Infineon T358N Data Sheet

Marketing Information
T 358 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø23

C

A

ø23

HK

plug

G

2,8 x 0,8

VWK Aug.

T 358 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

600 800 1000 1200

600 800 1000 1200

700 900 1100 1300

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1400 1600 1800*

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 69°C 445 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 4600 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 106000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 1200 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

V

GD

I

H

I

L

iD, i

R

gd

q

= V

= V

DRM

RRM

1400 1600 1800*

1500 1700 1900

V

V

700 A
358 A

5200 A

135000

A2s
A2s

cr

cr

150 A/µs

1000 V/µs

max. 2,07 V

0,85 V

0,9

mΩ

max. 200 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,2 V

max. 300 mA

max. 1,2 A

max. 50 mA

max. 3 µs

typ. 250 µs

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,068 °C/W

DC max. 0,065 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,113 °C/W

DC max. 0,11 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,159 °C/W

DC max. 0,156 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,015 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,03 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+140 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 4...8 kN
Gewicht weight G typ. 70 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-151 A4

* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request

i
[A]

T

1600

1200

P
[W]

1000

800

TAV

600

T 358 N

Θ

0

90°

θ = 30°

60°

180°

120°

800

400

0

T 358 N / 1

1,0 2,01,50,5

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic
iT = f(vT), t

vj = tvj max

120

t

C

[°C]

80

60

2,5 3,0
[V]

v

T

Θ

0

400

200

0

T 358 N / 2

200 400300100

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

120

t

C

[°C]

80

60

TAV

= f(I

500 600

[A]

I

TAV

)

TAV

0

Θ

40

20

0 100 200 300 400

T 358 N / 3

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

TAVM

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

120

t

A

[°C]

80

60

40

20

0 50 100 150 200

T 358 N / 5

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

TAVM

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperature tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.36S
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

[A]

[A]

40

500

20

0 100 200 300 400

T 358 N / 4

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

[A]

I

TAVM

500

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

120

Θ

0

t

A

[°C]

Θ

0

80

60

40

20

0 100 200 300 400

T 358 N / 6

θ = 30° 60° 90° 120° 180°

I

TAVM

[A]

Bild / Fig. 6
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperature tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: KO.12 F, VL = 50 I/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ