Infineon T570N Data Sheet
Technische Information /
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technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Key Parameters
V
/ V
DRM
I
TAVM
I
10500 A
TSM
VT0 1,35 V
rT 1,4 mΩ
R
thJC
Clamping Force 13…23 kN
Max. Diameter 76 mm
Contact Diameter 50 mm
Height 26 mm
6500 V
RRM
540 A (TC=85°C)
21 K/kW
T570N
For type designation please refer to actual shortform
catalog
Merkmale Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse Hermeticaly sealed ceramic package
Hohe Stoßstrombelastbarkeit High surge current capability
Hohe Einschaltfähigkeit di/dt High di/dt turn on capability
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Typische Anwendungen Typical Applications
Mittelspannungssanftanlasser Medium Voltage Softstarter
Gleichrichter für Antriebsapplikationen Rectifier for Drives Applications
Mittelspannungsumrichter Medium voltage converters
content of customer DMX code DMX code DMX code
serial number 1..7 7
SP material number 8..16 9
datecode (production day) 17..18 2
datecode (production year) 19..20 2
datecode (production month) 21..22 2
vT class (optional) 23..26 4
QR class (optional) 27..30 4
digit digit quantity
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
T570N
Date of Publication: 2014-06-18
Revision: 2.3
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Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Tvj = 25°C... T
vj max
V
DRM,VRRM
6500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
I
TRMSM
850
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
I
TAVM
540
660
760
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
TSM
10500
9400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
551,25
441,8
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr
150
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
(dvD/dt)cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iT = 1000A
vT
max.
2,75
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
max.
1,35
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
rT
max.
1,4
mΩ
Durchlaßkennlinie 100A iT 2700A
on-state characteristic
Tvj = T
vj max
max.
A
-0,3296
B
0,001724
C
0,4376
D
-0,05275
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
max.
350
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V
VGT
max.
2,5
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = T
vj max
, vD = 12 V
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
IGD
max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
VGD
max.
0,4
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IH
max.
350
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
max.
3
A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
iD, iR
max.
400
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd
max.
2,5
µs
prepared by:
TM
date of publication:
2014-06-18
approved by:
JP
revision:
2.3
T
TTT
iD)1i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
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