Infineon T4001N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elekt ri sch e Eig ens chaft en / Electric al prop erti es

Höchstzul ässige Werte / Maximum rated val ues
Periodisch e V orw är ts- un d Rüc kwärts- Spi tz e nsperrspannu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak f or ward off-sta te an d r evers e volt ages

Periodisch e V orw är ts- un d Rüc kwärts- Spi tz e nsperrspannu ng
repetiti ve p eak f or ward off-sta te an d r evers e volt ages

Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert
ma xi mu m R MS o n- stat e cur r ent

Dauergr enzstr om
aver ag e on-sta te cur r ent

Stoßstro m- Grenz wert
sur g e current

Grenzlastin teg r al
I²t- value

Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise o f o n-stat e curre nt

Kritische S pannu ngs steilh ei t
cr i tical r ate of r i se o f of f-stat e volt age

Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values
Durchl aßspa nnung
on-stat e voltag e

Schl eusens pann ung
threshold voltag e

Ersatzwi dersta nd
sl ope r esist anc e

Durchlaßkennlinie
on-stat e c haract eri sti c

Zündstr om
gate trig ger current

Zünds pa nnung
gate trig ger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate n on-tr i g ger volt ag e

Haltestrom
holding curre nt

Einraststro m
latchi ng curren t

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward o ff-stat e and r e verse c urrent

Zünd verzug
gate controlled delay time

prepar ed b y:

C. Schneid er dat e of publicati o n: 2005- 04- 1 5

appro ved b y: J. Przybilla

Elektrische Eigenschaften

TTT

T 4001N

Tvj = - 40°C... T

Tvj = 0°C... T

I

TC = 85 °C
TC = 60 °C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

DIN IEC 60 747- 6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs

Tvj = T

5.Ke nn buc hsta be / 5

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA

Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 3,5 V

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA

Tvj = 25°C, vD = 1 2 V , RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µ s, tg = 20 µ s

Tvj = T
vD = V

DIN IEC 60 747- 6
T

= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µ s

vj

V

vj max

DRM,VRRM

4800

5200

V

vj max

DRM,VRRM

4950

5350

8200 A

TRMSM

I

3880

TAVM

I

10500 0

, tP = 10 ms

vj max

TSM

I²t 550 00

, tP = 10 ms

vj max

(diT/dt)cr 300 A/µ s

, vD = 0,67 V

vj max

, iT = 6000A

vj max

V

vj max

DRM

th

let ter H

(dvD/dt)cr

vT

typ.

(TO)

ma x.

ma x.

r

vj max

typ.

T

ma x.

vj max

typ.

A 0,25
B 0,0 000 92 1
C 0,0 499
D 0,0 056 5

ma x.

A 1,1 92
B 0,0 000 22 6
C -0,13 75
D 0,0 215 7

, vD = 12 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

V

DRM

IGD ma x.

ma x.

max. 0,4 V

GD

IL ma x. 3 A

vj max

DRM

, vR = V

RRM

iD, iR max. 900 mA

tgd ma x. 2 µs

revision: 4

typ.

5000
5350

5150
5500

5220 A A

10000 0

50000

2000 V/µs

1,6 7

1,8 V V

0,8 3
0,9 3 V V

0,1 40
0,1 45

20
10

V
V

V
V

A
A

10³ A²s
10³ A²s

mΩ
mΩ

mA
mA

BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elekt ri sch e Eig ens chaft en / Electric al prop erti es

Charakteristisch e Werte / Ch ar acteristic values

Fr eiwerdezeit
circuit commutated turn-off ti me

Sperr verzög eru ngsladu ng
recovere d charge

Rückstr omspitze
peak re vers e r eco ver y cur r ent

Thermische E igenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase

Übergang s-Wärmewi dersta nd
thermal resistance, case to heatsin k

Höchstzul ässige Sp errschichttemperatur
maxi mu m ju ncti on temperat ure

Betr iebs temper atur
opera ti ng temperat ure

Lager te mper atur
storage t emper at ure

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

T 4001N

DRM

RRM

RRM

tq

typ. 550 µs

Qr

ma x. 28 mAs

IRM

max. 600 A

R

thJ C

R

thC H

125 °C

vj max

-40...+1 25 °C

c op

-40...+1 50 °C

stg

ma x.
ma x.
ma x.

ma x.

ma x.
ma x.

0,0 048
0,0 045
0,0 082

0,0 100

0,0 01
0,0 02

Tvj = T
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 1 0 A/µs

4.Ke nn buc hsta be / 4th lett er O
Tvj = T
iTM = I
VR = 0,5V

Tvj = T
iTM = I
VR = 0,5V

Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-sided, D C
Ano de / ano de, DC

Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / cooling surface
beids eitig / two-sided

einsei ti g / sing l e- side d

T

T

T

, iTM = I

vj max

vj max

TAVM

vj max

TAVM

TAVM

, -diT/dt = 1 0 A/µs

, VRM = 0, 8V

RRM

, -diT/dt = 1 0 A/µs

, VRM = 0, 8V

RRM

°C/W
°C/W
°C/W

°C/W

°C/W
°C/W

Mechan is che Eig en sch af t en / Mech an ic al p rop e rt ies

Geh äuse , si e he Anl ag e
case, s ee an ne x

Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t

Anpress kra ft
cl ampi ng for ce

Steu eransc hlüss e
control t er min als

Gewic ht
wei g ht

Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce

Schwingfestigkeit
vibra tion r esistanc e

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F 90.. .13 0 kN

DIN 46244 G ate
Kathode /Cat hode

G typ. 4300 g

49 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

A 4, 8 x0,8

A 6, 3x0,8

BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Maßbild

T 4001N

12

BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

4 5

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

5: Hilfskathode/

Cathode

(control terminal)

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