Infineon T3709N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

T 3709 N 02...04

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

V

200

400

V

Dauergrenzstrom

TC =

85 °C

I

3710

A

m

Ω

Ω

iGM = 1 A, di

/dt = 1 A/µs

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

200 400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 600 V 1)

vj max

DSM

non-repetitive peak foward off-state voltage 600 V 1)
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

250 450 V

non-repetitive peak reverse voltage 650 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

7000 A

RMSM on-state current

average on-state current TC = 69 °C 4456 A

TAVM

Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms I
surge current Tvj = T

, tp = 10 ms 60 kA 2)

vj max

TSM

70 kA 2)

Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 24.500 A²s*10³
I²t-value Tvj = T

Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

, tp = 10ms 18.000 A²s*10³

vj max

cr

200 A/µs

critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A

diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit Tvj = T

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

(dvD/dt)

cr

1000 V/µs

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe/5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = T
on-state voltage Tvj = T

Schleusenspannung Tvj = T

, iT = 15 kA v

vj max

, iT = 4 kA v

vj max
vj max

V

T
T

T(TO)

max. 1,50 V
max. 0,96 V

0,75 V

threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = T

vj max

r

T

0,0475

slope resistance

Tvj = T

vj max

Durchlaßkennlinie A = 2,8353E-01
on-state voltage B = 4,5758E-05

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

TTTT

Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6 V I

C = 6,5261E-02
D = -7,9187E-04

GT

max. 250 mA

gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6V V

GT

max. 1,5 V

gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom Tvj = T

gate non-trigger current Tvj = T
Nicht zündene Steuerspannung Tvj = T

, vD = 6 V I

vj max

= 0,5 V

vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V

DRM

DRM

GD

max. 10 mA
max. 5 mA

V

GD

max. 0,2 V

gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj=25°C, vD = 6V, RA =5

I

H

max. 300 mA

holding current
Einraststrom Tvj=25°C,vD=6V,RGK>=10 ΩI

L

max. 1200 mA

latching current iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = T
forward off-state and reverse currents vD = V

vj max

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t

iD, i

gd

R

max. 200 mA

max. 4 µs

gate controlled delay time Tvj = 25°C

G

1) 600 v auf Anfrage / 600 V on demand

2) Gehäusegrenzstrom 36 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 36 kA (50Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: K. A. Rüther data of publication: BIP AM
approved by: J. Novotny revision: 1 A29/00 Seite / page: 1

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther

Seite/page 2

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, ?=180°sin max. 0,0125 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0030 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

T 3709 N 02...04

Tvj = T
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 200 µs

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0117 °C/W
Anode / anode, ?=180°sin max. 0,0232 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,0225 °C/W
Kathode / cathode, ?=180°sin max. 0,0250 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,0245 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0060 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thCK

vj max

c op

stg

N

140 °C

-40...140 °C

-40...150 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 30...65 kN
clamping force

Gewicht G typ. 900 g
weight

Kriechstrecke 30 mm
creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

A29/00

Technische Information / Technical Information

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

T 3709 N 02...04

N

A29/00

Technische Information / Technical Information

τ

τ

τ

n

Σ

τ

n=1

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther

Seite/page 4

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

Kühlung
cooling

beidseitig
two-sided

anodenseitig
anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

thJC

N

für DC

T 3709 N 02...04

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z

thJC

for DC

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R

R

R

thn

n [s]

thn

n [s]

thn

n [s]

[°C/W]

[°C/W]

[°C/W]

0,000034 0,000570 0,000912 0,002740 0,004250 0,00320
0,000287 0,002980 0,013500 0,134000 0,449000 2,05000

0,000035 0,000600 0,001050 0,007600 0,008500 0,004700
0,000287 0,002300 0,024000 0,310000 1,900000 6,100000

0,000035 0,000600 0,002050 0,008050 0,009000 0,004770
0,000287 0,003000 0,057000 0,380000 2,050000 6,100000

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

))

n

A29/00

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther

Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

15.000

12.500

10.000

T 3709 N 02...04

N

[A]

T

i

7.500

5.000

2.500

0

0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

A29/00

vT [V]

T

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

6.000

5.000

4.000

T 3709 N 02...04

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[W]

3.000

TAV

P

2.000

1.000

0

0 1000 2000 3000 4000 5000

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther A29/00 Z.Nr.: 3 Seite/page 6

I

TAV

[A]

TAV

TAV

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 3709 N 02...04

N

[°C]

80

C

T

60

40

60°

20

0 1000 2000 3000 4000 5000

90°

120° 180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther A29/00 Z.Nr.: 4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Θ

= 30°

120°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 3709 N 02...04

N

80

[°C]

C

T

60

40

60°

20

0 1000 2000 3000 4000 5000

90°

180°

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther A29/00 Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

60°

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 3709 N 02...04

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

20

0 1000 2000 3000 4000

90°

120°

180°

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther A29/00 Z.Nr.:6 Seite/page 9

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor

140

120

100

T 3709 N 02...04

N

80

[°C]

A

T

60

90°

120°

40

Θ = 30°

20

0 100 200 300 400 500 600

60°

180°

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkörper/Heatsink. K0.048F

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

BIP AM / 00-11-27, K.-A. Rüther A29/00 Z.Nr.: 7 Seite/page 10

A

TAVM