Infineon T4003N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
6
(
)
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem. Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T 4003 N 52 TOH
Vorläufige Daten / Provisional Data
tvj = -40°C ... t
vj max
V
RRM
5200 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, periodical
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-periodical
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie
on-state characteristics for calculations
V A B i C i D i
= + ⋅ + ⋅ + + ⋅ln 1
T T T T
erforderliche Zündlichtleistung
required gate trigger light power
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = t
, tp = 10ms
vj max
DIN IEC 747-6
VD ≤ VBO, f = 50Hz, PL = 40mW,
t
= 0,5µs
rise
DIN IEC 747-6
VD ≤ VBO, PL = 40mW, t
tvj = t
, vDM = 5kV
vj max
tvj = 0°C ... t
tvj = t
tvj = t
tvj = t
tvj = 25°C, vD = 100V
vj max
vj max
vj max
vj max
, iT = 6kA
= 0,5µs
rise
I
TRMSM
I
TAVM
8130 A
3845
5180AA
I
TSM
105
100kAkA
I2t 55·10
50·10
(di/dt)
(di/dt)
(dv/dt)
V
BO
v
T
V
TO
r
T
A
B
C
D
P
LM
cr
cr
cr
typ. max.
1,67 1,80 V
typ. max.
0,82 0,92
0,139 0,142
typ. max.
0,2501 1,1919
9,213E-5 2,260E-5
0,0499 -0,1375
0,00565 0,02157
300 A/µs
1000 A/µs
2000 V/µs
min. 5200 V
max. 40 mW
6
A2s
A2s
V
mΩ
SZ-AM / 20 July 1999, Dorn Seite/pageN1
Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem. Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T 4003 N 52 TOH
Vorläufige Daten / Provisional Data
tvj = 25°C
tvj = 25°C, vD = 50V,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
tvj = t
vj max
vD = vR = 5200V
vD = 1000V, tvj = 25°C,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
tvj = t
, iTM = I
vj max
vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
DM
TAVM
= 0,67⋅v
DRM
I
H
I
L
iD, i
t
gd
t
q
R
max.
max.
max.
typ.
typ.
100 mA
100 mA
500 mA
5 µs
550 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
tvj = t
vj max
ITM = 4000A, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5⋅V
tvj = t
ITM = 4000A, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5⋅V
vj max
, VRM = 0,8⋅V
RRM
, VRM = 0,8⋅V
RRM
RRM
RRM
Q
r
I
RM
max.
max.
28 mAs
600 A
SZ-AM / 20 July 1999, Dorn Seite/pageN2
Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem. Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
T 4003 N 52 TOH
Vorläufige Daten / Provisional Data
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung
Si-pellet with pressure contact, ligt triggered
Anpreßkraft
clampig force
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two sided, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Silizium Tablette
silicon wafer
R
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thJC
thCK
0,0046
0,0043
°C/W
°C/W
0,0010 °C/W
+120 °C
0...+120 °C
-40...+150 °C
Seite 4
119TN52-3
F 90...130 kN
Gewicht
G
typ.
4000 g
weight
Kriechstrecke
33 mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s
2
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 20 July 1999, Dorn Seite/pageN3
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