Infineon T568N Data Sheet
Marketing Information
T 568 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
ø3,5 x 2 deep
on both sides
ø23
C
A
ø23
HK
plug
G
2,8 x 0,8
VWK Aug. 1996
T 568 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Charakteristische Werte
Characteristic values
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
two-sided cooling
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-
Gate
Si-pellet with pressure contact,amplifying
gate
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
200 400 600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = -40°C...t
tvj = t
vj max
vj max
, tp = 10 ms 6700 A
vj max
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms 225000
vj max
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
TSM
I2 t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f = 50 Hz,vL=10V, (diT/dt)
iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
(dvD/dt)
5.Kennbuchstabe/5th letter F
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, iT = 2000 A v
vj max
vj max
vj max
, vD = 6 V I
vj max
tvj = t
, vD = 0,5 V
vj max
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
DRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > 10 Ω
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
V
GD
I
H
I
L
iGM = 0,6 A, diG /dt = 0,6 A/µs, tg=20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj=25°C, iGM = 0,6 A,
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t
V
DRM
= V
vj max, vD
vj max
, iTM=i
, vR = V
DRM
, vRM=100V, vDM=0,67
TAVM
, dvD/dt=20V/µs, -
RRM
iD, i
t
gd
t
q
R
4.Kennbuchstabe/4th letter O
= V
= V
DRM
RRM
200 400 600 V
250 450 650 V
900 A
568 A
7800 A
304000
A2s
A2s
cr
cr
200 A/µs
1000 V/µs
max. 1,76 V
0,8 V
0,44
mΩ
max. 150 mA
max. 1,4 V
max. 5 mA
max. 2,5 mA
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 600 A
max. 40 mA
max. 3,0 µs
typ. 200 µs
Innerer Wärmewiderstand, beidseitig thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,068 °C/W
DC max. 0,065 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(A)
max. 0,113 °C/W
DC max. 0,110 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(K)
max. 0,159 °C/W
DC max. 0,156 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
thCK
max. 0,015 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,030 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
140 °C
-40...+140 °C
-40...+140 °C
Anpreßkraft clamping force F 4...8 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached
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