Infineon T1500N, T 1509 N Data Sheet

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

Marketing Information

T 1500 N T 1509 N

C

HK
G

A

ø3,5x3,5 deep

on both sides

ø50

ø50

max.12

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

HK

plug A4,8x0,8

G
plug A2,8x0,8

74

ø 48

ø 48

C

A

HK
plug
4,8 x 0,8

4

G
plug
2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 1500 N T 1509 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

1200 1400 1600

1200 1400 1600

1300 1500 1700

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1800

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 54°C 2230 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 30000 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 0,67% V

vj max

DRM

5.Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs

5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 7000 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündender Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 2 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

= V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

= V

DRM

RRM

1800

1900

3500 A
1500 A

35000 A

I2 t 6,12 . 106A2s

4,5 . 106A2s

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

cr

cr

200 A/µs

max. 2,1 V

0,9 V

0,15

mΩ

max. 250 mA

max. 2 V

max. 20 mA
max. 10 mA
V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

GD

R

max. 0,2 V

max. 500 mA

max. 2500 mA

max. 150 mA

max. 4 µs

typ. 240 µs

V

V

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,0184 °C/W

DC max. 0,0170 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,0344 °C/W

DC max. 0,0330 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,0364 °C/W

DC max. 0,0350 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,0025 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,0050 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Durchmesser/diameter 58 mm
Anpreßkraft clamping force F 24...56 kN
Gewicht weight T 1500 N/T 1509 N G typ. 600/540 g
Kriechstrecke creepage distance T 1500 N/T 1509 N 30/32 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-155B4

T 1500 N

10

8

i

T

[kA]

6

4

2

0

0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

T 1500 N / 1

vT [V]

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic
iT = f(vT), tvj = t

vj max

140

120

t

C

[°C]

100

5000

Θ

P
[W]

4000

TAV

3000

0

90°

60°

Θ = 30°

180°

120°

2000

1000

0

0 500 1000 2500 3000

T 1500 N / 2

1500 2000

I

[A]

TAV

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

Θ

0

t

C

[°C]

120

100

Θ

0

80

60

40

20

0 500 1000 1500 2500

T 1500 N / 3

Θ = 30°

60°

2000

I

TAVM

[A]

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

120

t

A

[°C]

100

80

60

40

Θ = 30° 60°

20

0 100 200 500

T 1500 N / 5

90°

120°

180°

I

TAVM

400300

[A]

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.05F
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

80

60

40

180°120°90°

20

0 500 1000 1500 2000

T 1500 N / 4

Θ = 30° 60° 90°

120°

I

TAVM

180°

[A]

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

Θ

0

t

A

[°C]

120

100

Θ

0

80

60

40

20

0 200 600 800 1000 1200

T 1500 N / 6

Θ = 30° 60° 90°

400

I

TAVM

120°

180°

[A]

Bild / Fig. 6
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.05F, VL = 120 l/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ