Infineon T378N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

max.

max.

Ω

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC=-0,1155492

max.

max.

max.

max.

max.

Ω

max.

Ω

max.

max.

max.

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

Seite/page 1

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 378 N 12...16

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1200, 1400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1200, 1400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 1600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1300, 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

800 A

RMSM on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert

surge current
Grenzlastintegral

I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C
TC = 65 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

378 A
510 A

I

TSM

7100 A
6350 A

I²t 252 A²s*10³

202 A²s*10³
150 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

on-state voltage
Schleusenspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, iT = 1200 A

vj max

, iT = 300 A

vj max

vj max

v

V

T

T(TO)

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

slope resistance
Durchlaßkennlinie

Tvj = T

vj max

A=0,98647

on-state voltage B=2,62244E-04

T

T

D=3,953E-02

Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V

I

GT

gate trigger current
Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T
Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max
vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V
= 0,5 V

DRM

DRM

I

GD

V

GD

gate non-trigger voltage
Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

I

H

holding current
Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

RRM

I

L

iD, i

gd

R

1,85 V
1,10 V

0,8 V

m

0,75

200 mA

2,0 V

10 mA

5 mA

0,2 mV

300 mA

1200 mA

50 mA

3 µs

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 378 N 12...16

N

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 250 µs

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case

beidseitig / two-sided, Θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,065 °C/W

Anode / anode, Θ=180°sin
Anode / anode, DC max. 0,110 °C/W

Kathode / cathode, Θ=180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,156 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

max. 0,068 °C/W

max. 0,113 °C/W

max. 0,159 °C/W

thCK

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,015 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,030 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

125 °C

max. junction temperature
Betriebstemperatur T

c op

-40...125 °C

operating temperature
Lagertemperatur T

stg

-40...150 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft F 4 ...8 kN
clamping force

Gewicht G typ. 70 g
weight

Kriechstrecke 17 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

Seite/page 2

Technische Information / Technical Information

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 378 N 12...16

N

A02/00

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

Seite/page 4(5)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

thJC

N

für DC

T 378 N 12...16

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,00832 0,0151 0,0181 0,0207 0,00286

0,000826 0,0166 0,0808 0,359 1,957

0,00961 0,00543 0,0209 0,0142 0,0271 0,0328
0,00104 0,0133 0,0364 0,23 1,52 10,5

0,0098 0,0186 0,0157 0,0617 0,0502

0,00106 0,227 0,0994 2,04 10,2

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A02/00

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

2.000

1.500

T 378 N 12...16

N

1.000

[A]

T

i

500

0

0,5 1 1,5 2 2,5

A02/00

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

120°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

1.000

800

600

T 378 N 12...16

60°

Θ = 30°

N

180°

90°

[A]

TAV

P

400

200

0

0 100 200 300 400 500 600

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

I

[A]

TAV

TAV

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 378 N 12...16

N

80

[°C]

C

T

60

40

60°

20

0 100 200 300 400 500 600

90°

120°

180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 378 N 12...16

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

20

0 100 200 300 400 500 600

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 378 N 12...16

N

80

[°C]

A

T

60

120°

40

Θ =

60°

90°

20

0 50 100 150 200

180°

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.36S

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

SZ-AM / 00-01-31, K.-A.Rüther

A02/00

Z.Nr.: 6 Seite/page 9

A

TAVM