Infineon T470N Data Sheet
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Elektrische Eigenschaften
T470N
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
V
vj max
V
vj max
I
TC = 85 °C
DRM,VRRM
DSM
RSM
TRMSM
I
TAVM
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
T
= 25 °C, tP = 10 ms
vj
= T
T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
GM
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
th
letter F
TAVM
TRMS
I
TSM
I²t
(di
(dv
/dt)cr
T
D
/dt)cr
1200
1200
1300
V
1400
V
1600
V
V
1400
V
1600
V
V
1500
V
1700
V
800 A
470 A
670 A
1060 A
7100
A
6350
A
252
10³ A²s
202
10³ A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie 100 A ≤ iT ≤ 2400 A
on-state characteristic
TTT
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = T
T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = T
= T
T
vj
, iT = 1200 A
vj max
, iT = 300 A
vj max
V
vj max
r
vj max
A=
vj max
v
T
(TO)
T
max.
max.
0,80 V
B=
iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
C=
D=
1,85
1,10V V
0,75 mΩ
9,865E-01
2,622E-04
-1,155E-01
3,953E-02
Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 200 mA
Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 12V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
max.
I
DRM
V
DRM
GD
max. 0,2 V
GD
max.
105mA
mA
Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
i
= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
GM
Tvj = T
v
D
= V
vj max
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
= 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
vj
max. 1200 mA
I
L
, iR max. 50 mA
i
D
max. 3 µs
t
gd
prepared by:
approved by: M.Leifeld
H.Sandmann date of publication: 2009-12-16
revision: 3.1
IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann
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N
A
g
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
T470N
th
letter O
DRM
t
q
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+125 °C
c op
-40...+150 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
/ single-sides
TAVM
typ. 250 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,051
0,046
0,084
0,079
0,114
0,109
0,015
0,030
125 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Seite 3
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F 4...8 kN
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G typ. 70 g
6 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 2,8x0,5
A 4,8x0,5
Ø 1,5
mm
mm
mm
IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann
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