Infineon T568N Data Sheet

Marketing Information T 568 N

European PowerSemiconductor and Electronics Company

ø3,5 x 2 deep on both sides

ø23

plug

2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 568 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

two-sided cooling

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-

Gate

Si-pellet with pressure contact,amplifying

gate

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

DRM

, V

RRM

200 400 600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

Grenzlastintegral

I2 t-value

tvj = -40°C...t

tvj = t

vj max

, tp = 10 ms 6700 A

vj max

tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = t

, tp = 10 ms 225000

vj max

DSM

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f = 50 Hz,vL=10V, (diT/dt)

iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

(dvD/dt)

5.Kennbuchstabe/5th letter F

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t Haltestrom holding current Einraststrom latching current

, iT = 2000 A v

vj max

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > 10 Ω

T(TO)

iGM = 0,6 A, diG /dt = 0,6 A/µs, tg=20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj=25°C, iGM = 0,6 A,

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=t

DRM

= V

vj max, vD

vj max

, iTM=i

, vR = V

DRM

, vRM=100V, vDM=0,67

TAVM

, dvD/dt=20V/µs, -

RRM

iD, i t

4.Kennbuchstabe/4th letter O

= V

DRM

RRM

200 400 600 V

250 450 650 V

900 A 568 A

7800 A

304000

A2s A2s

200 A/µs

1000 V/µs

max. 1,76 V

0,8 V

0,44

mΩ

max. 150 mA

max. 1,4 V

max. 5 mA max. 2,5 mA max. 0,2 V

max. 200 mA max. 600 A

max. 40 mA

max. 3,0 µs

typ. 200 µs

Innerer Wärmewiderstand, beidseitig thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

thJC

max. 0,068 °C/W

DC max. 0,065 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

thJC(A)

max. 0,113 °C/W

DC max. 0,110 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

thJC(K)

max. 0,159 °C/W

DC max. 0,156 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,015 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,030 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

140 °C

-40...+140 °C

Anpreßkraft clamping force F 4...8 kN Gewicht weight G typ. 70 g Kriechstrecke creepage distance 17 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Maßbild, anliegend outline, attached

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