Infineon T508N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

1)

320

*10

3

*10

3

m

Ω

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

A= 0,93854

on-state voltage

B= 3,384E-04

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC=-5,551E-02

D= 2,001E-02

Ω

Ω

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A Seite/page 1

Phase Control Thyristor

T 508 N 12 ...18

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1200 1400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1200 1400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 1600 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1300 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

800 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

TC = 85 °C

I

TAVM

508 A

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TSM

I²t

(dvD/dt)

8000 A
6900 A

238 A²s

cr

cr

120 A/µs

1000 V/µs

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

Tvj = T

, iT = 1600 A

vj max

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

slope resistance

vj max

T

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, R
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

GK>

= 10

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

v

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T

T(TO)

GT

GD

max. 1,92 V

0,8 V

0,6

max. 200 mA

max. 2 V

max. 10 mA
max. 5 mA

max. 0,2 mV

max. 300 mA

max. 1200 mA

R

max. 50 mA

max. 4 µs

1) 1800 V auf Anfrage / 1800 V on demand

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

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Seite/page 2

Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, ?=180°sin max. 0,0530 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0075 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

T 508 N 12 ...18

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 250 µs

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0500 °C/W
Anode / anode, ?=180°sin max. 0,0880 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0850 °C/W
Kathode / cathode, ?=180°sin max. 0,1230 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,1200 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0150 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thCK

vj max

c op

stg

N

125 °C

-40...125 °C

-40...140 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 5 ...10 kN
clamping force

Gewicht G typ. 100 g
weight

Kriechstrecke 17 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

A

Technische Information / Technical Information

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Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 508 N 12 ...18

N

A

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Σ

τ

n=1

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Seite/page 4

Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

T 508 N 12 ...18

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

τ

R

τ

R

τ

thn

thn

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,010500 0,002830 0,016700 0,018800 0,001160

0,001130 0,025500 0,051100 0,429000 2,490000

0,009400 0,009740 0,018200 0,016100 0,031600

0,000984 0,016700 0,204000 0,821000 5,000000

0,009280 0,014500 0,008680 0,040100 0,047500

0,000939 0,028500 0,156000 1,120000 9,100000

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

thJC

for DC

))

n

thJC

N

für DC

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristics i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

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Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

2.000

1.500

T 508 N 12 ...18

N

[A]

T

i

1.000

500

0

0,5 1 1,5 2 2,5

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

800

600

T 508 N 12 ...18

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[W]

TAV

P

400

200

0

0 100 200 300 400 500 600

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 508 N 12 ...18

N

[°C]

80

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

20

0 100 200 300 400 500 600

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A

Z.Nr.:4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Θ

= 30°

90°

120°

180°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 508 N 12 ...18

N

80

[°C]

A

T

60

40

60°

20

0 50 100 150 200 250

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.36S

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

A

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Kühlkörper/Heatsink. K0.05F, V

= 50 l/s

Θ

60°

90°

120°

180°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 508 N 12 ...18

N

80

[°C]

A

T

60

40

Θ = 30°

20

0 100 200 300 400 500

I

[A]

TAVM

Verstärkte Luftkühlung / Forced air-cooling

L

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A

Z.Nr.: 6 Seite/page 9

A

TAVM