Infineon T398N Data Sheet

Marketing Information
T 398 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø23

C

A

ø23

HK

plug

G

2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 398 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

200 400 600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 63°C 510 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 5500 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 151000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

vL = 10 V, iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 1500 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 0,6 A, diG /dt = 0,6 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

200 400 600 V

350 450 650 V

800 A
398 A

6300 A

198000

A2s
A2s

cr

cr

200 A/µs

1000 V/µs

max. 1,68 V

1 V

0,4

mΩ

max. 150 mA

max. 1,4 V

max. 5 mA

max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 620 mA

max. 30 mA

max. 3 µs

typ. 200 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,1 °C/W

DC max. 0,092 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,18 °C/W

DC max. 0,17 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,213 °C/W

DC max. 0,205 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,015 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,03 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

140 °C

-40...+140 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 3...6 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-151 A4

T 398 N

2000

1600

i

T

[A]

1200

800

400

0 1 21,50,5

T 398 N / 1

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ie / On-state characteristic iT = f(vT)
a -Typis che K ennlin ien / typic al characteristics
b -Grenzkennl inien / limiting c haracteris tics

140

120

800

a

tvj = 25 °C

b

P
[W]

TAV

600

0 Θ

90 °

60 °

θ = 30 °

180 °

120 °

400

tvj = 140 °C

200

[V]

v

T

0

T 398 N / 2

100

200

300

400 500

[A]

I

TAV

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustle istung / O n-state power los s P
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

0 Θ 0 Θ

120

t

C

[°C]

80

60

40

20

0 200 400300100

T 398 N / 3

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

Bild / Fig. 3
Höchstzuläs sige Gehä use tempe ratur / Max. allowable c ase temperature
tC = f(I
Bei dseitig e Kühlun g / Two-sided co oli ng

TAVM

)

Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

140

120

t

A

[°C]

80

500 600

[A]

TAVM

t

C

[°C]

80

60

40

20

0 200 400300100

T 398 N / 4

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

[A]

I

TAVM

500

Bild / Fig. 4
Höchstz ulässi ge Gehäusetemperatur / Max. all owable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlu ng / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

140

t

A

[°C]

120

Θ

0

Θ

0

80

60

40

20

0 100 20015050 250

T 398 N / 5

θ = 30° 60° 90°

I

TAVM

120°

180°

[A]

Bild / Fig. 5
Höchstzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstk ühlung / Natural ai r-cooling

TAVM

)

Kühlkö rper / Heatsi nk: K0. 36S
Parameter: Stromflu ßwink el / Current conduction angle θ

60

40

20

0 200 400300100

T 398 N / 6

θ = 30° 6 0° 90° 120° 180°

I

TAVM

Bild / Fig. 6
Höchstzuläs sige Kühlmitteltemperatur / Max. allo wable c ooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlu ng / Forced air cool ing

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwink el / Current conduction angle θ

[A]