Infineon T3159N Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
1)
m
Ω
D
1,570 E-3
Ω
Ω
1)
Gehäusegrenzstrom 38 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 38kA (50 Hz sinusodial half-wave)
SZ-MA / 06. Juni 97 , K.-A.Rüther
A 103/98
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Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200, 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
DSM
1200, 1400 V
non-repetitive peak foward off-state voltage 1600, 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
RSM
1300, 1500 V
non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
TRSMSM
7000 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85°C
TC = 59°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
I
TAVM
3160 A
4460 A
I
TSM
63000 A
57000 A
I²t 19845 A²s*10³
16245 A²s*10³
200 A/µs
1000 V/µs
(dvD/dt)
cr
cr
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT =14.000 A
vj max
, iT =6000 A
vj max
vj max
v
V
T
T(TO)
max. 2,04 V
max. 1,37 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
T
0,082
slope resistance
Durchlaßkennlinie
Tvj = T
vj max
A 0,728
on-state voltage B 7,670 E-5
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x√ i
Zündstrom
T
Tvj = 25°C, vD = 6 V
C 7,743 E-3
I
GT
max. 250 mA
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
V
GT
max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6 V
vj max
vj max,vD
vj max,vD
= 0,5 V
= 0,5 V
DRM
DRM
I
GD
max. 10 mA
max. 5 mA
V
GD
max. 0,25 mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
I
H
max. 300 mA
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug DIN IEC 747-6 t
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
RRM
I
L
iD, i
gd
max. 1500 mA
R
max. 250 mA
max. 4 µs
0,85 V
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Freiwerdezeit
Tvj = T
, iTM=I
t
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
R
Übergangs- Wärmewiderstand
R
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
125
°C
Betriebstemperatur
T
-40...125
°C
Lagertemperatur
T
-40...150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
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€
Phase Control Thyristor
Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data
circuit commutatet turn-off time
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0085 °C/W
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
T 3159 N 12...18
vj max
vRM =100V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 Aµs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 250 µs
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC max. 0,0078 °C/W
Kühlfläche / cooling surface
einseitig / single-sided max. 0,0050 °C/W
TAVM
q
DRM
thJC
thJK
vj max
c op
stg
N
Vorläufige Daten
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Ampilfying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft F 42...95 kN
clamping force
Gewicht G typ. 1200 g
weight
Kriechstrecke 30 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
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Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
τ
τ
τ
n
thJC
= ∑
τ
n=1
Phase Control Thyristor
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
thJC
N
für DC
T 3159 N 12 ...18
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R
R
thn
n [s]
thn
[°C/W]
[°C/W]
0,00003 0,00039 0,00123 0,0028 0,00338
0,000055 0,00392 0,0152 0,2068 1,0914
n [s]
R
[°C/W]
thn
n [s]
Analytische Funktion / analytical function : Z
max
R
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
= f(v
)
Tvj = 125 °C
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Phase Control Thyristor
20
18
16
14
12
T 3159 N 12...18
N
10
[kA]
T
i
8
6
4
2
0
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6
vT [V]
A103/98
Z. Nr.: 1
T
T
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