Infineon T308N Data Sheet

Marketing Information
T 308 N

ø30

C

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

ø3,5 x 2 deep
on both sides

ø30

A

plug 2,8 x 0,8

2

HK

G
plug
2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 308 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

2000 2200 2400

2000 2200 2400

2100 2300 2500

2700

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 76°C 350 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 4500 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms 100000

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

5. Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs

5. Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs

V

DRM

V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

I2 t

(diT/dt)

(dv/dt)

, V

RRM

= V

DRM

= V

RRM

cr

cr

2600*

550 A
308 A

5000 A

125000

60 A/µs

V

V

V

A2s
A2s

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 1100 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

tvj = 25 °C, vD = 12 V, RA = 5,6 Ω
tvj = 25 °C,vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

DC max. 0,05 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin
DC max. 0,085 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin
DC max. 0,12 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

einseitig/one-sided max. 0,02 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

V
r

T

GT

GD

V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

R

R

R

vj max

c op

stg

T

T(TO)

GT

GD

thJC

thJC(A)

thJC(K)

thCK

max. 2,88 V

1,1 V
1,6

mΩ

max. 200 mA

max. 2 V

max. 10 mA

max. 0,25 V

max. 300 mA

max. 1,2 A

R

max. 50 mA

max. 4 µs

typ. 350 µs

max. 0,056 °C/W

max. 0,091 °C/W

max. 0,126 °C/W

max. 0,01 °C/W

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 5...10 kN
Gewicht weight G typ. 100 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-151 A4

* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request

T 308 N

3000

tvj = +25°C

i
[A]

T

a

2000

1000

0

T 308 N / 1

2 4 6 8

Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlinie / On-state characteristic iT = f(vT)
a -Typische Kennlinien / typical characteristics
b -Grenzkennlinien / limiting characteristics

120

100

t

C

[°C]

80

1000

180°

tvj = +125°C

P
[W]

TAV

800

Θ

0

Θ = 30°

60°

120°

90°

600

b

400

200

0

vT [V]

0

T 308 N / 2

100 200 300 400

I

[A]

TAV

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

120

Θ

0

100

t

A

[°C]

Θ

0

80

60

40

20

0

Θ = 30°

100 200 300 400

T 308 N / 3

60°

90°

120° 180°

I

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tA = f(I

)

TAVM

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

120

100

t

A

[°C]

80

60

40

TAVM

[A]

60

40

20

0 100

T 308 N / 4

Θ = 30°

50

60° 90° 120° 180°

I

[A]

TAVM

150

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.36S
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

1000

90°

60°

TAV

800

0 Θ

Θ = 30°

Θ

0

P
[W]

180°

120°

DC

600

400

200

20

0 200

T 308 N / 5

Θ = 30°

100

60°

90°

120° 180°

I

TAVM

[A]

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.12F, VL = 50 l/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

300

0

0 400

T 308 N / 6

200

Bild / Fig. 6
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

I

TAV

TAV

[A]

600

)