Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
SZ-MA / 21. Mai 1997, K.-A.Rüther
A108/97
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 380 N 32...38
N
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
3200 3400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 3600 3800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
3200 3400 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 3600 3800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
3300 3500 V
non-repetitive peak reverse voltage 3700 3900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
750 A
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85°C
TC = 68°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
f=50 Hz, vL = 10 V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10 ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
380 A
480 A
I
TSM
7200 A
6500 A
I²t 259500 A²s
211250 A²s
100 A/µs
1000 V/µs
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iT = 1200 A
vj max
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
slope resistance
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5 W
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK>=10 W
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs,
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
RRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
v
V
r
T
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
T
T(TO)
GT
GD
max. 2,8 V
1,2 V
1,2 mŒ
max. 250 mA
max. 1,5 V
max. 10 mA
max. 5 mA
max. 0,25 mV
max. 300 mA
max. 1500 mA
R
max. 100 mA
max. 4,5 µs
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 380 N 32...38
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 Aµs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
vj max
, iTM=I
TAVM
DRM
t
q
typ. 350 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max.0,0450 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max.0,0410 °C/W
Anode / anode, Ž=180°sin max.0,0690 °C/W
Anode / anode, DC max.0,0650 °C/W
Kathode / cathode, Ž=180°sin max.0,1140 °C/W
Kathode / cathode, DC max.0,1100 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max.0,0050 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface R
einseitig / single-sided max.0,0100 °C/W
thJC
thCK
vj max
c op
stg
125 °C
-40...125 °C
-40...150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 7,5...17,5 kN
clamping force
Gewicht G typ. 250 g
weight
Kriechstrecke 30 mm
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040 C
f = 50Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
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Z. Nr.: 1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 380 N 32...38
N
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Technische Information / Technical Information
τ
τ
τ
n
∑
τ
n=1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
thJC
N
für DC
T 380 N 32...38
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R
R
R
thn
n [s]
thn
n [s]
thn
n [s]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
0,00043 0,00557 0,019 0,016
0,00027 0,00221 0,085 0,36
0,00034 0,00541 0,00486 0,0234 0,036
0,00024 0,0021 0,0376 0,158 2,47
0,00026 0,00524 0,0132 0,0346 0,0468
0,00019 0,00192 0,0562 0,65 2,91
thJC
for DC
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
max
R
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
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Technische Information / Technical Information
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Z. Nr.: 2
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
2500
2000
1500
T 380 N 32...38
N
[A]
T
i
1000
500
0
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iT=f(vT)
Tvj = Tvj max
A108/97
Technische Information / Technical Information
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
=f(I
)
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ current conduction angle
Θ
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
T 380 N 32...38
90°
60°
Θ = 30°
N
180°
120°
[W]
700
TAV
P
600
500
400
300
200
100
0
0 100 200 300 400 500 600
SZ-MA / 02.07. 1997, K.-A.Rüther
A108/97
I
TAV
[A]
TAV
TAV
Z.Nr.: 3 Seite/page 6
Technische Information / Technical Information
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ current conduction angle
Θ
Berechnungsgrundlage P
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen).
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
[°C]
C
T
T 380 N 32...38
N
80
60
Θ = 30°
60°
90°
120°
180°
40
20
0 100 200 300 400 500
I
[A]
TAVM
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC=f(I
Beidseitige Kühlung / two sided cooling
Calculation base P
SZ-MA / 02.07.1997 K.-A.Rüther
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TAV
(switching losses should be considered separately).
TAV
Z.Nr.: 4 Seite/page 7
TAVM
)
Technische Information / Technical Information
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
=f(I
)
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ current conduction angle
Θ
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
1800
1600
1400
1200
1000
[W]
TAV
P
800
T 380 N 32...38
120°
90°
60°
Θ = 30°
N
DC
180°
600
400
200
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
I
[A]
TAV
TAV
TAV
SZ-MA / 02.07. Juni 97 , K.-A.Rüther
A108/97
Z.Nr.: 5 Seite/page 8
Technische Information / Technical Information
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ current conduction angle
Θ
Berechnungsgrundlage P
( Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
(switching losses shold be considered separately)
Θ
= 30°
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
140
120
100
T 380 N 32...38
N
80
[°C]
C
T
60
120° 180° DC
60°
90°
40
20
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC=f(I
Beidseitige Kühlung / two sided cooling
SZ-MA / 02.07.97 K.-A.Rüther
A108/97
TAV
I
TAVM
TAV
[A]
Z.Nr.: 6 Seite/page 9
TAVM
)
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