8 Seite/page
Loading...
+ 5 hidden pages