Infineon T370N Data Sheet

Marketing Information T 370 N
SW41 /M24 x 1,5
European Power­Semiconductor and Electronics Company
HK
70mm². Cu
M24 x 1,5
HK G
A
ø3,2 x 15
SW41
VWK June
T 370 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
600 800 1000 1200
600 800 1000 1200
700 900 1100 1300
Charakteristische Werte
Characteristic values
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
1400 1600 1800
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tc = 79°C 414 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 8000 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
tvj = 25°C, tp = 10 ms tvj = t
, tp = 10 ms 320
vj max
vD 67%, v
, f = 50 Hz
DRM
iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 67% V
vj max
DRM
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t Schleusenspannung threshold voltage tvj = t Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
, iT = 1200 A v
vj max
vj max
vj max
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t Haltestrom holding current Einraststrom latching current
, vD = 6 V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > 10 iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
TSM
I2 t
(diT/dt)
(dv/dt)
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
V
GD
I
H
I
L
iD, i
R
gd
q
= V
= V
DRM
RRM
1400 1600 1800
1500 1700 1900
V
V
650 A 370 A
9400 A
442
kA2s kA2s
cr
cr
200 A/µs
1000 V/µs
max. 1,65 V
0,8 V 0,5
m
max. 250 mA
max. 2,2 V
max. 10 mA
max. 0,2 V
max. 300 mA
max. 1,2 A
max. 50 mA
max. 4 µs
typ. 250 µs
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,085 °C/W
DC max. 0,082 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t Betriebstemperatur operating temperature t Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anzugsdrehmoment mounting torque M 60 Nm Gewicht weight G typ. 620 g Kriechstrecke creepage distance 12 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Maßbild, anliegend outline, attached
i [A]
T
1600
1200
v [V]
T 370 N
20
10
6
G
4
2
c
b
a
800
400
0
T 370 N / 1
1,0 2,01,50,5
[V]
v
T
Bild / Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT), t
vj = tvj max
1000
600 400
200 100
t
gd
60
[µs]
40 20 10
6 4
2
0,6 0,4
1
a b
0,2 0,1
0,2 0,4 0,6 2 4 6 20 40 60
0,1 1 10 100
T 370 N / 3
i
GM
[A]
Bild / Fig. 3 Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM) tvj = 25 °C, diG/dt = iGM/1µs a - Maximaler Verlauf / Limiting characteristic b - Typischer Verlauf / Typical characteristic
1
0,6 0,4
0,2
0,1
2 4 6 8 2 4 6 8 2 4 6 8
1
10
T 370 N / 2
2
10
3
10
[mA]
i
G
Bild / Fig. 2 Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with trigging areas vG = f(iG), VD = 6 V Parameter: a b c
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Steuerimpulsdau er / trigger puls duration tg [ms] 10 1 0,5
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Max. rated peak gate power dissipation [W] 20 40 60
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
6000
3000
Q
r
[µAs]
1000
800
500 A
600
400
200
100
1 10 100
T 370 N / 4
2 4 6 20 40 60
8 80
[
di/dt
A/µs
Bild / Fig. 4 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) tvj = t Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
vj max
, vR = 0,5 V
, vRM = 0,8 V
RRM
RRM
TM
iTM = 1000 A
200 A
100 A
50 A
20 A
]
4
10
0,12
Θ
thJC
°C/W
0
]
Z [
0,08
0,06
f = 50 Hz
0,04
30°
0,02
60°
90° 120° 180°
0
-2
10
T 370 N / 5
2 4 6
8
-1
10
10
0
2 4 6
Bild / Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
= f(t)
thJC
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
82 4 6 8
10
1
[s]
t
2 4 6
8
2
10
T 370 N
0,12
Θ
thJC
°C/W
0
]
Z [
0,08
0,06
2 4 6
f = 50 Hz
30° 60°
90° 120° 180°
DC
-2
10
2 4 6
10
2 4 6
-1
0
10
0,04
0,02
0
-3
10
T 370 N / 6
Bild / Fig. 6 Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
= f(t)
thJC
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z
R
τ
Pos. n
thn
[s]
n
[°C/W]
1 2 3 4 5 6 0,00035 0,00275 0,0123 0,0225 0,0247 0,0194 0,000328 0,0015 0,0379 0,292 1,9 6,75
thJC
pro Zweig für DC
thJC
per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
= R
thJC
Σ
n=1
2 4 62 4 6
1
10
[s]
t
2
10
(1-e )
thn
t
-
τ
n
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