Infineon T360N Data Sheet

N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current

Stossstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Elektrische Eigenschaften

T360N

= -40°C... T

T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

V

vj max

V

vj max

V

vj max

I

TC = 85 °C

DRM,VRRM

DSM

RSM

TRMSM

I

TAVM

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

T

= 25 °C, tP = 10 ms

vj

= T

T

vj

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5

5.Kennbuchstabe / 5

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

th

letter C

th

letter F

TAVM

TRMS

I

TSM

I²t

(di

(dv

/dt)cr

T

D

/dt)cr

2000
2200

2000
2200

2100
2300

2400
2600V V

2400
2600V V

2500
2700V V

550 A

360 A

510 A

800 A

5000
4500

125
100

60 A/µs

500

1000

A
A

10³ A²s
10³ A²s

V/µs
V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung

on-state voltage
Schleusenspannung

threshold voltage
Ersatzwiderstand

slope resistance
Durchlasskennlinie 100 A ≤ iT ≤ 1800 A

on-state characteristic

TTT

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

Tvj = T
T

= T

vj

Tvj = T

Tvj = T

= T

T

vj

, iT = 1100 A

vj max

, iT = 300 A

vj max

V

vj max

r

vj max

A=

vj max

v

T

(TO)

T

max.
max.

1,1 V

B=

iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

C=
D=

2,88
1,54V V

1,6 mΩ

6,180E-01
2,031E-03
1,451E-01

-2,943E-02

Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 200 mA

Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 12V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

max.

I

DRM

V

DRM

GD

max. 0,2 V

GD

max.

105mA

mA

Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA

Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T
v

D

= V

vj max

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 60747-6
T

= 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

max. 1200 mA

I

L

, iR max. 50 mA

i

D

max. 4 µs

t

gd

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-12-07, H.Sandmann

H.Sandmann date of publication: 2009-12-07

revision: 3.1

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N

A

g

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

T360N

DRM

th

letter O

t

q

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+125 °C

c op

-40...+150 °C

stg

T

= T

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv

4.Kennbuchstabe / 4

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti

T

T

T

, iTM = I

vj max

/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

D

/ single-sides

TAVM

typ. 350 µs

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

0,044
0,042
0,067
0,065
0,121
0,119

0,01
0,02

125 °C

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft
clamping force

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Seite 3

F 5...10 kN

Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode

G typ. 110 g

6 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

page 3

A 2,8x0,5

A 4,8x0,5

Ø 1,5

mm
mm

mm

IFBIP D AEC / 2009-12-07, H.Sandmann

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